?nand flash 文章進(jìn)入?nand flash技術(shù)社區(qū)

SPI Flash M25P32 的TFFS文件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

TFFS文件系統(tǒng)中的Core Layer內(nèi)核層可將其他層連接起來(lái)協(xié)同工作；翻譯層主要實(shí)現(xiàn)DOS和TFFS之間的交互、管理文件系統(tǒng)和Flash各個(gè)物理塊的關(guān)系，同時(shí)支持TFFS的各種功能，如磨損均衡、錯(cuò)誤恢復(fù)等；MTD層執(zhí)行底層的程序驅(qū)動(dòng)(map、read、write、erase等)；socket層的名稱來(lái)源于可以插拔的socket存儲(chǔ)卡，主要提供與具體的硬件板相關(guān)的驅(qū)動(dòng)。
關(guān)鍵字：文件系統(tǒng) Flash SOCKET

Flash硬件接口和程序設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵技術(shù)

閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優(yōu)點(diǎn)廣泛地應(yīng)用于辦公設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、家用電器等領(lǐng)域。介紹了Flash的使用方法，并給出了單片機(jī)與閃速存儲(chǔ)器接口和程序設(shè)計(jì)中應(yīng)注意的關(guān)鍵技術(shù)。
關(guān)鍵字：編程接口 Flash 擦除

大容量NOR Flash與8位單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)

Flash存儲(chǔ)器又稱閃速存儲(chǔ)器，是20世紀(jì)80年代末逐漸發(fā)展起來(lái)的一種新型半導(dǎo)體不揮發(fā)存儲(chǔ)器。它兼有RAM和ROM的特點(diǎn)，既可以在線擦除、改寫，又能夠在掉電后保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。NOR Flash是Flash存儲(chǔ)器中最早出現(xiàn)的一個(gè)品種，與其他種類的Flash存儲(chǔ)器相比具有以下優(yōu)勢(shì)：可靠性高、隨機(jī)讀取速度快，可以單字節(jié)或單字編程，允許CPU直接從芯片中讀取代碼執(zhí)行等。因此NOR Flash存儲(chǔ)器在嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用開(kāi)發(fā)中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單
關(guān)鍵字： NOR Flash 接口單片機(jī)

F1aSh存儲(chǔ)器在TMS320C3X系統(tǒng)中的應(yīng)用

以基于TMS320C32 DSP開(kāi)發(fā)的故障錄波裝置為模型，介紹AMD公司的Flash存儲(chǔ)器Am29F040摘要的原理和應(yīng)用；利用它的操作過(guò)程實(shí)現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在F1ash存儲(chǔ)器內(nèi)的特性，結(jié)合TMS320C3x提出實(shí)現(xiàn)DSP系統(tǒng)上電后用戶程序的自動(dòng)引導(dǎo)的方法。
關(guān)鍵字： DSP Flash TI

Flash數(shù)據(jù)丟失，說(shuō)好的數(shù)據(jù)去哪了？

芯片貼板后跑不起來(lái)？Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過(guò)程中莫名改變或不翼而飛？程序丟失可能無(wú)法正常運(yùn)行，從而造成整個(gè)系統(tǒng)崩潰，下面我們來(lái)看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化。
關(guān)鍵字：電源電壓 Flash MCU

Gartner：2016年全球半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)2.6%

　　全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問(wèn)公司Gartner的研究顯示，2016年全球半導(dǎo)體收入總計(jì)3,435億美元，較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業(yè)并購(gòu)潮的影響下，前二十五大半導(dǎo)體廠商總收入增加10.5%，表現(xiàn)遠(yuǎn)優(yōu)于整體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)率?！　artner研究總監(jiān)James Hines表示：“2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)回彈。雖然其年初因受到庫(kù)存調(diào)整的影響而表現(xiàn)疲軟，但下半年需求增強(qiáng)，定價(jià)環(huán)境得到改善。助力全球半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)的因素包括多項(xiàng)電子設(shè)備部門產(chǎn)量的增加、NAND閃存售價(jià)的上揚(yáng)及相對(duì)溫和的
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND

