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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ?氮化鎵

宜普電源轉(zhuǎn)換公司將在CES 2024展示基于氮化鎵技術(shù)的消費電子應(yīng)用場景

  • PC公司的氮化鎵專家將在國際消費電子展(CES)上分享氮化鎵技術(shù)如何增強消費電子產(chǎn)品的功能和性能?增強型氮化鎵(eGaN?)FET和IC領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)將在CES 2024展會展示其卓越的氮化鎵技術(shù)如何為消費電子產(chǎn)品在功能和性能方面做出貢獻 ，包括實現(xiàn)更高效率、更小尺寸和更低成本的解決方案。CES展會期間，EPC的技術(shù)專家將于1月9日至12日在套房與客戶會面、進行技術(shù)交流、討論氮化鎵技術(shù)及其應(yīng)用場景的最新發(fā)展。氮化鎵技術(shù)正在改變大批量消費應(yīng)用的關(guān)鍵領(lǐng)域包括：推動人工智能
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意法半導(dǎo)體新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和價值

  • 意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡化電源設(shè)計，實現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計目標(biāo)。意法半導(dǎo)體的MasterGaN產(chǎn)品家族集成兩顆650V高電子遷移率GaN晶體管(HEMT)與優(yōu)化的柵極驅(qū)動器、系統(tǒng)保護功能，以及在啟動時為器件供電的集成式自舉二極管。集成這些功能省去了設(shè)計者處理GaN晶體管柵極驅(qū)動開發(fā)難題。這兩款產(chǎn)品采用緊湊的電源封裝，提高了可靠性，減少了物料成本，簡化了電路布局。這兩款新器件內(nèi)置兩個連接成半橋的Ga
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中國科學(xué)院在氮化鎵 GaN 器件可靠性及熱管理研究方面取得重要進展

  • IT之家 12 月 11 日消息，據(jù)中國科學(xué)院微電子研究所消息，近日，微電子所高頻高壓中心劉新宇研究員團隊在氮化鎵電子器件可靠性及熱管理方面取得突破，六項研究成果入選第 14 屆氮化物半導(dǎo)體國際會議 ICNS-14（The 14th International Conference on Nitride Semiconductors）。氮化物半導(dǎo)體材料在光電子、能源、通信等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。隨著下游新應(yīng)用的快速發(fā)展以及襯底制備技術(shù)的不斷突破，氮化物半導(dǎo)體功率器件實現(xiàn)了成本和效率的大幅改善，
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德州儀器發(fā)布低功耗氮化鎵系列新品,可將交流/直流電源適配器體積縮小一半

  • ●? ?助力工程師開發(fā)系統(tǒng)尺寸減半且效率超過 95% 的交流/直流解決方案，從而簡化散熱設(shè)計●? ?全新氮化鎵器件可兼容交流/直流電源轉(zhuǎn)換中常見的拓撲結(jié)構(gòu)德州儀器 (TI)近日發(fā)布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系統(tǒng)效率，同時縮小交流/直流消費類電力電子產(chǎn)品和工業(yè)系統(tǒng)的尺寸。德州儀器的 GaN 場效應(yīng)晶體管 (FET) 全系列產(chǎn)品均集成了柵極驅(qū)動器，能解決常見的散熱設(shè)計問題，既能讓適配器保持涼爽，又能在更小的尺寸中提供更高功率。德州儀
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Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件,助力計算、人工智能、能源和汽車電源系統(tǒng)實現(xiàn)卓越的熱性能和電氣性能

  • 新推出器件是業(yè)界首款采用頂部散熱的 TOLT 氮化鎵晶體管,擴展Transphorm多樣化的產(chǎn)品封裝組合
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實現(xiàn)電源芯片國產(chǎn)化替代，鈺泰半導(dǎo)體ACDC獲聯(lián)想、意象快充采用

  • 多年前，僅僅65W左右的筆記充電器如同磚頭一般大小，外出攜帶十分不便，但隨著隨著氮化鎵器件的全面使用，充電器的功率密度已經(jīng)翻了一倍有余，同樣65W的充電器只有之前的一半大小，很輕松就可以放入包內(nèi)攜帶。但隨著充電器集成度越來越高，對ACDC芯片的要求也愈加苛刻。為應(yīng)對市場需求，鈺泰半導(dǎo)體潛心研發(fā)，相繼推出ETA8003、ETA8047、ETA8056、ETA80033多款A(yù)CDC芯片。鈺泰半導(dǎo)體ACDC芯片鈺泰半導(dǎo)體ETA8003、ETA8047、ETA8056、ETA80033多款A(yù)CDC芯片部分規(guī)格如圖
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Omdia：人工智能將在電動汽車革命中超越下一代半導(dǎo)體

