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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ?nand flash

打破市場壟斷 國產(chǎn)32層堆棧3D閃存將于2019年量產(chǎn)

  • 　　NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷，中國公司在此領(lǐng)域毫無話語權(quán)，甚至連收購、合作外資公司都沒可能，想獲得突破還得靠國產(chǎn)公司自立。紫光公司主導的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預計2020年會在技術(shù)趕超國際領(lǐng)先的閃存公司。 　　長江存儲科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，
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三星穩(wěn)居全球NAND Flash龍頭地位 估供應吃緊整年

  • 　　市調(diào)機構(gòu)集邦科技預期，今年儲存型快閃存儲器(NAND Flash)整年都將維持供應吃緊的情況，NAND Flash廠商業(yè)績可望逐季攀高。 　　集邦科技調(diào)查，隨著NAND Flash缺貨達到高峰，產(chǎn)品平均售價走揚，加上終端出貨暢旺，去年第4季NANDFlash產(chǎn)值達120.45億美元，季增達17.8%，各NANDFlash廠獲利也攀上去年高峰。 　　集邦科技指出，三星去年第4季市占率37.1%，穩(wěn)居全球NAND Flash龍頭地位;東芝市占率18.3%，居第2大廠;西部數(shù)據(jù)市占率17.7%，居第3大
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發(fā)展3D NAND閃存的意義

  • “首屆IC咖啡國際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會”于2017年1月14日在上海召開，長江存儲集團公司CEO楊士寧介紹了對存儲器市場的看法，及選擇3D NAND閃存作為主打產(chǎn)品的戰(zhàn)略思考。
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  3D NAND  DRAM  20170203  

各大廠搶進3D NAND致存儲器價格大漲

  • 　　據(jù)海外媒體報道，去年下半年以來NANDFlash市場供不應求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2DNANDFlash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進3DNAND，但3DNAND生產(chǎn)良率不如預期，2DNAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NANDFlash市場出現(xiàn)貨源不足問題，價格也因此明顯上漲。 　　不過，隨著3DNAND加速量產(chǎn)，下半年產(chǎn)能若順利開出，將成為NANDFlash市場最大變數(shù)。 　　2DNANDFlash制程持續(xù)往1y/1z納米進行微縮，如三星及SK海力士去年已轉(zhuǎn)進14納米，東芝及西部數(shù)據(jù)(WD)進入15納米，美光導
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比NAND閃存更快千倍 40nm ReRAM在中芯國際投產(chǎn)

  • 　　非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存(ReRAM)開發(fā)商CrossbarInc.利用非導電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料，并透過電場轉(zhuǎn)換機制，開發(fā)出號稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件，同時就像先前在2016年所承諾地如期實現(xiàn)量產(chǎn)。 　　根據(jù)Crossbar策略營銷與業(yè)務發(fā)展副總裁SylvainDubois表示，專為嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存(eNVM)應用而打造的CrossbarReRAM提供了更高性能，密度比DRAM更高40倍，耐久度與寫入速度更高1，000倍，單芯片尺寸約200mm2左右，即可實現(xiàn)高達
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迎需求熱潮！三星或追投西安3D NAND廠43億美元

  • 　　據(jù)海外媒體報道，傳三星電子于2017～2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。 　　Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出，三星與大陸政府正針對西安廠第二期投資進行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設備及人力費用。 　　三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的2
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東芝分拆半導體業(yè)務 提升東芝/西數(shù)陣營的NAND Flash競爭力

  • 　　集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查顯示，東芝公司為提升半導體業(yè)務競爭力，已正式宣布將在今年三月三十一日前將完成分拆內(nèi)存業(yè)務。預期分拆出來的新公司將有更多經(jīng)營彈性及更佳的籌資能力，長期而言對東芝/西數(shù)(Western Digital)電子陣營在NAND Flash產(chǎn)能提升、產(chǎn)品開發(fā)均有所幫助。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，東芝公司這一做法，一方面為的是應付日漸沉重的產(chǎn)業(yè)競爭環(huán)境，另一方面是為緩解經(jīng)營壓力，并滿足籌措營運資金的需求。從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來看，DRAMeX
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傳SK海力士有意投資東芝新存儲器公司

  • 　　據(jù)報道，東芝(Toshiba)慘虧，將分拆旗下賺錢的半導體部門，成立新公司，賣股籌錢。由于東芝是全球NAND Flash二哥，各方都興趣濃厚。據(jù)傳韓國存儲器大廠SK海力士(SK Hynix)有意投資，借此強化NAND Flash布局。 　　韓媒BusinessKorea 24日報導，業(yè)界專家表示，SK海力士可能會投資東芝獨立出來的存儲器公司，取得決定NAND Flash表現(xiàn)的控制器技術(shù)。東芝在NAND市場表現(xiàn)出色，去年第三季市占率為19.8%，僅次于龍頭三星電子(36.6%)。SK海力士落后，市占排
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NOR Flash也要漲價 元器件供應鏈為何進入缺貨周期？

