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韓媒:三星DRAM制程獨(dú)強(qiáng)、SK海力士慘,恐掀大戰(zhàn)

  •   三星電子自打嘴巴,先前口口聲聲說沒必要擴(kuò)產(chǎn)破壞市場,不料近來卻一再傳出擴(kuò)產(chǎn)DRAM消息!繼高盛之后,韓媒也爆料稱市場可能會掀起新一波廝殺血戰(zhàn),報(bào)導(dǎo)稱SK 海力士 (SK Hynix )和美光(Micron Technology)的微縮制程不夠先進(jìn),可能會遭受重創(chuàng)。   韓國時(shí)報(bào)(Korea Times)14日報(bào)導(dǎo),南韓業(yè)界高層向該報(bào)透露,今年新訂單暢旺,晶片業(yè)者可望荷包滿滿,然而SK海力士制程發(fā)展較慢,若追上三星,今年下半或許會有新一波「懦夫博弈」(game of chicken),意味業(yè)者可能會流
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IHS:全球top 20半導(dǎo)體廠排行榜

  •   美國市場調(diào)查公司IHS于2014年12月22日發(fā)布調(diào)查報(bào)告稱,預(yù)計(jì)2014年全球半導(dǎo)體銷售額將比上年增長9.4%,達(dá)到3532億美元,實(shí)現(xiàn)自2010年以來的最高增長率。IHS副總裁兼首席分析師Dale Ford稱:“2014年的市場是最近幾年里最為健全的。2013年的市場擴(kuò)大(增長率6.4%)主要得益于存儲器領(lǐng)域的增長,而2014年整體表現(xiàn)都很出色,在年末假日季,各個(gè)領(lǐng)域的供應(yīng)商都能因此而受益。”   IHS將半導(dǎo)體市場分為28個(gè)小領(lǐng)域進(jìn)行了調(diào)查。在2013年,這28個(gè)領(lǐng)域中
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Gartner:2014全球芯片銷售額同比增7.9% 內(nèi)存芯片領(lǐng)漲

  •   據(jù)《華爾街日報(bào)》網(wǎng)絡(luò)版報(bào)道,市場調(diào)研公司Gartner發(fā)布的初步數(shù)據(jù)顯示,隨著傳統(tǒng)PC產(chǎn)能的回升,2014年全球芯片銷售額同比增長7.9%。內(nèi)存芯片制造商引領(lǐng)了這輪增長。   數(shù)據(jù)顯示,去年全球芯片銷售額增長至3398億美元,前25大半導(dǎo)體公司占據(jù)了總銷售額的72.1%,高于2013年的69.7%。   英特爾繼續(xù)保持其第一大半導(dǎo)體公司的地位,2014年芯片營收預(yù)計(jì)在508.4億美元,同比增長4.6%,在經(jīng)歷了兩年的下滑后重新恢復(fù)增長。三星電子排在第二,預(yù)計(jì)營收在352.8億美元,同比增長10%。
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韓半導(dǎo)體投資擴(kuò)大 設(shè)備廠新年度期待滿滿

  •   韓系半導(dǎo)體大廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)持續(xù)擴(kuò)大尖端DRAM和NAND Flash產(chǎn)線,2014年受到半導(dǎo)體市場榮景帶動(dòng)對產(chǎn)線投資而荷包滿滿的設(shè)備業(yè)者,預(yù)期2015年也將迎來亮眼的業(yè)績。   據(jù)ET News報(bào)導(dǎo),三星和SK海力士2015年可望為擴(kuò)充DRAM、NAND Flash、系統(tǒng)芯片產(chǎn)線而執(zhí)行投資。因轉(zhuǎn)換微細(xì)制程,導(dǎo)致生產(chǎn)量減少,且伺服器DRAM、PC DRAM、PC DRAM和NAND Flash需求增加。   三星17產(chǎn)線將于201
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三星及SK海力士將投資19萬億韓元研發(fā)芯片

