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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ?氮化鎵

Power Integrations推出900V氮化鎵反激式開關IC

從消費到汽車/工業(yè)等領域，氮化鎵進一步撬動市場

  • 前10年一直在消費電子領域沖浪的氮化鎵（GaN）技術不斷創(chuàng)新發(fā)展，近兩年來逐漸在汽車、數(shù)據(jù)通信以及其他工業(yè)應用等行業(yè)嶄露頭角。氮化鎵應用不斷擴充消費領域一直是原始設備制造商（OEM）采用GaN的主要驅動力，其中電力設備市場為主流市場，快速充電器為主要應用，此外還包括一些音頻設備等。借助GaN，智能手機制造商可以制造尺寸更小且性價比更高的充電器。目前市場上大多數(shù)基于GaN的充電器都在65W左右或以下，業(yè)界表示這是性價比的“最佳點”。但是，隨著市場對于更高功率的需求，智能手機快速充電器的目標功率高于75的新趨
  • 關鍵字： 汽車  工業(yè)  氮化鎵  

氮化鎵柵極驅動專利：RC負偏壓關斷技術之松下篇

  • 松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產品。對于其柵極驅動IC，如上期所介紹的，英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利；而松下在這一技術方向下也是申請了不少專利，其中就包括采用RC電路的負壓關斷方案。松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產品。對于其柵極驅動IC，如上期所介紹的，英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利；而松下在這一技術方向下也是申請了不
  • 關鍵字： 氮化鎵  松下  

Transphorm拓展中國區(qū)業(yè)務,擴大氮化鎵應用實驗室

  • Transphorm拓展中國區(qū)業(yè)務,擴大氮化鎵應用實驗室大中華區(qū)新增辦事處提升服務亞太區(qū)域電力電子客戶的能力 加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. 宣布在中國深圳開設新的辦事處。作為一家外商獨資企業(yè)(WFOE)，Transphorm的深圳辦事處將負責加強當?shù)乜蛻糁С?、銷售和市場營銷工作，另外，該辦事處將作為當?shù)刂С挚蛻糸_發(fā)氮化鎵電源系統(tǒng)的應用實驗室，并同時支持全球研發(fā)工作。深圳辦事處將由Transphorm
  • 關鍵字： Transphorm  氮化鎵  

Transphorm拓展中國區(qū)業(yè)務, 擴大氮化鎵應用實驗室

  • 加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布在中國深圳開設新的辦事處。作為一家外商獨資企業(yè)(WFOE)，Transphorm的深圳辦事處將負責加強當?shù)乜蛻糁С?、銷售和市場營銷工作，另外，該辦事處將作為當?shù)刂С挚蛻糸_發(fā)氮化鎵電源系統(tǒng)的應用實驗室，并同時支持全球研發(fā)工作。深圳辦事處將由Transphorm現(xiàn)任亞洲銷售副總裁Kenny Yim管理，他同時也擔任中國區(qū)總經理一職。Trans
  • 關鍵字： Transphorm  氮化鎵  

好馬配好鞍——鎵未來氮化鎵和納芯微隔離驅動器比翼雙飛，助力氮化鎵先進應用

  • 未來已來，氮化鎵的社會經濟價值加速到來。 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅動器配合，隔離驅動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件的有效保護，完美展現(xiàn)了氮化鎵在先進應用中高效率低損耗的核心價值，讓工程師放心無憂采用氮化鎵。 普通消費者了解并接受氮化鎵，是從2018年氮化鎵PD快充開始的。憑借氮化鎵卓越的開關特性，可以高頻工作，實現(xiàn)高轉換效率，氮化鎵PD快充成功實現(xiàn)了小型化和輕量化，消費者易于攜帶，用戶體驗大幅度提升。在過去
  • 關鍵字： 氮化鎵  納芯微  隔離驅動器  

PI相約德國慕尼黑電子展 推出新款可編程小型電源IC

  •       德國時間2022年11月15日，Power Integrations亮相德國慕尼黑電子展，并推出了新款可編程、小巧及高效的零電壓開關電源IC——InnoSwitch4-Pro產品系列。了解PI產品的讀者肯定會記得，在上一代系列產品InnoSwitch3-Pro中，輸出功率為65W，適用于包括USB功率傳輸(PD)3.0 + PPS、Quick Charge? 4/4+、AFC、VOOC、SCP、FCP，以及其他工業(yè)和消費類電池充電器、可調光LED鎮(zhèn)流器驅
  • 關鍵字： 德國慕尼黑電子展  開關電源IC  氮化鎵  InnoSwitch4-Pro  

SEMICON China | 探討熱點與前沿技術 ，功率及化合物半導體論壇2022圓滿舉辦

  • 11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半導體國際論壇2022”在上海國際會議中心成功舉辦。共有19位來自功率及化合物半導體產業(yè)鏈領先企業(yè)的講師親臨現(xiàn)場做報告分享。此次論壇重點討論的主題包括：開幕演講，化合物半導體與光電及通訊，寬禁帶半導體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國區(qū)總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示：“在大家的支持下，功率及化合物半導體國際論壇從2016年開始首辦，今年已經是第七屆。在嚴格遵守防疫規(guī)定的前提下，希望大家能在SEMI的平臺上充分交流。不經歷風雨，怎么能
  • 關鍵字： 碳化硅  氮化鎵  InP  

