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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ?nand flash

Flash芯片你都認(rèn)識嗎？

  • 　　Flash存儲器，簡稱Flash，它結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還不會因斷電而丟失數(shù)據(jù)，具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點(diǎn);在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場上，F(xiàn)lash總類可謂繁多，功能各異，而你對它了解有多少呢?　　為了讓大家更深入了解Flash，今天將主要根據(jù)芯片的通信協(xié)議并且結(jié)合Flash的特點(diǎn)，給大家一個全新認(rèn)識。　　一、IIC?EEPROM　　IIC?EEPROM，采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點(diǎn)：簡單的兩條總線線路，一條串行數(shù)據(jù)線(SDA)
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Flash與SAS硬碟價格2015年恐現(xiàn)死亡交叉

  • 　　資料儲存解決方案大廠NetApp表示，經(jīng)由云端與Flash兩股推力驅(qū)動，讓近年IT基礎(chǔ)架構(gòu)進(jìn)入新一波的轉(zhuǎn)型期，其中2016年經(jīng)由融合式基礎(chǔ)架構(gòu)(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系統(tǒng)工具應(yīng)用性竄升，將讓2016年成為IT的精簡之年。 　　此外值得注意的是，TLC架構(gòu)的Flash存儲器借由需求性提升及單位成本快速下降，預(yù)期今年每GB的FLash價格也將較SAS硬碟更低，并讓All Flash資料中心的將進(jìn)入主流儲存領(lǐng)
  • 關(guān)鍵字： Flash  SAS  

2016年迎3D NAND技術(shù)拐點(diǎn)，誰輸在起跑線？

  • 　　為了進(jìn)一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn)，但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限，加快向3D技術(shù)導(dǎo)入已迫在眉睫，2016年將真正迎來NAND Flash技術(shù)拐點(diǎn)。 　　1、積極導(dǎo)入48層3D技術(shù)量產(chǎn)，提高成本競爭力 　　與2D工藝相比，3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達(dá)128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。 　
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主流NAND Flash制程轉(zhuǎn)進(jìn)遇瓶頸 閃迪/美光/Intel怎么樣了？

  • 除供過于求價格下滑幅度加劇，現(xiàn)階段主流NANDFlash制程轉(zhuǎn)進(jìn)已遇到瓶頸，另外開發(fā)與生產(chǎn)過程良率不佳的問題，制程轉(zhuǎn)進(jìn)所帶來的成本下滑效益逐漸縮減。
  • 關(guān)鍵字： NAND  美光  

2015年第四季NAND品牌商營收/利潤衰退

  • 　　2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價下滑9~10%外，智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預(yù)期，也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴(kuò)大至10~11%。 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機(jī)構(gòu)研究協(xié)理楊文得表示，除價格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash製程轉(zhuǎn)進(jìn)已遇到瓶頸，三星(Sam
  • 關(guān)鍵字： NAND  三星  

2015年第四季NAND廠商營收排行

  • 　　2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價下滑9~10%外，智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預(yù)期，也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴(kuò)大至10~11%。 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機(jī)構(gòu)研究協(xié)理楊文得表示，除價格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash制程轉(zhuǎn)進(jìn)已遇到瓶頸，三星(Sam
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運(yùn)用材料工程解決半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)拐點(diǎn)的挑戰(zhàn)

  • 　　今年，半導(dǎo)體行業(yè)將迎來幾大重要的技術(shù)拐點(diǎn)。存儲器制造商正逐步轉(zhuǎn)向3D NAND技術(shù)，從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲設(shè)備。我們預(yù)計2016年所有主要存儲器制造商都將實(shí)現(xiàn)3D NAND器件的批量生產(chǎn)。 　　由平面結(jié)構(gòu)向3D NAND器件的過渡將帶來一系列生產(chǎn)工藝上的新要求，促進(jìn)了由材料所推動的芯片尺寸縮微，推升了對新材料、新工藝技術(shù)的需求。在這個背景下，對厚度和一致性能夠進(jìn)行精確的、原子級層到層控制的新型沉積和蝕刻設(shè)備，對于制造多層堆疊存儲單元來說至關(guān)重要。此外，隨著越來越多支持圖案
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國內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)開始崛起 主控芯片廠商最有希望拔得頭籌

  • 　　2015年中國半導(dǎo)體廠商在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的布局與投資逐漸加溫。除了在晶圓制造端的布局外，主控芯片得益于在整體NANDFlash產(chǎn)業(yè)極大的戰(zhàn)略地位，也將成為下一波中國半導(dǎo)體業(yè)值得關(guān)注的焦點(diǎn)。 　　TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，在營運(yùn)上中國國產(chǎn)主控芯片廠商除直接銷售芯片外，多半推出完整的固態(tài)硬盤解決方案以便直接切入市場應(yīng)用。主要目標(biāo)客戶群多以企業(yè)級存儲、政府機(jī)關(guān)與國防軍工等原先合作關(guān)系密切，或是有投資關(guān)系的戰(zhàn)略伙伴為主。產(chǎn)品開發(fā)則傾力下個世代
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慧榮科技攜嵌入式存儲和圖形產(chǎn)品亮相2016嵌入式世界展會