物聯(lián)網(wǎng)風(fēng)起我國(guó)亟需建設(shè)自主存儲(chǔ)

　　“物聯(lián)網(wǎng)”是指連接到互聯(lián)網(wǎng)的傳感器，通過(guò)開(kāi)放的專用連接、自由共享數(shù)據(jù)和允許非預(yù)期應(yīng)用程序，以互聯(lián)網(wǎng)的方式行事，因此電腦可以了解周圍的世界，成為類似人類的神經(jīng)系統(tǒng) ”凱文·阿什頓說(shuō)(這個(gè)術(shù)語(yǔ)的發(fā)明者)。　　在我們的上一篇文章中，我們考慮了IoT的潛力——也被稱為“一切互聯(lián)網(wǎng)” ——在接下來(lái)的十年中，將推動(dòng)NAND銷售，從而使Micron的利潤(rùn)得以增加。本文將對(duì)體系架構(gòu)及其與內(nèi)存
關(guān)鍵字：物聯(lián)網(wǎng) NAND

東芝出售半導(dǎo)體導(dǎo)致NAND短缺惡化？韓媒：三星最受惠

　　東芝(Toshiba Corp.)決定出售半導(dǎo)體事業(yè)，但競(jìng)標(biāo)者眾、過(guò)程冗長(zhǎng)，如此一來(lái)，韓國(guó)廠商反倒會(huì)成為最大受惠者? 　　韓聯(lián)社 24 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，Shinhan Investment 研究員 Choi Do-yeon 發(fā)表研究報(bào)告指出，東芝的 3D NAND 快閃存儲(chǔ)器投資計(jì)劃勢(shì)必將因此延后，這會(huì)讓供給短缺更形惡化，也為三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK 海力士(SK hynix Inc.)制造更多擴(kuò)產(chǎn)良機(jī)。　　美國(guó)硬盤機(jī)制造巨擘 Western Digital(WD
關(guān)鍵字：東芝 NAND

中國(guó)必須建設(shè)自主存儲(chǔ)，為什么？

在即將到來(lái)的物聯(lián)網(wǎng)的世界里，NAND的應(yīng)用會(huì)非常廣泛，作用也會(huì)愈發(fā)重要，出現(xiàn)的各種裝置和新興應(yīng)用都會(huì)用到NAND。
關(guān)鍵字： NAND 長(zhǎng)江存儲(chǔ)

東芝是大股東的群聯(lián)董事長(zhǎng)：東芝芯片會(huì)賣給日資

　　東芝半導(dǎo)體事業(yè)各路人馬搶親，包括鴻海集團(tuán)等展現(xiàn)高度意愿，東芝是群聯(lián)大股東，對(duì)于東芝內(nèi)存出售案，但長(zhǎng)期和東芝半導(dǎo)體合作的群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成分析，東芝不可能被單一企業(yè)或公司買下。他推斷最后結(jié)果，將會(huì)由日本境內(nèi)私募基金或現(xiàn)有股東拿下，仍會(huì)維持原有東芝控制權(quán)，再讓部分策略合作伙伴持有少數(shù)股權(quán)入股。　　潘健成強(qiáng)調(diào)，東芝半導(dǎo)體和早期的爾必達(dá)破產(chǎn)不一樣，東芝半導(dǎo)體是東芝最賺錢的事業(yè)體，而且東芝的儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)也是日本最引以為傲的技術(shù)，引發(fā)東芝財(cái)務(wù)危機(jī)的是核電事業(yè)，因此切割半導(dǎo)體事業(yè)獨(dú)立新公司
關(guān)鍵字：東芝 NAND

