首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> ?nand

東芝芯片業(yè)務業(yè)績可能達不到預期

  •   全球第二大閃存制造商東芝公司(Toshiba Corp)周三警告說,由于PC市場不景氣,美國和歐洲等經濟體持續(xù)動蕩以及日元強勢等原因,該公司芯片業(yè)務的利潤可能達不到預期。
  • 關鍵字: 東芝  芯片  NAND  

NAND Flash合約價續(xù)跌

  •   據(jù)韓國電子新聞報導,計算機用DRAM芯片價格快速下跌,NAND Flash合約價也從6月起出現(xiàn)陡峭跌幅,2個月內出現(xiàn)2011年來最低價2美元紀錄。下半年則因智能型手機(Smartphone)與平板計算機 (Tablet PC)新品陸續(xù)問世,可望帶動NAND Flash價格回升。
  • 關鍵字: NAND  DRAM芯片  

存儲器產業(yè)群雄割據(jù)時代將再度來臨

  •   隨著存儲器容量越來越大,NANDFlash產業(yè)制程在進入20納米制程后,也開始遇到瓶頸,業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上,面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術上些微領先最大競爭對手公司韓國三星電子(SamsungElectronics),但短期內該技術也將可能面臨瓶頸,因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司,均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。
  • 關鍵字: 三星  存儲器  NAND  

納米制程遇瓶頸 業(yè)者紛紛投入3D存儲器的開發(fā)

  •   隨著存儲器容量越來越大,NAND Flash產業(yè)制程在進入20納米制程后,也開始遇到瓶頸,業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上,面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術上些微領先最大競爭對手公司韓國三星電子(Samsung Electronics),但短期內該技術也將可能面臨瓶頸,因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司,均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。  
  • 關鍵字: 爾必達  NAND  

今年游戲主機NAND flash內存密度提高40%

  •   內存的成本高昂,今年 NAND 在家庭主機和手持設備上的密集度仍將提高 40% 以上,而這是游戲最主要的游戲環(huán)境。   今年家用游戲主機的 NAND 平均密度預計達 923MB,較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設備的 NAND 平均密度則預計自去年的 87MB 增長 41.4%,達 123MB。   
  • 關鍵字: Sony  NAND  

LSI推出CacheVault Flash高速緩存保護技術

  •   LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術,用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護功能。MegaRAID CacheVault 采用固態(tài) NAND 閃存,能夠在電源發(fā)生故障的時候自動將高速緩存中的數(shù)據(jù)轉移到閃存中,從而為存儲在 RAID 控制器緩存中的數(shù)據(jù)提供強大的保護。CacheVault 技術避免了采用鋰離子電池的麻煩,并可節(jié)約相關的硬件維護成本,從而實現(xiàn)更環(huán)保、總體成本更低的高速緩存保護解決方案。
  • 關鍵字: LSI  NAND  

2011年NAND閃存密度將增長40%以上

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報告,盡管NAND閃存成本較高妨礙其進入游戲硬件,但2011年家庭游戲機與手持游戲機中的NAND密度將增長40%以上。   
  • 關鍵字: 索尼  NAND  

三星電子韓國新NAND廠預計9月投產

  •   三星電子一家新的存儲半導體制造廠將于9月投入運營。消息人士說,新廠編號為“Line-16”,主要生產NAND芯片。   2010年5月時,三星在韓國京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動工,建立新的工廠。此前三星曾透露說,Line-16工廠月產20萬片12寸圓晶。
  • 關鍵字: 三星  NAND  

東芝和SanDisk日本建第3個NAND半導體工廠

  •   日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導體工廠,以應對智能手機和平板電腦的快速發(fā)展而帶來的對閃存芯片的大量需求。該工廠主要生產300毫米晶片NAND半導體,工廠名稱為“Fab 5”。
  • 關鍵字: 東芝  NAND  

東芝與Sandisk共慶NAND閃存工廠Fab5正式投產

  •   東芝株式會社 與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產基地的第三家300mm晶圓NAND生產工廠Fab 5正式投產。
  • 關鍵字: 東芝  NAND  

基于FPGA的NAND Flash ECC校驗

  • 摘要 基于Flash存儲器的Hamming編碼原理,在Altera QuartusⅡ7.0開發(fā)環(huán)境下,實現(xiàn)ECC校驗功能。測試結果表明,該程序可實現(xiàn)每256 Byte數(shù)據(jù)生成3 Byte的ECC校驗數(shù)據(jù),能夠檢測出1 bit錯誤和2 bit錯誤,對于1 bit錯誤
  • 關鍵字: Flash  FPGA  NAND  ECC    

蘋果三星風波引發(fā)四大半導體廠商主演四角戀大戲

  •   最近舉辦的Semicon West2011半導體業(yè)界大會上,三星與蘋果之間的知識產權爭端事件顯然會是一個有趣的話題。目前,三星正準備于8月份開始量產蘋果手機/平板電腦用 A5 SoC芯片。而且他們最近花費36億美元對奧斯汀芯片廠進行了升級,使其產能能夠在NAND或邏輯芯片產品之間自由切換,不過三星顯然希望能夠在保住蘋果 芯片訂單的前提下繼續(xù)拓展自己的代工業(yè)務。
  • 關鍵字: 三星  NAND  

東芝縮小與三星在NAND閃存差距

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,東芝在2011年第一季度NAND閃存市場大有要超過三星之兆,這兩家廠商的市場份額差距從2010年第四季度的1.1個百分點縮小到只有0.3個百分點。長期以來,三星一直是最大的NAND閃存廠商?! ?/li>
  • 關鍵字: 東芝  NAND  

第一季度NAND閃存領域競爭加劇

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,2011年第一季度NAND閃存領域爭奪頭號排名的競爭加劇,排名第二的東芝接近與三星電子平起平坐。長期以來,三星一直是最大的NAND閃存廠商?!?/li>
  • 關鍵字: NAND  閃存  

Q2平板出貨恐拖累NAND Flash價格走勢

  •   根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示,截自六月十六日6:00pm為止,由于大部分買方與賣方就六月上旬NAND Flash合約價格的談判尚未告一段落,因此六月份NAND Flash合約價將等到各家廠商價格談定后DRAMeXchange才會公布。
  • 關鍵字: 平板電腦  NAND  
共1113條 45/75 |‹ « 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 » ›|
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473