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第二季DRAM與NAND市場狀況及廠營收排行
- 根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查,今年第二季營收在DRAM合約價格穩(wěn)定上揚及產(chǎn)出持續(xù)增加下,全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營收數(shù)字達107億美元(10.70 Billion USD),較首季的93億美元(9.29 Billion USD),成長約15%。在 NAND Flash 部分,品牌廠商第二季整體營收為47億7,600萬美元,較首季43億6,300萬美元成長約9.5%。 三星第二季營收仍居全球DRAM廠之冠 從市場面觀察,由于第二季 DRAM 合
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Hynix公司宣稱已開始量產(chǎn)20nm制程級別64Gb存儲密度NAND閃存
- 南韓內(nèi)存廠商Hynix公司日前宣布已開始量產(chǎn)20nm制程級別64Gb NAND閃存芯片,這款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工廠生產(chǎn)的。Hynix公司表示,升級為2xnm制程節(jié)點后,芯片的生產(chǎn)率相比3xnm制程提升了60%,芯片的成本也有所降低,智能手機,SSD 硬盤等的NAND閃存容量則將大有增長。 ? Hynix Cheong-ju M11工廠 Hynix公司稱首款基于2xnm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品將于今年年底上市銷售。Hynix公司雖然不是I
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日本半導(dǎo)體企業(yè)1Q財報喜憂參半
- 日本半導(dǎo)體廠2010年度第1季(4~6月)財報表現(xiàn)明暗兩極。東芝(Toshiba)、爾必達(Elpida)拜內(nèi)存事業(yè)表現(xiàn)亮眼之賜,獲利從谷底攀升;瑞薩電子(RenesasElectronics)則因系統(tǒng)芯片事業(yè)拖累,該季仍難揮別虧損陰霾。 東芝半導(dǎo)體事業(yè)的營業(yè)利益皆為NANDFlash所挹注。副社長村岡富美雄表示,受惠于蘋果(Apple)iPhone等智能型手機需求帶動,加上 NANDFlash均價跌幅趨緩,東芝半導(dǎo)體事業(yè)表現(xiàn)遠超過預(yù)期。小幅虧損的系統(tǒng)芯片事業(yè)亦因NANDFlash的豐沛獲利得以
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VLSI提高半導(dǎo)體預(yù)測 但CEO們?nèi)允侵斏鞯臉酚^
- VLSI提高IC預(yù)測,但是該公司看到雖然很多產(chǎn)品供不應(yīng)求,但是有一種可能DRAM市場再次下跌。 同時由于經(jīng)濟大環(huán)境可能對于產(chǎn)業(yè)的影響,目前對于產(chǎn)業(yè)抱謹慎的樂觀,如Marvell.Silicon Image及其它公司的大部分高管都有同樣的看法。 VLSI在它的最新看法中發(fā)現(xiàn)各種數(shù)據(jù)是交叉的,按VLSI的最新預(yù)測,2010年IC市場可能增長30%,但是2011年僅增長3.7%。而2010年半導(dǎo)體設(shè)備增長96%。 而在之前的預(yù)測中認為2010年全球IC市場增長28.1%,其它預(yù)測尚未改變。
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分析師認為閃存熱 但是供應(yīng)鏈不配套
- 無疑2009年對于閃存市場是可怕之年。 要感謝產(chǎn)業(yè)的很快復(fù)蘇,預(yù)測2010年全球閃存市場已經(jīng)很熱,然而按Web-Feet Research報告,其供應(yīng)鏈部分卻遭受困境。 按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報告,NOR及NAND市場都很熱。NOR市場由2009年的47億美元,上升到2010年的57億美元。而NAND市場與2009年相比增長33.4%,達215億美元。 這是好的消息而壞消息在供應(yīng)鏈中也開始傳了出來。 Apple及其它OEM釆購大量的閃存,使得市場中有些購買者采
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蘋果砸中閃存
- iPhone、iPad等蘋果i家族產(chǎn)品的熱銷,正引發(fā)連鎖反應(yīng)。 7月28日,閃存企業(yè)SanDisk全球高級副總裁兼零售業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Shuki Nir在上海接受本報記者專訪時表示,蘋果產(chǎn)品的熱銷消耗了整個閃存芯片市場不少庫存,目前行業(yè)正處于供不應(yīng)求的局面。 受此拉動,閃存芯片巨頭們普遍迎來了一個靚麗的財季。 近期陸續(xù)出爐的最新一季財報顯示,在iPhone以及iPad的拉動下,閃存芯片近期需求及價格大幅上升,英特爾、三星、美光、海力士、東芝、SanDisk等閃存芯片主要提供商在當季的銷售
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存芯片 iPhone
三星電子第二季度凈利潤36億美元 同比增83%
- 據(jù)國外媒體報道,三星電子周五發(fā)布了該公司2010年第二季度財報。財報顯示,受芯片業(yè)務(wù)大幅增長的推動,公司第二季度凈利潤同比增長83%。 在截至6月30日的第二季度,三星電子凈利潤為4.28萬億韓元(約合36億美元)。這一業(yè)績好于上年同期,2009年第二季度,三星電子的凈利潤為2.33萬億韓元。三星電子第二季度運營利潤為5萬億韓元(約合41億美元),創(chuàng)公司季度運營利潤歷史新高,同比增長87.5%。三星電子第二季度營收為37.9萬億韓元,較去年同期增長17%。三星電子本月初發(fā)布的初步財報顯示,公司第
