?氮化鎵 文章 進(jìn)入?氮化鎵技術(shù)社區(qū)
羅姆、臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
- 12 月 12 日消息,日本半導(dǎo)體制造商羅姆 ROHM 當(dāng)?shù)貢r間本月 10 日宣布同臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件的開發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。羅姆此前已于 2023 年采用臺積電的 650V 氮化鎵 HEMT(注:高電子遷移率晶體管)工藝推出了 EcoGaN 系列新產(chǎn)品。羅姆、臺積電雙方將致力于把羅姆的氮化鎵器件開發(fā)技術(shù)與臺積電業(yè)界先進(jìn)的 GaN-on-Silicon(硅基氮化鎵)工藝技術(shù)優(yōu)勢結(jié)合起來,滿足市場對高耐壓和高頻特性優(yōu)異的功率器件日益增長的需求。臺積電在新聞稿中提到,
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發(fā)力氮化鎵,格芯獲巨額補(bǔ)貼
- 12月4日,據(jù)GlobalFoundries(格芯)官網(wǎng)消息,其又從美國政府獲得了950萬美元(折合人民幣約6900萬元)的聯(lián)邦資助,用于推進(jìn)其位于美國佛蒙特州埃塞克斯交界的工廠的硅基氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的生產(chǎn)。據(jù)介紹,這筆資金由美國國防部可信接入項目辦公室(TAPO)提供,是美國聯(lián)邦政府為支持格芯在佛蒙特州的氮化鎵項目而投入的最新資金。獲得這筆資金后,格芯將繼續(xù)為其氮化鎵IP產(chǎn)品組合和可靠性測試增加新的工具、設(shè)備和原型開發(fā)能力,其將更接近在佛蒙特州全面制造8英寸氮化鎵芯片。據(jù)悉,自2020年以來,包括
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氮化鎵的未來:IDM 還是 Fabless
- 今年十月份,日本功率器件大廠羅姆半導(dǎo)體(ROHM)公開表示,將在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域加強(qiáng)與臺積電合作,公司旗下的氮化鎵(GaN)產(chǎn)品將全面委托臺積電代工生產(chǎn)。值得注意的是,羅姆之前主要利用內(nèi)部工廠來生產(chǎn)相關(guān)器件,但是近年來已經(jīng)開始將部分產(chǎn)品委托臺積電代工,只不過羅姆此前并未對外公布。而此次,羅姆將全面委托臺積電代工生產(chǎn)有望運(yùn)用于廣泛用途的 650V 耐壓產(chǎn)品,借由活用外部資源,應(yīng)對急增的需求,擴(kuò)大業(yè)務(wù)規(guī)模。有分析認(rèn)為,羅姆全面委托臺積電代工氮化鎵產(chǎn)品,旨在降低成本。畢竟,氮化鎵材料雖然性能優(yōu)越,但成本一直
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英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN? 650 V G5晶體管,該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵(GaN)產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛,包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數(shù)據(jù)中心、電信整流器等消費和工業(yè)開關(guān)電源(SMPS)、可再生能源,以及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動器。最新一代CoolGaN?晶體管可直接替代CoolGaN? 600 V G1晶體管,實現(xiàn)了現(xiàn)有平臺的快速重新設(shè)計。新器件改進(jìn)了性能指標(biāo),確保為重點應(yīng)用帶來具有競爭力的開關(guān)性能。與主要同類產(chǎn)品和英飛凌之前的產(chǎn)
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敢想敢做,PI推出業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC
- 1932年,研究人員在George Herbert Jones實驗室,將金屬鎵和氨在900℃至1000℃的高溫下進(jìn)行反應(yīng),成功合成了GaN材料。近一個世紀(jì)的時間里,氮化鎵逐漸引領(lǐng)著功率變換領(lǐng)域的新一輪變革。特別是Power Integrations公司近日推出的業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC——InnoMux?-2系列產(chǎn)品,不僅刷新了氮化鎵技術(shù)的耐壓紀(jì)錄,更是以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景,成為了電源管理領(lǐng)域的遙遙領(lǐng)先者。 氮化鎵逐漸成為王者 最佳開關(guān)電源技術(shù)覆蓋從十瓦至一兆瓦的廣泛