  • 從2016年下半年開始，包括CPU、內(nèi)存、屏幕、CMOS Sensor在內(nèi)的眾多電子元器件都進入了缺貨周期，這樣就給終端制造商帶來了成本壓力，最終這個壓力就轉(zhuǎn)移到了消費者身上，引起蝴蝶效應。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND   

新興市場智能手機需求增　2017年NAND供貨仍吃緊

  • 　　隨著全球?qū)τ谑謾C、電腦、汽車等消費性產(chǎn)品需求持續(xù)增強，NAND FLASH始終處于供不應求的情況，特別是印度、印尼及越南等新興智慧手機市場，當?shù)叵M者智慧手機持有率大增，進而使得NAND FLASH需求大幅攀升。因此，預計2017年NAND FLASH全年供貨仍將持續(xù)吃緊，特別是在第2、3季最為嚴重。 　　群聯(lián)董事長潘建成表示，預計NAND FLASH今年將持續(xù)缺貨，特別是在第2、第3季最為明顯，原因在于手機、電腦、汽車等終端消費性產(chǎn)品需求仍舊強勁。因應此一情況，有些記憶體業(yè)者將部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)去做3D
  • 關(guān)鍵字： SSD  NAND   

2017年中國興建晶圓廠支出金額將超40億美元

  • 　　根據(jù) SEMI (國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會) 的最新研究數(shù)據(jù)表示，當前中國正掀起興建晶圓廠的熱潮，預估 2017 年時，中國興建晶圓廠的支出金額將超過 40 億美元，占全球晶圓廠支出總金額的 70%。而來到2018年，中國建造晶圓廠相關(guān)支出更將成長至 100 億美元，而其中又將以晶圓代工占其總支出的一半以上。 　　SEMI 中國臺灣地區(qū)產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆指出，2017 年全球半導體產(chǎn)產(chǎn)值可望達到 7.2% 的年成長率。其中，存儲為其中成長的關(guān)鍵。而未來 5 年之內(nèi)，全球半導體產(chǎn)業(yè)仍將持續(xù)成長，到了 2
  • 關(guān)鍵字： 晶圓  NAND   

賽普拉斯子公司AgigA Tech宣布推出符合JEDEC標準的DDR4 NVDIMM-N解決方案

  • 　　賽普拉斯半導體公司旗下子公司，高速、高容量和免電池非易失性存儲器解決方案領(lǐng)先提供商AgigA Tech公司今日宣布，正式發(fā)布其符合JEDEC標準的AGIGARAM? DDR4 NVDIMM-N系列解決方案。該解決方案與AgigA業(yè)界領(lǐng)先的在JEDEC 標準發(fā)布之前就已量產(chǎn)的傳統(tǒng)DDR4 NVDIMM產(chǎn)品一起，為最新公布的NVDIMM-N解決方案JEDEC標準(JESD248和JESD245A)提供了一系列完整的交鑰匙式模塊產(chǎn)品和控制器解決方案?！　g
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盤點+分析：Flash原廠2016年財報

  • 2016年Flash原廠加速向3D NAND切換，除了研發(fā)成本增加，切換過程中也很容易出現(xiàn)產(chǎn)能損失，同時還需要更新舊設備，增加新設備，以及擴大生產(chǎn)空間，從而導致Flash原廠NAND Flash產(chǎn)出減少，以及投資成本增加。
  • 關(guān)鍵字： Flash  三星  

存儲器國產(chǎn)化為何選3D NAND作為突破口？

  • 　　在上海一場以“匠心獨運，卓越創(chuàng)芯”為主題的IC技術(shù)峰會上，長江存儲CEO楊士寧先生參會并發(fā)表了題為《發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考》的演講。在演講中，他對為什么選擇發(fā)展存儲、為什么選擇3D NAND Flash作為突破口、還有3D NAND Flash將面臨什么樣的挑戰(zhàn)等問題，作了深刻的分析。   　　為什么中國要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè) 　　在詳細介紹為什么中國要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)之前，楊士寧首先對存儲產(chǎn)業(yè)的整體狀況作了一個分析。根據(jù)他的說法，在全球的半導體存儲產(chǎn)品中，NAND 和
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  NAND  

DRAM/NAND價格回升 存儲器產(chǎn)值今年將增10%

  • 　　在2015、2016連續(xù)兩年下跌后，DRAM和NAND Flash存儲器平均銷售價格(ASP)正穩(wěn)健走揚，研究機構(gòu)IC Insights認為，此將有助推升2017年存儲器市場銷售規(guī)模，預估整體產(chǎn)值可達853億美元新高紀錄，較2016年成長10%;2020年更可望首度攀至千億美元大關(guān)。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  
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