韓國NAND Flash大廠SK海力士(SK Hynix)積極建立芯片設計團隊，繼買下美系NAND Flash設計公司LAMD后，近期更出手買下USB 3.0設計廠銀燦旗下內嵌式存儲器(eMMC)部
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SK海力士 銀燦eMMC部門
TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新報告顯示，由于市況供過于求，第二季DRAM的平均銷售單 價持續(xù)下滑，整體均價季跌幅超過5%。然而，受惠于美光20納米及SK海力士21納米產出順利，帶動位元供給增長，使得第二季全球DRAM總營收約91億 美元，季增長6.3%。
DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第二季筆記本電腦及服務器相 關產品出貨動能表現(xiàn)一般，但中國地區(qū)的智能手機出貨依然強勁，因此DRAM三大廠也同步調整產品類別，持續(xù)向行動式內存
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SK海力士 DRAM
DRAM三足鼎立的格局持續(xù)至今，然而隨著中國軍團的加入一定程度上攪亂了這一潭太久沒有新鮮血液注入的渾水，DRAM市場三足鼎立的局面究竟是否還能繼續(xù)維持？未來的DRAM市場是一家獨大、三足鼎立還是百家爭鳴？或許關鍵就在于國產DRAM的表現(xiàn)。
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三星 SK海力士
Gartner 5 日公布 2015 年全球半導體營收，受到需求放緩、匯率劇烈變動影響，總產值呈現(xiàn)下滑，然半導體老大哥英特爾，即便在接下來先進制程競逐，可能落后臺積電與三星，2015 年仍穩(wěn)坐半導體龍頭寶座，而兩大韓廠三星與 SK 海力士在該年度則分居二、三名。
Gartner 5 日公布 2015 年全球半導體營收，需求減緩加上匯率較劇烈的變動，使得半導體整體營收下滑，全年總產值 3,348 億美元，較去年同期衰退 2.3%，前 25 大廠商占整體半導體廠營收比重來到 73.5%，較 2014
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三星 SK海力士
繼三星電子(Samsung Electronics)推出128GB及256GB通用快閃儲存(Universal Flash Storage;UFS)2.0芯片，SK海力士(SK Hynix)亦投入量產64GB UFS 2.0芯片，盡管東芝(Toshiba)及美光(Micron)尚未在UFS領域有具體成果，然隨著全球NAND Flash市場龍頭及第四大廠紛開始量產UFS芯片，可望加速智慧型手機存儲器規(guī)格升級，業(yè)界預估2016年下半便可看到搭載UFS芯片的高階手機陸續(xù)上市。
根據(jù)韓國電子新聞(ET
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三星 SK海力士
隨著新一代顯卡到來，內存芯片制造商SKHynix希望成為顯卡革命的一部分。據(jù)德國IT網站Golem.de報道，SK Hynix計劃不久將開始生產第二代高帶寬內存(HBM2)，其中，4GB SK Hynix芯片顯然預計在今年第三季度出貨，8GB芯片將在今年第四季度上市。
通過這一舉措，SK Hynix將成為三星競爭者。三星之前已經宣布其HBM2內存生產計劃。標準組織JEDEC之前已經更新HBM2規(guī)范。 HBM2總線位寬和HBM相同，但具有更高的時鐘頻率和容量，時鐘頻率從1GHz起跳，到2GHz，數(shù)
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SK海力士 HBM2
隨著新一代顯卡到來，內存芯片制造商SKHynix希望成為顯卡革命的一部分。據(jù)德國IT網站Golem.de報道，SK Hynix計劃不久將開始生產第二代高帶寬內存(HBM2)，其中，4GB SK Hynix芯片顯然預計在今年第三季度出貨，8GB芯片將在今年第四季度上市。
通過這一舉措，SK Hynix將成為三星競爭者。三星之前已經宣布其HBM2內存生產計劃。標準組織JEDEC之前已經更新HBM2規(guī)范。 HBM2總線位寬和HBM相同，但具有更高的時鐘頻率和容量，時鐘頻率從1GHz起跳，到2GHz，數(shù)
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SK海力士 HBM2
日經新聞報導,SK海力士周一宣布，將砸15.5兆韓元(125億美元)，再蓋一座新存儲器工廠。
新廠選址在南韓忠清南道省北部，與原海力士舊廠比鄰。據(jù)日經新聞報導，海力士已取得25萬平方公尺的土地面積，并與清州市政府簽訂合作備忘錄(MOU)，新廠預計將在2018年正式動工、2019年投產。