傳三星今年資本支出較去年增長(zhǎng)85.6%達(dá)219.5億美元

　　三星登上全球半導(dǎo)體龍頭，不惜砸重金投入研發(fā)，傳今年資本支出將大幅增加逾 10 兆韓圜。　　新韓投資(Shinhan Investment Corp)日前發(fā)布報(bào)告預(yù)測(cè)，三星今年半導(dǎo)體資本支出將擴(kuò)增至 24.5 兆韓圜(約 219.5 億美元)，較 2016 年成長(zhǎng) 85.6%，且將超越 2015 年的 14.7 兆韓圜成為三星史上新高。　　存儲(chǔ)器目前供不應(yīng)求，也是三星今年布局的重點(diǎn)，預(yù)料將占據(jù)資本支出的一半左右。據(jù)新韓分析師預(yù)測(cè)，光是 NAND 快閃存儲(chǔ)器，三星就將砸下 12.05 兆韓圜(約
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3D NAND延續(xù)摩爾定律電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵

　　DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過(guò)3DNAND Flash制程，無(wú)論是效能及儲(chǔ)存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導(dǎo)體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項(xiàng)重要技術(shù)。　　3D NAND Flash依存儲(chǔ)元件儲(chǔ)存機(jī)制可分浮動(dòng)閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲(chǔ)存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
關(guān)鍵字：摩爾定律 3D NAND

麥格理分析師：DRAM和Flash價(jià)格會(huì)持續(xù)漲到年底

　　據(jù)外媒報(bào)道，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上周出現(xiàn)降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。　　他認(rèn)為下半年DRAM和NAND價(jià)格仍會(huì)續(xù)漲，有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價(jià)。　　據(jù)巴隆周刊(Barron's)報(bào)導(dǎo)，Daniel Kim發(fā)布報(bào)告說(shuō)：「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)今年下半年會(huì)比預(yù)期更強(qiáng)。」他看好存儲(chǔ)芯片價(jià)格會(huì)持續(xù)漲到今年底。　　整體來(lái)說(shuō)，Daniel Kim認(rèn)為芯片價(jià)格上漲，即暴露看空論點(diǎn)的瑕疵。　　他指出，建構(gòu)數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
關(guān)鍵字： DRAM Flash

日美“卡脖子” 國(guó)產(chǎn)大存儲(chǔ)崛起能否取得成功？

　　小時(shí)候并不知道為什么唐僧要取經(jīng),取的什么經(jīng)?后來(lái)知道了,唐僧要的是所謂“大乘佛法”,簡(jiǎn)單說(shuō)就是普度眾生,救民于水火。既有這樣的佛法,孫悟空何不多翻幾個(gè)筋斗,快快取來(lái)就是,為什么非要肉體凡胎的唐僧不辭勞苦、跋山涉水呢?難道上天就沒(méi)有好生之德嗎?還要設(shè)置各種妖怪來(lái)?yè)v亂,豈不是折騰人嗎? 　　上天當(dāng)然會(huì)有好生之德,這沒(méi)有什么好懷疑的。至于為什么折騰唐僧,并不是上天要以此為樂(lè),所謂天機(jī)不可泄漏,九九八十一難其實(shí)就是真經(jīng)的一部分,對(duì)嗎? 　　其實(shí)現(xiàn)實(shí)生活也是如此。　　前不久,美國(guó)
關(guān)鍵字：晶圓 NAND

2019量產(chǎn)64層NAND閃存紫光絕不讓員工竊取前公司機(jī)密

　　國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁，把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額)，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。為了讓國(guó)產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展，不少公司都在努力。挖來(lái)臺(tái)灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)開(kāi)始全速狂飆。　　近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。對(duì)于目前行業(yè)的現(xiàn)狀，高啟全強(qiáng)調(diào)國(guó)內(nèi)公司應(yīng)該臺(tái)灣公司在存儲(chǔ)芯片上應(yīng)該合作，因?yàn)榇蠹业淖畲?/li>
關(guān)鍵字：紫光 NAND