?nand 文章 進(jìn)入?nand技術(shù)社區(qū)
固態(tài)硬盤每GB容量價(jià)格將跌破1美元
- 1GB 1美元——這很久以來就被視為固態(tài)硬盤真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門檻,而根據(jù)DRAMeXchange的最新報(bào)告,今年下半年就能以低于1GB 1美元的價(jià)格買到固態(tài)硬盤。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn),閃存芯片的成本也會進(jìn)一步降低,每 GB將會不足1美元。DRAMeXchange預(yù)計(jì),在那之后超極本、超輕薄本都會從混合硬盤過渡到純粹的固態(tài)硬盤,而后者的主流容量也將升至 128GB。 隨著Intel Ivy Bridge處
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基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn)
- 基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn), Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體,因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn),已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲元件,成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個(gè)單元塊相互獨(dú)
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全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達(dá)到48.9億美元
- 據(jù)媒體報(bào)道,根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù),2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達(dá)到48.9億美元,環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的龍頭,市場份額達(dá)到了34.6%。 集邦科技提供的數(shù)據(jù)顯示,NAND閃存出貨環(huán)比增長了大約5%,而平均銷售價(jià)格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出,雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢,但是智能手機(jī)和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強(qiáng)勁。 集邦科技指出,三星電子
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Hynix今年資本支出將上升20% 半數(shù)投入NAND
- 外電報(bào)導(dǎo),全球第二大內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財(cái)報(bào):受內(nèi)存價(jià)格下滑、PC需求趨緩的影響,凈損達(dá)2,399億韓元(2.131億美元),遜于去年同期的純益300億韓元,已連續(xù)第2季繳出虧損成績單;營收年減7.2%至2.55兆韓元;營損達(dá)1,675億韓元,遜于去年同期的營益2,940億韓元。根據(jù)彭博社調(diào)查,分析師平均預(yù)期Hynix Q4凈損將達(dá)1,617億韓元。根據(jù)Thomson Reuters調(diào)查,分析師原先預(yù)期Hynix Q4
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蘋果去年買進(jìn)了全球NAND閃存的1/4
- 根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報(bào)告指出,蘋果公司在上一季買了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ,憑借著這么大的采購量,蘋果拿到的成本價(jià)格可說是出乎意料之外的低。 Sacconaghi 報(bào)告指出,蘋果產(chǎn)品在2011 年第四季消耗了容量總數(shù)高達(dá)14.5 億GB 的NAND 快閃記憶體;其中iPhone 占了其中50% , iPad 為30% 。這么大的量,自然讓蘋果購買NAND 快閃記憶體有很大的折扣,大約是每GB 價(jià)格為0.6
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東芝、爾必達(dá)再談?wù)?/a>
- 日系DRAM廠爾必達(dá)(Elpida)身陷財(cái)務(wù)風(fēng)暴,近期傳出在日本官方作媒下,正與同為日系NAND Flash大廠東芝(Toshiba)洽談?wù)鲜乱?。對此東芝和爾必達(dá)高層都不予置評。 近期再度傳出爾必達(dá)與東芝高層就合并及整合密談協(xié)商,且日本政府扮演關(guān)鍵要角。內(nèi)存業(yè)者透露,東芝在發(fā)展行動(dòng)裝置上,需要與爾必達(dá)Mobile RAM結(jié)合,才能打敗美韓陣營,雙方確實(shí)有接觸洽談?wù)鲜乱?,但東芝對于重返DRAM領(lǐng)域意愿不高,另外,日本政府亦認(rèn)為,DRAM市場雖萎縮,但技術(shù)必須傳承,有意促使兩大半導(dǎo)體廠整合。
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力晶將繼續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能
- 力晶在2012年起將會大幅降低標(biāo)準(zhǔn)型DRAM投片量,以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術(shù)發(fā)展,并于明年起全數(shù)轉(zhuǎn)入30nm 4Gb生產(chǎn),而空出的產(chǎn)能將會以NAND FLASH填補(bǔ),后續(xù)技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)也轉(zhuǎn)移到NAND 2Xnm的制程微縮。放遠(yuǎn)未來,力晶仍會保留DRAM技術(shù),待3D-IC以及TSV的技術(shù)成熟時(shí),將會以記憶體為中心做芯片組的整合,力圖成為大中華地區(qū)各技術(shù)領(lǐng)域最完整之晶圓廠。 隨著力晶正式宣布將產(chǎn)能逐步擴(kuò)大至Flash產(chǎn)品上,加上原先代工如LCD Driver及非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品,希望明年標(biāo)準(zhǔn)
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回補(bǔ)庫存下滑 NAND Flash合約價(jià)格持續(xù)走低
- 根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange調(diào)查,因?yàn)殡S身碟與記憶卡市場銷售依舊此未見起色,而高容量產(chǎn)品也因?yàn)橹悄苄褪謾C(jī)與平板計(jì)算機(jī)銷售不如預(yù)期而下滑,終端產(chǎn)品銷售不佳導(dǎo)致供貨商回補(bǔ)庫存力道疲弱,連帶影響合約價(jià)格面臨下滑的壓力,10月下旬NAND Flash合約價(jià)將再下跌約4-8%。 展望NAND Flash后市,集邦科技認(rèn)為,雖然泰國水患造成的HDD缺貨效應(yīng)使得SSD產(chǎn)品詢問度頓時(shí)增加,但SSD仍存在著與HHD價(jià)差大及SSD機(jī)種認(rèn)證程序尚需2-3個(gè)月等問題,因此,預(yù)
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ultrabook帶來新契機(jī) NAND Flash需求9月或回溫
- 根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調(diào)查,市場預(yù)期 NAND Flash 部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶為因應(yīng)新產(chǎn)品上市庫存回補(bǔ)需求,9月份可望逐漸開始回溫。因此,8月下旬 NAND Flash 合約價(jià)格出大多呈現(xiàn)持平,但記憶卡及U盤(UFD)通路市場的需求仍然相對疲軟,所以128Gb TLC合約均價(jià)格仍然下跌5%。此外,部份供貨商已將部份32Gb MLC的產(chǎn)量轉(zhuǎn)為生產(chǎn)64Gb MLC,故32Gb MLC在市場供給減少下合約均價(jià)小漲約3%。
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第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%
- 據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場報(bào)告,由于一家大型廠商的銷售額下降,第二季度NAND閃存市場意外下滑。 根據(jù)最終數(shù)據(jù),第二季度全球NAND銷售額為47億美元,比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預(yù)期,主要是因?yàn)闁|芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商,僅次于韓國三星電子。
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