?氮化鎵 文章 進(jìn)入?氮化鎵技術(shù)社區(qū)
飛宏新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用Transphorm的氮化鎵技術(shù)
- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)宣布,全球電源產(chǎn)品和電動(dòng)汽車充電站供應(yīng)商飛宏(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用了該公司的氮化鎵技術(shù)。這款適配器采用Transphorm的SuperGaN?第四代技術(shù),這是一種氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管(FET)平臺(tái),具有以下優(yōu)點(diǎn):系統(tǒng)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單,元件數(shù)量少,性能更高,可靠性一流。飛宏的65W適配器外形小巧(51 x 55.3 x 29 mm),配備兩個(gè)US
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功率半導(dǎo)體組件的主流爭(zhēng)霸戰(zhàn)
- 功率半導(dǎo)體組件與電源、電力控制應(yīng)用有關(guān),特點(diǎn)是功率大、速度快,有助提高能源轉(zhuǎn)換效率,多年來,功率半導(dǎo)體以硅(Si)為基礎(chǔ)的芯片設(shè)計(jì)架構(gòu)成為主流,碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三類半導(dǎo)體材料出現(xiàn),讓功率半導(dǎo)體組件的應(yīng)用更為多元,效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點(diǎn)高功率組件應(yīng)用研發(fā)聯(lián)盟秘書長(zhǎng)林若蓁博士(現(xiàn)職為臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)研究院研究一所副所長(zhǎng))指出,功率半導(dǎo)體組件是電源及電力控制應(yīng)用的核心,具有降低導(dǎo)通電阻、提升電力轉(zhuǎn)換效率等功用,其中又以MOSFET(金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管)與IGBT(絕緣
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比銀行卡還要小的多,智融推出65W 3C口超薄氮化鎵快充方案
- 前言65W氮化鎵充電器能夠?yàn)槭謾C(jī)和電腦提供理想的快充體驗(yàn),同時(shí)不需要PFC,從成本和體積上都很有優(yōu)勢(shì),是工廠和消費(fèi)者選擇的主力產(chǎn)品。隨著近年來平面變壓器技術(shù)的成熟,通過使用平面變壓器取代傳統(tǒng)繞線變壓器,充電器從常規(guī)的方塊形態(tài)進(jìn)化成為餅干形態(tài),更加便于攜帶。智融科技推出了多款可用于氮化鎵充電器的協(xié)議降壓二合一芯片,在車充和氮化鎵快充中應(yīng)用非常廣泛。智融推出了用于氮化鎵開關(guān)管的初級(jí)主控芯片SW1106,支持直驅(qū)增強(qiáng)型氮化鎵開關(guān)管,進(jìn)一步完善氮化鎵快充產(chǎn)品線,致力于推出一站式氮化鎵快充電源解決方案。充電頭網(wǎng)已經(jīng)
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Transphorm推出參考設(shè)計(jì)組合,加快USB-C PD氮化鎵電源適配器的開發(fā)
- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.?近日宣布推出七款參考設(shè)計(jì),旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發(fā)。該參考設(shè)計(jì)組合包括廣泛的開放式框架設(shè)計(jì)選項(xiàng),覆蓋多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、輸出和功率(45W至140W)。SuperGaN?技術(shù)的差異化優(yōu)勢(shì)?電源適配器參考設(shè)計(jì)采用SuperGaN第IV代650V FET,具有設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、可靠性高和性能強(qiáng)勁的優(yōu)勢(shì),這些特點(diǎn)已經(jīng)成為Transphorm氮化鎵器件的代名詞。在最近的對(duì)比分析中,與1
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氮化鎵集成電路縮小電動(dòng)自行車和無人機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
- 基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)EPC9173無論是在尺寸、性能、續(xù)航里程、精度和扭矩方面,優(yōu)化了電機(jī)系統(tǒng)且簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和加快產(chǎn)品推出市場(chǎng)的時(shí)間。我們可以把這種微型逆變器放進(jìn)電機(jī)外殼中,從而把電磁干擾減到最小、實(shí)現(xiàn)最高的功率密度和最輕的重量。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC9173,它是一款三相無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器,采用具備嵌入式柵極驅(qū)動(dòng)器功能的EPC23101 eGaN?集成電路和一個(gè)3.3 mΩ導(dǎo)通電阻的浮動(dòng)功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管。EPC9173在20 V和85 V之間的輸入電源電壓下工作,峰值電
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EPC新推最小型化的40V、1.1m?場(chǎng)效應(yīng)晶體管,可實(shí)現(xiàn)最高功率密度
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(EPC2066),為設(shè)計(jì)工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。全球行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商宜普電源轉(zhuǎn)換公司 為業(yè)界提供增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN?)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路,新推40 V、典型值為0.8 mΩ的EPC2066氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管,為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。EPC2066的低損耗和小尺寸使其成為用于最新服務(wù)器和人工智能的高功率密度、40 V~60 V/12 V DC/