  • 倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著Omdia預(yù)測電動汽車 (EV) 革命將引發(fā)新型半導(dǎo)體激增，電力半導(dǎo)體行業(yè)的幾十年舊規(guī)范正面臨挑戰(zhàn)。人工智能熱潮是否會產(chǎn)生類似的影響？功率分立器件、模塊和IC預(yù)測Omdia半導(dǎo)體元件高級分析師卡勒姆·米德爾頓表示：“長期以來依賴硅技術(shù)的行業(yè)正受到新材料制造的設(shè)備的挑戰(zhàn)和推動。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的開發(fā)始于上個世紀(jì)，但它們的技術(shù)成熟度與可持續(xù)發(fā)展運動相匹配，新材料制造的設(shè)備在能源匱乏的世界中有著顯著的效率提升?！?018 年，特斯拉首次
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氮化鎵取代碳化硅，從PI開始？

  • 在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是如何定量分析這三類產(chǎn)品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan日前結(jié)合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，詳細解釋了三類產(chǎn)品的優(yōu)劣，以及PI對于三種產(chǎn)品未來的判斷，同時還介紹了PI氮化鎵產(chǎn)品的特點及優(yōu)勢。在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅
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Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應(yīng)用的最佳器件

  • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統(tǒng)的未來、氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET，導(dǎo)通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經(jīng)驗證的高壓動態(tài)(開關(guān))導(dǎo)通電阻可
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Power Integrations推出具有里程碑意義的1250V氮化鎵開關(guān)IC

  • 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN?開關(guān)技術(shù)。InnoSwitch?3-EP 1250V IC是Power Integrations的InnoSwitch恒壓/恒流準(zhǔn)諧振離線反激式開關(guān)IC產(chǎn)品系列的最新成員。它具有同步整流和FluxLink?安全隔離反饋功能，并且提供豐富的開關(guān)選項，包括725V硅開關(guān)、1700V碳化硅開關(guān)以及其它衍生出
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巧用這三個GaN 器件 輕松搞定緊湊型電源設(shè)計

  • 緊湊型 100 瓦電源的應(yīng)用范圍不斷增加，從 AC-DC 充電器和適配器、USB 供電 (PD) 充電器和快速充電(QC) 適配器，到 LED 照明、白色家電、電機驅(qū)動、智能儀表和工業(yè)系統(tǒng)等。對于這些離線反激式電源的設(shè)計者來說，面臨的挑戰(zhàn)是如何確保穩(wěn)健性和可靠性，同時繼續(xù)降低成本，提高效率，縮小外形尺寸以提高功率密度。為了解決其中的許多問題，設(shè)計者可以用基于寬帶隙 (WBG) 技術(shù)的器件 (GaN) 來取代硅 (Si) 功率開關(guān)。這樣做直接轉(zhuǎn)化為提高電源效率和減少對散熱器的需求，從而實現(xiàn)更高的功率密度。然
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氮化鎵爭奪戰(zhàn)火熱進行中，規(guī)模超60億元的收購案塵埃落定

  • 今年3月，一場收購案迅速登上氮化鎵（GaN）領(lǐng)域頭條，因為主角是多年蟬聯(lián)全球功率半導(dǎo)體市場占有率第一的英飛凌。幾個月過去，這場收購案迎來了結(jié)局。10月25日，英飛凌官微指出，英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。該交易已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結(jié)束后，GaN Systems已正式成為英飛凌的組成部分，并為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。市場競爭力再上一層樓2023年3月2日，英飛凌和G
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英飛凌完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems),成為領(lǐng)先的氮化鎵龍頭企業(yè)

  • 英飛凌科技股份公司近日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵?(GaN)?功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結(jié)束后，GaN Systems?已正式成為英飛凌的組成部分。英飛凌科技首席執(zhí)行官?Jochen Hanebeck?表示，“氮化鎵技術(shù)為打造更加低碳節(jié)能的解決方案掃清了障礙，有助于推動低碳化進程。收購?GaN Syste
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Transphorm最新技術(shù)白皮書:常閉耗盡型(D-Mode)與增強型(E-Mode)氮化鎵晶體管的優(yōu)勢對比

  • 氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的全球領(lǐng)先企業(yè)Transphorm, Inc.近日發(fā)布了題為『Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優(yōu)勢』的最新白皮書。該技術(shù)文獻科普了共源共柵 (常閉) d-mode氮化鎵平臺固有的優(yōu)勢。重要的是，該文章還解釋了e-mode平臺為實現(xiàn)常閉型解決方案，從根本上 (物理層面) 削弱了諸多氮化鎵自身的性能優(yōu)勢。要點白皮書介紹了 normally-off d-mode 氮化鎵平臺的幾個關(guān)鍵優(yōu)勢，包括：1.性能更高：優(yōu)越的 TCR (~25%)，更低的動態(tài)與靜態(tài)導(dǎo)通電阻比
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SuperGaN使氮化鎵產(chǎn)品更高效

  • 1 專注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)，致力于設(shè)計和制造用于新世代電力系統(tǒng)的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前處于開發(fā)階段）氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項專利，氮化鎵器件為單一業(yè)務(wù)。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業(yè)模式運營的上市公司，這意味著在器件開發(fā)的每個關(guān)鍵階段，我們均能做到自主可控和創(chuàng)新——包括GaN HEMT 器件設(shè)計、外延片材料、晶圓制程工藝，直至最終氮化鎵場效應(yīng)晶體管芯片。
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