  •   三星電子和世界頂級的內(nèi)存芯片制造商SK海力士計(jì)劃在2015年投資19萬億韓元用于研發(fā)芯片,此次投資計(jì)劃高于去年17.7萬億韓元的芯片投資資金。據(jù)美國一位對沖基金負(fù)責(zé)人表示,三星電子和SK海力士希望通過此次19萬億韓元的投資,改善產(chǎn)品結(jié)構(gòu),適應(yīng)市場狀況,調(diào)整市場的供求平衡。   據(jù)悉,一些對沖基金和市場投資機(jī)構(gòu)都紛紛看好三星電子和SK海力士的未來發(fā)展。按照投資計(jì)劃,三星電子計(jì)劃投資3.5萬億韓元,SK海力士計(jì)劃投資5.5萬億韓元。三星一位官員表示,三星的銷量增長將在2015年降至最低。三星不希望在其芯
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海力士前高層加入慧榮 SSD大戰(zhàn)鳴槍

  •   固態(tài)硬碟(SSD)戰(zhàn)火正熱,持續(xù)成為2015年產(chǎn)業(yè)焦點(diǎn),NAND Flash控制芯片業(yè)者為了布局上游半導(dǎo)體大廠,使出渾身解數(shù)綁樁,傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔(dān)任公司高層。   慧榮一向和SK海力士合作緊密,雙方合作內(nèi)嵌式存儲器eMMC業(yè)務(wù)外,有機(jī)會延伸至SSD產(chǎn)品線上,2015年更是關(guān)鍵年,慧榮內(nèi)部極度重視SSD產(chǎn)品線,立下通吃NAND Flash大廠和存儲器模組兩大族群的目標(biāo),看好公司營運(yùn)
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東芝擬砸10億美元與南亞科結(jié)盟 全面反擊三星

  •   全球存儲器產(chǎn)業(yè)恐將再爆震撼彈,面對三星電子(SamsungElectronics)和SK海力士在eMCP市場搶盡風(fēng)頭,東芝(Toshiba)為取得穩(wěn)定的DRAM貨源將大舉反攻,業(yè)界傳出其向南亞科提出10億美元的策略聯(lián)盟投資案,將再度開啟臺、日存儲器結(jié)盟新里程碑,合作案是否會成局,2015年第1季底前可望確定。不過,南亞科未證實(shí)該項(xiàng)消息。   全球存儲器產(chǎn)業(yè)甫經(jīng)歷大洗牌,全球三大DRAM廠版圖底定,由于三星、SK海力士、美光(Micron)均擁有PCDRAM、MobileRAM及NANDFlash三大
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20納米制程 躍今年DRAM主秀

  •   隨三星宣布20奈米制程正式產(chǎn)出LPDDR 4 DRAM,SK海力士及華亞科(3474)也預(yù)定第2季導(dǎo)入20奈米量產(chǎn),讓今年DRAM產(chǎn)業(yè)主流技術(shù),將正式推進(jìn)至20奈米世代。   不過,20奈米需要投入龐大的資本支出,各DRAM考量必須在獲利的基礎(chǔ)上進(jìn)行擴(kuò)充,也讓今年各家20奈米制程推進(jìn)趨于緩慢。集邦科技出具今年DRAM產(chǎn)業(yè)趨勢報(bào)告,預(yù)告今年DRAM產(chǎn)業(yè)持續(xù)維持寡占格局,支持DRAM持穩(wěn)不墜,今年各家DRAM廠仍處于全面獲利的一年。   集邦預(yù)估,今年DARM產(chǎn)值達(dá)541億元,年增16%。
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SK海力士與東芝訴訟和解 提升未來技術(shù)發(fā)展力

  •   東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開發(fā)下一代半導(dǎo)體制程技術(shù),同時(shí)東芝也撤銷對SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業(yè)決定集中火力爭取半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來主導(dǎo)權(quán),取代相互耗損的專利訴訟。   據(jù)ET News報(bào)導(dǎo),東芝與SK海力士曾維持很長時(shí)間的合作關(guān)系。2007年締結(jié)專利授權(quán)合約,并自2011年開始共同開發(fā)下一代記憶體STT-MRAM。2014年3月因記憶體半導(dǎo)體技術(shù)外流,東芝向SK海力士提出告訴,要求1.1兆韓元規(guī)模的民事賠償,雙方關(guān)系因此破裂。
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新iPhone傳DRAM容量倍增 三星、SK海力士樂開懷