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Power Integrations的InnoSwitch4-CZ系列高集成度開關(guān)IC已擴(kuò)展至220W
- 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布InnoSwitch?4-CZ系列高頻率、零電壓開關(guān)(ZVS)反激式開關(guān)IC再添新品。當(dāng)與Power Integrations的ClampZero?有源鉗位IC或者最近發(fā)布的HiperPFS?-5氮化鎵功率因數(shù)校正IC搭配使用時(shí),新IC可輕松符合最新的USB PD 3.1標(biāo)準(zhǔn),設(shè)計(jì)出高達(dá)220W的適配器和充電器。“商務(wù)旅行者需要輕便、緊湊、強(qiáng)大的適配器,能夠?yàn)樗麄兯械闹匾O(shè)備快速充電。新型InnoSwitch4-C
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Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg就車規(guī)氮化鎵功率模塊達(dá)成合作
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia近日宣布與國(guó)際著名的為汽車行業(yè)提供先進(jìn)電子器件的供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系,攜手研發(fā)車規(guī)氮化鎵(GaN)功率模塊。雙方長(zhǎng)期保持著緊密的聯(lián)系,此次進(jìn)一步合作的目標(biāo)是共同開發(fā)GaN功率器件在電動(dòng)汽車(EV)上的應(yīng)用。隨著客運(yùn)車輛日益電氣化,市場(chǎng)對(duì)功率半導(dǎo)體的要求也在不斷提高,需要在越來越高的功率密度下提供高效的功率轉(zhuǎn)換。高壓功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)與創(chuàng)新型封裝技術(shù)相結(jié)合,可以滿
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意法半導(dǎo)體和MACOM成功開發(fā)射頻硅基氮化鎵原型芯片,取得技術(shù)與性能階段突破
- ?●? ?產(chǎn)品達(dá)到成本和性能雙重目標(biāo),現(xiàn)進(jìn)入認(rèn)證測(cè)試階段●? ?實(shí)現(xiàn)彈性量產(chǎn)和供貨取得巨大進(jìn)展服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國(guó)防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司(以下簡(jiǎn)稱“MACOM”) 宣布,射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功?;谶@一成果,意法半導(dǎo)體和MACOM將繼續(xù)攜手,深化合作。射頻硅基氮化
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新一代單片式整合氮化鎵芯片 升級(jí)功率電路性能
- 在這篇文章里,imec氮化鎵電力電子研究計(jì)劃主持人Stefann Decoutere探討在200V GaN-on-SOI智能功率芯片(IC)平臺(tái)上,整合高性能蕭基二極管與空乏型高電子遷移率晶體管(HEMT)的成功案例。該平臺(tái)以p型氮化鎵(GaN)HEMT制成,并成功整合多個(gè)GaN組件,將能協(xié)助新一代芯片擴(kuò)充功能與升級(jí)性能,推進(jìn)GaN功率IC的全新發(fā)展。同時(shí)提供DC/DC轉(zhuǎn)換器與負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器所需的開發(fā)動(dòng)能,進(jìn)一步縮小組件尺寸與提高運(yùn)作效率。電力電子半導(dǎo)體的最佳解答:氮化鎵(GaN)過去
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EPC新推最小型化的100 V、2.2 m?氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(EPC2071),為設(shè)計(jì)工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。全球行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商宜普電源轉(zhuǎn)換公司為業(yè)界提供增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN?)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路,最新推出100 V、典型值為1.7 mΩ?的EPC2071氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管,為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。?EPC2071是面向要求高功率密度的應(yīng)用的理想器件,包括用于新型服務(wù)器和人工智能的
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意法半導(dǎo)體首款氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器瞄準(zhǔn)下一代50W高能效電源設(shè)計(jì)
- VIPERGAN50是意法半導(dǎo)體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達(dá)50?W功率的產(chǎn)品。這也是ST首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件。得益于650 V GaN器件,VIPERGAN50在自適應(yīng)間歇工作模式(burstmode) 開啟的情況下,待機(jī)功耗低于30 mW。此外,該器件的保護(hù)功能可提高穩(wěn)健性并有助于減少所用的物料。QFN5x6 mm封裝也使其成為業(yè)內(nèi)同等功率輸出中封裝最小的器件之一。VIPERGAN50已批量供貨,配有USB-PD供電端口的開
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第三代半導(dǎo)體核芯氮化鎵,何時(shí)紅透半邊天?