EPC新推150V封裝兼容的氮化鎵器件，讓高功率密度應用實現(xiàn)靈活設計

  • 宜普電源轉換公司(EPC)推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET，讓高功率密度應用實現(xiàn)更高的性能和更小的解決方案，包括DC/DC轉換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優(yōu)化器和微型逆變器，以及電機驅動器。?EPC 是增強型氮化鎵(eGaN?)功率FET和 IC 領域的全球領導者，新推采用更耐熱的QFN封裝且可立即發(fā)貨的150 V EPC2308氮化鎵器件，用于電動工具和機器人的電機驅動器、用于工業(yè)應用的80 V/100 V高功率密度DC/DC轉換器、用于充電器、適配器和電源供
  • 關鍵字： EPC  氮化鎵  高功率密度  

能華推出高可靠性65W氮化鎵筆電適配器方案

  • 　　前言　　最近充電頭網拿到了一款基于能華CE65H160TOAI氮化鎵功率器件的65W筆電適配器方案樣品，該方案是為配合工信部國產替代政策而設計?！　≡摲桨覆捎媚贪咨耐鈿?，方形，給人簡約時尚感覺；其內部采用卡扣散熱設計方案，裝配緊湊牢固、安裝方式簡單，免除其它散熱方案所需要的生產夾具，降低生產成本，利于規(guī)模化的生產制造；再加上能華的低熱阻封裝TO-220的CoreGaN產品，使得系統(tǒng)的熱可靠性大為提高，已經通過了環(huán)溫40°下的嚴苛可靠性測試。下面就隨小編來詳細了解該方案?！　∧苋A65W快充外觀　　能華
  • 關鍵字： 拆解  筆電  充電器  氮化鎵  

友尚新推采用安森美NCP1345搭配氮化鎵系統(tǒng)的65瓦PD電源方案_大幅精簡線路與提高功率密度

  • NCP1345是次世代高度集成的準共振Flyback, 適用于設計高性能電源轉換器為了單純adapter 或 adapter with USB-PD (type?C or type-A) , 或 openframe 等電源轉換器, 包括雙 VCC 架構, 允許直接連接到輔助繞組, 以進行簡化 VCC 管理零件計數(shù)減少并增加性能。CP1345 還具有精確的基于主要一次側的輸出限制電路，以確保恒定輸出電流限制,無論設計輸出電壓或輸出功率如何。準共振 (QR）專有波谷鎖定電路，以確保穩(wěn)定的波谷切換,當下降到第6
  • 關鍵字： onsemi  電源轉換  NCP1345  氮化鎵  

世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源

  • 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
  • 關鍵字： GaN  氮化鎵  SiC  碳化硅  NCP51561  onsemi  

除了氮化鎵，快充技術還須關注哪些領域？

  • 硅材料制作的功率器件，也被稱為第一代半導體，而砷化鎵（GaAs）等材料制作的功率器件，則被成為第二代半導體，第二代半導體在高頻性能上優(yōu)于硅器件，通常用于射頻應用。氮化鎵（GaN）或碳化硅（SiC）器件也被成為第三代半導體，其禁帶寬度約是硅器件的3倍，擊穿場強約是硅器件的10倍，因而具有更高的耐壓能力以及更低的導通壓降，轉換效率高，也更適應高溫工作環(huán)境。與硅材料和SiC相比，GaN材料電子飽和漂移速率更高，適合高頻率應用場景，因而在電力電子應用中，GaN器件可以在MHz以上頻率工作，大大減小了對外圍電路中電
  • 關鍵字： 貿澤電子  快充技術  氮化鎵  

第三代半導體擴產，硅的時代要結束了嗎

  • 半導體寒氣襲人知誰暖？芯片行業(yè)的砍單潮已經將寒氣傳遞給了眾多企業(yè)，三星半導體部門負責人Kyung Kye-hyun就預計芯片銷售大幅下滑態(tài)勢將延續(xù)至明年；野村證券最近也將今年全球芯片出貨成長率由原先預估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%擴大至衰退6%；費城半導體指數(shù) (SOX)近6個月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此時，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料卻在迎來市場倍增與產能擴張。 安森美二季度財報發(fā)布后，就將其2022年碳化硅營收預期上調為“同比增長3倍”，而
  • 關鍵字： 碳化硅  氮化鎵  

hofer powertrain和VisIC Technologies宣布新一代氮化鎵電力電子元件

  • hofer powertrain為新一代電動汽車傳動系統(tǒng)奠定基礎。德國動力系統(tǒng)專家hofer powertrain選擇前瞻性芯片技術，通過汽車領域氮化鎵（GaN）技術領導者VisIC Technologies公司提供最新氮化鎵芯片技術D3GaN（直驅D型）實現(xiàn)新的多級電力電子元件。新解決方案在效率和功率密度方面超過硅基技術的性能，最近的測試證明了它的成功。氮化鎵半導體是提高效率、增加電動汽車行駛里程和壽命的關鍵。hofer powertrain和VisIC Technologies的目標是開發(fā)基于氮化鎵的
  • 關鍵字： hofer powertrain  VisIC Technologies  氮化鎵  電力電子  
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?氮化鎵介紹

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