  •   蘋果(Apple)預(yù)計(jì)2015年推出的新一代iPhone和iPad,傳出搭載的DRAM容量將較目前產(chǎn)品倍增,占蘋果DRAM供應(yīng)量7成以上比重的三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)也可望擴(kuò)大供貨量。   據(jù)南韓經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)導(dǎo),在Mobile DRAM市場上,三星和SK海力士的市占率約達(dá)75%。近來使用智能型手機(jī)的人口增加,穿戴式裝置市場也逐漸擴(kuò)大,讓DRAM需求扶搖直上。   據(jù)南韓證券業(yè)者推估,三星和SK海力士2014年DRAM事業(yè)獲利各約6兆韓元(約5
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第三季全球移動(dòng)存儲器營收34.6億美元

  •   TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新調(diào)查顯示,全球行動(dòng)式記憶體總營收在 2014年第三季達(dá)34.6億美元,季成長6%,占DRAM總產(chǎn)值29%。三星半導(dǎo)體(Samsung)不意外仍穩(wěn)居第三季行動(dòng)式記憶體龍頭,而且市占首度突破50%,儼然成為一方霸主,讓位居二、三名的SK海力士(Hynix)與美光(Micron)的市占率差距再度拉大。   雖全球DRAM產(chǎn)能依舊處于微幅吃緊狀態(tài),導(dǎo)致第三季行動(dòng)式記憶體價(jià)格小幅度下滑,但因位元產(chǎn)出增加,全球行動(dòng)式記憶體總產(chǎn)值仍向上提升
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制程在競賽 獲利很穩(wěn)定

  •   三星、SK海力士及美光三大DRAM廠明年制程進(jìn)入20納米世代,盡管市場憂心恐造成供給大增、壓抑價(jià)格走勢,但DRAM業(yè)者強(qiáng)調(diào),制程微縮并非一、兩天可以完成,期間將遭遇技術(shù)瓶頸與整量產(chǎn)能縮減等問題,因此盡管資本支出龐大,明年DRAM價(jià)格仍可望持穩(wěn),業(yè)者仍會穩(wěn)定獲利。   集邦協(xié)理吳雅婷表示,三星及SK海力士在制程推進(jìn)至25納米期間,都吃足苦頭,預(yù)料美光借重華亞科從30納米制程直接切入20納米制程,同樣也將面臨極大的挑戰(zhàn)。三星首次進(jìn)入28納米制程時(shí),因良率無法有效提升,黯然宣告中止,部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)回35納米,
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DRAM寡占陣營將面臨價(jià)格壓力?

  •   隨著DRAM三大陣營的確立,今年DRAM各大陣營的獲利與營收,都可說是連連報(bào)捷,這也使得在先進(jìn)制程的投入也更加積極。但是否又會再次面臨價(jià)格下跌的壓力?答案似乎是有可能的。   根據(jù)TrendForce表示,今年以來DRAM市場一直呈現(xiàn)供貨吃緊、價(jià)格持續(xù)走揚(yáng)的市況來規(guī)劃未來需求,DRAM廠紛紛決定自2014年第四季開始增加產(chǎn)能。按照DRAM廠現(xiàn)有的規(guī)劃,2015年制程微縮與新增產(chǎn)能貢獻(xiàn)產(chǎn)出年增率將逼近30%,現(xiàn)有的DRAM產(chǎn)業(yè)的寡占架構(gòu)將面臨重大挑戰(zhàn),若明年總體經(jīng)濟(jì)狀況不如預(yù)期,此舉恐怕導(dǎo)致DRA
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DRAM雙雄 全球市場占有率近70%

  • 三星電子和SK海力士在今年第2季共占有全球DRAM市場份額68%,遙遙領(lǐng)先美國企業(yè)占有的25.7%,和臺灣業(yè)者的6.3%。
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SK海力士擴(kuò)大HBM供應(yīng)量搶占次世代半導(dǎo)體市場

  •   2014年上半SK海力士(SKHynix)業(yè)績告捷,在次世代存儲器技術(shù)競爭中也占據(jù)優(yōu)勢,未來可望帶動(dòng)版圖變化。   SK海力士的次世代存儲器獲全球系統(tǒng)芯片業(yè)者搭載在2016年以后上市產(chǎn)品,并進(jìn)行性能測試,未來將有機(jī)會超越三星電子(SamsungElectronics)和美國美光(Micron)等競爭對手,在市場競爭中也將居優(yōu)勢。   據(jù)韓國每日經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo),SK海力士的次世代超高速存儲器(HBM)將優(yōu)先供應(yīng)給AMD、NVIDIA等全球性系統(tǒng)芯片業(yè)者,搭載于次世代產(chǎn)品中進(jìn)行測試。   SK
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