  • 　　在設(shè)計和推廣固態(tài)存儲設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation,)于2月23至25日在德國紐倫堡舉行的2016嵌入式世界展會，在1號廳160號展臺向業(yè)界展示其針對汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的各種嵌入式存儲及圖形解決方案?！　』蹣s科技展臺將展出如下產(chǎn)品：　　Ferri-eMMC?解決方案　　Ferri-eMMC解決方案是一款集成了NAND閃存、嵌入式微控制器和固件的高成本效益、小尺寸產(chǎn)
  • 關(guān)鍵字： 慧榮科技  NAND  

中國廠商積極發(fā)展記憶體主控芯片

  • 未來中國國產(chǎn)主控晶片產(chǎn)業(yè)與行業(yè)內(nèi)公司的發(fā)展將呈現(xiàn)百花爭鳴的態(tài)勢，產(chǎn)品應(yīng)用也有機(jī)會從企業(yè)級儲存產(chǎn)品，向下延伸至消費(fèi)性產(chǎn)品，這也是下一波國內(nèi)半導(dǎo)體的焦點(diǎn)。
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存儲器接連刷新歷史最高紀(jì)錄，768Gbit 3D NAND亮相

  • 　　在“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日于美國舊金山舉行)會議上，NAND的大容量化和微細(xì)化、SRAM的微細(xì)化，以及DRAM的高帶寬化等存儲器 技術(shù)取得穩(wěn)步進(jìn)展，接連刷新了歷史最高紀(jì)錄。除了這些存儲器的“正常推進(jìn)”之外，此次的發(fā)表還涉及車載高可靠混載閃存等的應(yīng)用、新型緩存及TCAM，內(nèi)容 豐富。　　存儲器會議共有3個。分別以非易失存儲器、SRAM、DRAM為主題。3場會議共有14項發(fā)表。其中有12項來自亞洲，日本有2項(內(nèi)容均為非易失存儲器)。下面來介紹
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3D NAND技術(shù)謹(jǐn)慎樂觀 中國存儲產(chǎn)能有望釋放

  • 　　全球DRAM市場先抑后揚(yáng)。2015年DRAM收入預(yù)計下降2.4%，2016年將下降10.6%，有望在2017年與2018年迎來復(fù)蘇。但是，預(yù)測隨著中國公司攜本地產(chǎn)品進(jìn)入DRAM市場，DRAM價格將在2019年再次下降;占2014年內(nèi)存用量需求20.9%的傳統(tǒng)產(chǎn)品(桌面PC與傳統(tǒng)筆記本電腦)產(chǎn)量預(yù)計在2015年下降11.6%，并在2016年進(jìn)一步下降6.7%。 　　DRAM市場2016年供過于求 　　近期，我們對于DRAM市場的預(yù)測不會發(fā)生顯著變化;2015年與2016年將遭遇市場總體營收下滑，而在
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Toshiba準(zhǔn)備出售NAND以外的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)

  • 　　根據(jù)日本當(dāng)?shù)氐呢斀?jīng)媒體《日經(jīng)新聞(Nikkei)》近日報導(dǎo)，大廠東芝(Toshiba)已經(jīng)決定出售半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，僅留下快閃記憶體產(chǎn)品線;此舉被視為是經(jīng)歷過假帳丑聞、付出高昂組織重整代價的該公司轉(zhuǎn)虧為盈之必要步驟。 　　未來東芝將專注并強(qiáng)化在快閃記憶體與核能業(yè)務(wù)的投資與經(jīng)營，該公司并將上述兩大業(yè)務(wù)做為成長支柱。東芝目前是僅次于三星電子(Samsung Electronics)的全球第二大NAND快閃記憶體供應(yīng)商，這也是該公司保留記憶體業(yè)務(wù)、將出售其他半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的原因。 　　將出售的東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)包括類
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手機(jī)標(biāo)稱16G內(nèi)存，為何實(shí)際卻少于16G

  • 　　摘要：現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì)，就是各類移動終端及手機(jī)的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區(qū)別，存儲芯片的實(shí)際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢? 　　我們總是在說手機(jī)內(nèi)存，那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機(jī)興起后，為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的，是NAND Flash的升級版,他的結(jié)構(gòu)如下： 　　   　　我們接觸到的16G、32G等手機(jī)，為何實(shí)際存儲容量卻總是小于這些值呢?難道
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慧榮科技推出全球首款支持3D NAND的交鑰匙式企業(yè)版SATA 6Gb/s SSD控制器產(chǎn)品

  • 　　慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)宣布推出全球首款支持多家供應(yīng)商主流3D NAND產(chǎn)品的交鑰匙式企業(yè)版SATA SSD控制器解決方案。這款性能增強(qiáng)的控制器解決方案將有助加快推進(jìn)最具競爭力的高性能SSD產(chǎn)品在市場上的應(yīng)用。此次2016年拉斯維加斯消費(fèi)電子展期間(2016 Consumer Electronics Show)，慧榮科技也將展出其使用了升級版SM2246EN
  • 關(guān)鍵字： 慧榮科技  3D NAND  
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