- 半導(dǎo)體研究隨著以空間技術(shù)、計(jì)算機(jī)為導(dǎo)向的第三次科技革命(1950年)拉開帷幕。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為知識(shí)技術(shù)高度密集、資金密集、科研密集型產(chǎn)業(yè),由上游(半導(dǎo)體材料)、中游(光電子、分立器件、傳感器、集成電路)、下游(終端電子產(chǎn)品)組成。第一代半導(dǎo)體材料:硅、鍺元素。金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)已在各類電子器件、集成電路中廣泛應(yīng)用。第二代半導(dǎo)體材料:砷化鎵、磷化銦等化合物。禁帶寬度比第一代半導(dǎo)體材料大,但擊穿電壓不夠高,在高溫、高功率下應(yīng)用效果不理想,砷化鎵源材料有
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射頻硅基氮化鎵:兩個(gè)世界的最佳選擇
- 當(dāng)世界繼續(xù)努力追求更高速的連接,并要求低延遲和高可靠性時(shí),信息通信技術(shù)的能耗繼續(xù)飆升。這些市場(chǎng)需求不僅將5G帶到許多關(guān)鍵應(yīng)用上,還對(duì)能源效率和性能提出了限制。5G網(wǎng)絡(luò)性能目標(biāo)對(duì)基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件提出了一系列新的要求,增加了對(duì)高度可靠的射頻前端解決方案的需求,提高了能源效率、更大的帶寬、更高的工作頻率和更小的占地面積。在大規(guī)模MIMO(mMIMO)系統(tǒng)的推動(dòng)下,基站無線電中的半導(dǎo)體器件數(shù)量急劇增加,移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商在降低資本支出和運(yùn)營(yíng)支出方面面臨的壓力更加嚴(yán)峻。因此,限制設(shè)備成本和功耗對(duì)于高效5G網(wǎng)絡(luò)的安裝和
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從手機(jī)快充到電動(dòng)汽車,氮化鎵功率半導(dǎo)體潛力無限
- 近期,蘋果“爆料大神”郭明錤透露,蘋果可能年某個(gè)時(shí)候推出下一款氮化鎵充電器,最高支持30W快充,同時(shí)采用新的外觀設(shè)計(jì)。 與三星、小米、OPPO等廠商積極發(fā)力氮化鎵快充產(chǎn)品相比,蘋果在充電功率方面一直較為“保守”。去年10月,伴隨新款MacBook Pro的發(fā)布,蘋果推出了140W USB-C電源適配器(下圖),這是蘋果首款采用氮化鎵材料的充電器,售價(jià)729元。圖片來源:蘋果 如今,蘋果有望持續(xù)加碼氮化鎵充電器,氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)有望迎來高歌猛進(jìn)式發(fā)展。手機(jī)等快充需求上升,氮化鎵功率市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)1
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?氮化鎵介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)?氮化鎵的理解,并與今后在此搜索?氮化鎵的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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