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Power Integrations推出1700V氮化鎵開關(guān)IC,為氮化鎵技術(shù)樹立新標(biāo)桿
- 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日推出InnoMux?-2系列單級、獨立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN?技術(shù)制造而成,是業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC。1700V額定耐壓進(jìn)一步提升了氮化鎵功率器件的先進(jìn)水平,此前的業(yè)界首創(chuàng)產(chǎn)品是Power Integrations于2023年推出的900V和1250V器件。1700V InnoMux-2 IC可在反激設(shè)計中輕松支持1000VDC額定輸入電壓,并在需要一個、兩個或三
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德州儀器日本會津工廠開始生產(chǎn)GaN芯片,自有產(chǎn)能將提升四倍
- 自德州儀器官網(wǎng)獲悉,日前,德州儀器公司(TI)宣布已開始在日本會津工廠生產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體。隨著會津工廠的投產(chǎn),結(jié)合其在德克薩斯州達(dá)拉斯的現(xiàn)有GaN制造能力,德州儀器的內(nèi)部GaN基功率半導(dǎo)體制造能力將翻四倍。德州儀器技術(shù)與制造高級副總裁穆罕默德·尤努斯(Mohammad Yunus)表示,在GaN芯片設(shè)計和制造方面擁有十多年的豐富經(jīng)驗后,TI成功地將200mm GaN技術(shù)(這是目前制造GaN的最具可擴(kuò)展性和成本競爭力的方法)應(yīng)用于會津工廠的量產(chǎn)。這一里程碑使德州儀器能夠在內(nèi)部制造更多的Ga
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德州儀器擴(kuò)大氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體自有制造規(guī)模,產(chǎn)能提升至原來的四倍
- 新聞亮點:●? ?德州儀器增加了GaN制造投入,將兩個工廠的GaN半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能提升至原來的四倍?!? ?德州儀器基于GaN的半導(dǎo)體現(xiàn)已投產(chǎn)上市?!? ?憑借德州儀器品類齊全的GaN集成功率半導(dǎo)體,能打造出高能效、高功率密度且可靠的終端產(chǎn)品?!? ?德州儀器已成功開展在12英寸晶圓上應(yīng)用GaN制造工藝的試點項目。德州儀器 (TI)近日宣布,公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導(dǎo)體已在日本會津工廠開始投產(chǎn)。隨著會津工廠投產(chǎn),
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氮化鎵或?qū)⑨尫殴夥夹g(shù)的長期潛力
- 2023 年全球可再生能源發(fā)電量首次超過全球總發(fā)電量的 30%創(chuàng)歷史新高,這則消息的背后是技術(shù)的不斷創(chuàng)新與突破。一直以來,可再生能源利用的一大問題是缺乏彈性,比如對于光伏而言,只能根據(jù)光照進(jìn)行發(fā)電,而無法根據(jù)需求而定。不過,隨著儲能技術(shù)的推進(jìn),微型逆變器和串式逆變器正朝向雙向操作技術(shù)方向演進(jìn),且隨時可以按需智能地融入電網(wǎng)。一個重要且可預(yù)見的趨勢是氮化鎵可作為下一代家庭太陽能生產(chǎn)的重要組成部分,提供更高的功率密度,更小的外部無源元件、從而降低系統(tǒng)成本,增加系統(tǒng)效率,提供智能電網(wǎng)的彈性。作為氮化鎵供應(yīng)商的先驅(qū)
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美印宣布將在印度建立半導(dǎo)體工廠,生產(chǎn)氮化鎵、碳化硅等芯片
- 美國和印度達(dá)成協(xié)議,將共同在印度建立一家半導(dǎo)體制造廠,助力印度總理莫迪加強(qiáng)該國制造業(yè)的雄心計劃。據(jù)白宮消息人士稱,擬建的工廠將生產(chǎn)紅外、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導(dǎo)體,這是美國總統(tǒng)拜登和莫迪在特拉華州會晤后發(fā)布的。消息人士稱,該工廠的建立將得到印度半導(dǎo)體計劃(ISM),以及Bharat Semi、3rdiTech和美國太空部隊之間的戰(zhàn)略技術(shù)伙伴關(guān)系的支持。印度在亞洲的戰(zhàn)略地緣政治地位為該國及其在技術(shù)領(lǐng)域所能提供的機(jī)會提供了新的關(guān)注點。在過去十年中,莫迪曾多次表示,他將把印度定位為中國的替代品,并
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信越化學(xué)為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助