- 關(guān)鍵字: 三星電子 NAND 閃存芯片
EUV要加大投資強度
- 未來半導(dǎo)體制造將越來越困難已是不爭的事實。巴克萊的C J Muse認為如DRAM制造商正處于關(guān)鍵的成品率挑戰(zhàn)階段,在4x,3x節(jié)點時發(fā)現(xiàn)了許多問題。目前盡管EUV光刻己經(jīng)基本就緒(或者還沒有),是黃金時刻,然后在芯片制造中其它的工藝技術(shù)的挑戰(zhàn)也有很多,如兩次圖形曝光(在NAND,DRAM及l(fā)ogic中),高k金屬柵等。由此,在未來的2011-2012年,甚至更長一段時期內(nèi)必須要加大投資強度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時間,它是在牛/熊市小組座談會上發(fā)表此看法) 。另一位會議
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體制造 DRAM NAND
三星明年將量產(chǎn)次世代NAND Flash
- 三星電子(Samsung Electronics)宣布,2011年將開始量產(chǎn)較既有快閃存儲器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年開始量產(chǎn)后,采用該產(chǎn)品的智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)中所儲存的影片、照片、音樂等再生速度將更上一層樓。 三星近期已完成可支持400Mbps資料處理速度的Toggle DDR2.0規(guī)格NAND Flash開發(fā)作業(yè),并計劃于2011年投入量產(chǎn)。三星計劃20奈米制程以下的NAND Flash產(chǎn)品將
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三星與東芝聯(lián)合 加快NAND Flash速度
- 三星和東芝公司已經(jīng)宣布了一個合作計劃,旨在制定新規(guī)范推動NAND快閃記憶體的傳輸速率,具體來說,兩家公司致力于發(fā)展DDR 2.0 NAND型快閃記憶體和400MB/s的接口技術(shù),這比目前版本的NAND閃存接口技術(shù)快了十倍,這項技術(shù)將于英特爾、鎂光和SanDisk共同開發(fā)的ONFI接口進行直接競爭,主要面向高性能產(chǎn)品例如SSD以及智能手機和消費電子產(chǎn)品。 三星和東芝公司目前供應(yīng)NAND快閃記憶體市場70%的貨源,因此它們在行業(yè)內(nèi)具有相當大的話語權(quán),這對他們的新規(guī)范計劃將非常有利。 三星上個月
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND 30nm
爾必達與Spansion簽署NAND Flash代工協(xié)議
- 日廠爾必達(Elpida)將與飛索半導(dǎo)體(Spansion)擴大合作范圍,雙方除共同研發(fā)NAND Flash制程技術(shù)與產(chǎn)品外,爾必達將為飛索半導(dǎo)體代工生產(chǎn)NAND Flash。另外,爾必達亦在研擬雙方合作研發(fā)NOR Flash,并為其代工的可能性。 據(jù)悉,爾必達已取得飛索的NAND IP技術(shù)的授權(quán),該項技術(shù)乃是以其稱為MirrorBit的獨家技術(shù)為基礎(chǔ)。此外,爾必達計劃自2011年起透過旗下的廣島12寸廠,為飛索代工生產(chǎn)高階NAND Flash,而雙方亦將各自進行客戶營銷。 路透(Reut
- 關(guān)鍵字: 爾必達 NAND
三星東芝支持高速DDR 2.0 NAND閃存標準
- 三星和東芝今天共同宣布,雙方將協(xié)力支持新一代高性能NAND閃存技術(shù):擁有400Mbps接口的DDR NAND閃存,即toggle DDR 2.0規(guī)范。兩家公司將支持這一規(guī)范成為行業(yè)標準,被業(yè)界廣泛接受使用。 最初的SDR NAND閃存架構(gòu)接口速度僅為40Mbps,現(xiàn)行的DDR 1.0標準將接口帶寬提高到了133Mbps。三星和東芝推動的toggle DDR 2.0規(guī)范則進一步提升到400Mbps,是DDR 1.0的3倍,普通SDR NAND閃存的10倍。 高速閃存接口的優(yōu)勢不言而喻,未來將
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND 東芝
三星東芝宣布將參與DDR2.0 NAND接口規(guī)范制定工作
- 閃存業(yè)兩大巨頭三星公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR NAND閃存標準規(guī)范的制訂工作,這種新一代閃存標準規(guī)范的接口數(shù)據(jù)傳輸率將高達400Mbit/s。不過兩家公司并沒有透露他們什么時候會完成該標準規(guī) 范的制定工作,另外也沒有說明新一代閃存規(guī)范使用的閃存芯片存儲密度參數(shù)。DDR2.0 NAND閃存推出后將主要面向移動和消費級電子類應(yīng)用。 現(xiàn)有的DDR1.0版本NAND閃存接口規(guī)范只是將DDR數(shù)據(jù)傳輸接口與傳統(tǒng)的單倍數(shù)據(jù)傳輸率NAND單元結(jié)合在一起使用,接口數(shù)據(jù)傳輸率僅133Mbit/s
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND
?nand介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條?nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對?nand的理解,并與今后在此搜索?nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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