存儲器接連刷新歷史最高紀錄，768Gbit 3D NAND亮相

　　在“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日于美國舊金山舉行)會議上，NAND的大容量化和微細化、SRAM的微細化，以及DRAM的高帶寬化等存儲器 技術(shù)取得穩(wěn)步進展，接連刷新了歷史最高紀錄。除了這些存儲器的“正常推進”之外，此次的發(fā)表還涉及車載高可靠混載閃存等的應(yīng)用、新型緩存及TCAM，內(nèi)容 豐富。

　　存儲器會議共有3個。分別以非易失存儲器、SRAM、DRAM為主題。3場會議共有14項發(fā)表。其中有12項來自亞洲，日本有2項(內(nèi)容均為非易失存儲器)。下面來介紹一下非易失存儲器會議的演講。

　　“Non-Volatile Memory Solutions”會議上有4項閃存和3項新興存儲器的發(fā)表，吸引了240多名聽眾。閃存方面最令聽眾感興趣的是美國美光科技(Micron Technology)的768Gbit 3D(三維)TLC NAND(論文編號：7.7)。與原來(256Gbit)相比容量大幅提高。利用與2D(二維)NAND相同的浮柵型存儲單元實現(xiàn)三維積層，在陣列下配置 陣列控制電路(參閱本站報道1)。

　　與美光對抗的是韓國三星電子(Samsung Electronics)的256Gbit TLC V-NAND(三維，論文編號：7.1)。采用電荷捕獲型存儲單元進化至第三代，增加了WL椎棧數(shù)量，實現(xiàn)了大容量化。此次在3D NAND的存儲單元構(gòu)造方面出現(xiàn)多種手段，這一點非常有趣，今后兩技術(shù)的發(fā)展動向值得關(guān)注。

　　另外三星還宣布，在2D NAND方面將工藝節(jié)點微細化到了世界最小的14nm(論文編號：7.5)。在NAND大容量化的舞臺正向3D化轉(zhuǎn)移的情況下，2D領(lǐng)域的微細化也取得了穩(wěn)步進展，這一點令人印象深刻。

　　瑞 薩電子發(fā)表了全球首款滿足車載高溫可靠性要求的單晶體管MONOS型混載閃存(論文編號：7.6)?？捎蒙倭孔芳友谀矸庋b，在滿足車載要求的溫度范圍 內(nèi)，實現(xiàn)了比其他混載閃存大幅降低的擦寫能量及1億次的擦寫次數(shù)。該混載非易失存儲器可將模擬、MCU、非易失存儲器集成于一枚芯片，為創(chuàng)造車載控制新解 決方案做出貢獻。

　　東芝發(fā)表基于STT-MRAM的緩存

　　在新興存儲器方面，東芝繼去年之后再次發(fā)表基于STT-MRAM的 節(jié)能緩存(論文編號：7.2)。該緩存根據(jù)CPU的閃存訪問預(yù)測來實施電源門控，并在內(nèi)部封裝用于在read-modify-write及write- modify-write時只寫入反轉(zhuǎn)bit的校驗電路，與基于SRAM的緩存相比，使能量削減了93%之多(參閱本站報道2)。業(yè)界普遍預(yù)計，將 STT-MRAM的高速擦寫和常閉適合性充分運于緩存的研究今后將愈發(fā)活躍。

　　此外，臺灣旺宏電子(Macronix International)等發(fā)表了利用阻抗漂移補償手段使錯誤讀取率降低至以往1/100的MLC PCM(論文編號：7.3)，臺灣國立清華大學(xué)(National Tsing Hua)等發(fā)表了憑借2.5Tr1R單元構(gòu)成與新型讀出放大器的組合實現(xiàn)256bit字長的小面積節(jié)能ReRAM TCAM(論文編號：7.4)。