- 第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵,傳來新消息:日本半導(dǎo)體材料大廠信越化學(xué)為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助。2024年9月3日,信越化學(xué)宣布研制出一種用于GaN(氮化鎵)外延生長的300毫米(12英寸)QSTTM襯底,并于近日開始供應(yīng)樣品。圖片來源:信越化學(xué)從氮化鎵生產(chǎn)上看,盡管GaN器件制造商可以使用現(xiàn)有的Si生產(chǎn)線來生產(chǎn)GaN,但由于缺乏適合GaN生長的大直徑基板,因此無法從增加材料直徑中獲益。上述的300毫米QST基板具有與GaN相同的熱膨脹系數(shù),可實現(xiàn)大直徑的高質(zhì)量厚GaN外延生長,并抑制SEMI標(biāo)準(zhǔn)厚度的QS
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三星加碼氮化鎵功率半導(dǎo)體
- 根據(jù)韓媒報道,9月2日,三星電子在第二季度引入了少量用于大規(guī)模生產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體的設(shè)備。GaN是下一代功率半導(dǎo)體材料,具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率?;谶@些優(yōu)勢,IT、電信和汽車等行業(yè)對其的需求正在增加。三星電子也注意到了GaN功率半導(dǎo)體行業(yè)的增長潛力,并一直在推動其進(jìn)入市場。去年6月,在美國硅谷舉行的“2023年三星代工論壇”上,該公司正式宣布:“我們將在2025年為消費電子、數(shù)據(jù)中心和汽車領(lǐng)域推出8英寸GaN功率半導(dǎo)體代工服務(wù)?!备鶕?jù)這一戰(zhàn)略,三星電子第二季度在其器興工廠引入了德國愛思
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泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實驗室:量芯微1200V氮化鎵器件的突破性測試
- _____在泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開放實驗室,2024年8月份,我們有幸見證了量芯微(GaN Power)新一代1200V氮化鎵(GaN)功率器件的動態(tài)參數(shù)測試。量芯微作為全球首家成功流片并量產(chǎn)1200V氮化鎵功率器件的廠商,其最新產(chǎn)品在性能上的顯著提升,不僅展現(xiàn)了技術(shù)的進(jìn)步,也為我們的客戶帶來了新的解決方案。測試概覽今年8月,我們收到了量芯微提供的新一代高壓氮化鎵器件,其額定工作條件提升至1200V/20A(70mΩ),在柵極電壓12V的條件下,輸出電流提升至20A以上。這一性能的提升,使得量芯微的GaN器件在
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拆解報告:HUAWEI華為100W全能充多口充電器P0018
- 前言HUAWEI華為旗下快充產(chǎn)品相當(dāng)多,除了隨機(jī)附送的充電器外,這些年還陸續(xù)推出過多口充、超薄快充以及全能充等產(chǎn)品,其中全能充系列涵蓋了快充充電器、車載充電器以及磁吸無線充移動電源等品類,功率也有66W、88W、100W可選??梢哉f光是這個系列的產(chǎn)品,就相當(dāng)琳瑯滿目了。華為100W全能充多口充電器P0018是華為近期推出的新品,這款充電器除了配置代表性的干涉型融合端口外,還額外擁有一個獨立的USB-C接口,這便使得充電器具有了同時為兩個華為系設(shè)備供電的能力。下面充電頭網(wǎng)就對華為這款新品進(jìn)行詳細(xì)拆解,一起來
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拆解報告:HP惠普65W 2C1A氮化鎵快充充電器ZHAN 65
- 前言HP惠普是知名的國際電腦品牌,平時大家遇到的惠普電源多為大功率大尺寸的筆記本電源適配器,雖說大品牌的產(chǎn)品在用料規(guī)格和做工方面沒得說,但終歸不便攜。而隨著快充的普及,近期充電頭網(wǎng)拿到了惠普一款符合當(dāng)下主流消費者需求的65W氮化鎵快充充電器。這款充電器配置2C1A三個主流USB接口,不僅支持最大65W快充,還支持45W+20W等輸出策略,此外這款充電器還支持國內(nèi)新興的UFCS融合快充,可以說完全是一款針對國內(nèi)市場推出的快充產(chǎn)品。下面充電頭網(wǎng)就對其進(jìn)行拆解,看看做工用料如何?;萜?5W氮化鎵快充充電器開箱包
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?氮化鎵介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對?氮化鎵的理解,并與今后在此搜索?氮化鎵的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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