新廠確切的產品目前還不清楚，不過海力士某官員暗示應該為NAND存儲器，若新廠全部投入生產NAND存儲器，海力士現(xiàn)有NAND存儲器產能將擴增超過兩倍。
此外，海力士亦宣布已開始在現(xiàn)有的清州廠量產先進的3
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SK海力士 存儲器
2016年展望并不樂觀，PC市場成長已停滯好幾年，連智能型手機市場也出現(xiàn)成長趨緩的跡象，DRAM、NAND Flash的價格也因此持續(xù)下跌，這個時候逆勢上揚也是下了多大的決心。
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SK海力士
大陸紫光集團入股南韓SK海力士遭拒，消息人士透露，紫光集團已專注與美光(Micron)洽商入股，預料很快可明朗化，讓同屬美光集團的華亞科戰(zhàn)略地位大大提升。
消息人士透露，紫光集團將以不堅持在大陸設DRAM廠為條件，爭取入股美光。紫光董事長趙偉國證實，紫光正和美一芯片廠洽商合作，雖然紫光不愿透露對象，但市場推估應該就是美光。
據(jù)了解，美光若獲紫光入股，紫光未來將借重美光提供龐大的DRAM貨源，美光獲財力雄厚的紫光集團提供金援，將可快速推進DRAM制程腳步，讓美光從
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紫光 SK海力士
韓國半導體產業(yè)營收在三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)兩大廠之外，正逐漸減少。三星和SK海力士各居存儲器市場第一、二名，營收每年大幅成長，韓國半導體產業(yè)出現(xiàn)基礎強化的錯覺。然事實上除兩大廠外，韓國半導體產業(yè)規(guī)模正逐漸縮減。
Digital Times引用市調機構IHS資料指出，2015年上半韓國半導體營收中，三星以199.63億美元占66.9%，SK海力士以85.56億美元占28.7%。兩企業(yè)營收比重合計達95.6%，以最近期第2季資料來看，比重更
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三星 SK海力士
韓國政府2016年未編列半導體預算，使韓國半導體業(yè)界不滿聲浪高漲。在韓國引以為傲的存儲器市場上，大陸和美國迅速追擊，韓國半導體業(yè)者危機感提升，而列為未來成長動能的IC設計，也未受到韓國政府重視。
據(jù)Digital Times報導，韓國政府對半導體、顯示器等核心產業(yè)，以及電子情報裝置新事業(yè)等，均未編列預算。自2016年起，將不會有由韓國政府主導的新半導體相關研發(fā)。
目前正在進行的系統(tǒng)芯片扶植相關研發(fā)事業(yè)也陷入危機。韓國產業(yè)通商資源部關系人員指出，產業(yè)委員會對于預算方面提出質疑，并主張增資30
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三星 SK海力士 存儲器
市場研究機構TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，受到市況供過于求影響，DRAM平均銷售單價持續(xù)下降，然而各家廠商策略性地將跌幅最大的標準型存儲器產能轉往毛利較高、價格較穩(wěn)定的服務器存儲器及移動存儲器領域，配合位元顆粒仍持續(xù)成長，整體DRAM營收規(guī)模尚未出現(xiàn)大幅的縮減。
DRAMeXchange最新報告顯示，第三季DRAM總產值小幅衰退1.2%，移動存儲器占總營收比重從第二季的33.7%，大幅提升至第三季的40%。DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第
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三星 SK海力士
現(xiàn)在是2016年半導體設備投資應稍有雛形的時間點，但韓系半導體大廠經營計劃不明朗，變動性大，半導體設備業(yè)者難以擬定事業(yè)計劃。
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三星 SK海力士
SK海力士終于趕上三星電子，成為全球第二家成功量產20奈米DRAM的廠商。該公司也力拼3D NAND Flash研發(fā)，期盼能在明年量產48層3D NAND。
BusinessKorea 15日報導，SK海力士人員受訪表示，該公司引入20奈米DRAM制程，過程雖有困難，但已經穩(wěn)定，開始寄送樣品給客戶、進入量產。據(jù)此而言，SK海力士是世界第二家量產20奈米DRAM的業(yè)者。三星首開先例，去年3月就量產20奈米DRAM。
SK海力士也宣布3D NAND研發(fā)計畫，社長樸星昱(Park Sung-wo
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