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SK海力士：10納米級(jí)DRAM估2017年上半投產(chǎn)
- 據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達(dá)全部DRAM的40%;10納米級(jí)DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕?biāo)訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴(kuò)大3D NAND的生產(chǎn)比重。 SK海力士DRAM技術(shù)本部長(zhǎng)金進(jìn)國(guó)(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對(duì)大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來(lái)市場(chǎng)需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4，公司
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SK海力士：10納米級(jí)DRAM估2017年上半投產(chǎn)
- 據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達(dá)全部DRAM的40%;10納米級(jí)DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕?biāo)訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴(kuò)大3D NAND的生產(chǎn)比重。 SK海力士DRAM技術(shù)本部長(zhǎng)金進(jìn)國(guó)(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對(duì)大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來(lái)市場(chǎng)需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4，公司
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SK海力士全力發(fā)展CIS、PMIC及DDIC事業(yè)
- 傳聞2017年SK海力士(SK Hynix)將在利川12吋晶圓廠(M10)量產(chǎn)1,300萬(wàn)畫素CMOS影像感測(cè)器(CIS)，并減少清州8吋晶圓廠(M8) 的低畫素CIS產(chǎn)量，M8廠空出的產(chǎn)能將進(jìn)行代工生產(chǎn)顯示器驅(qū)動(dòng)IC(DDIC)、電源管理IC(PMIC)等系統(tǒng)半導(dǎo)體，全力發(fā)展非存儲(chǔ)器半導(dǎo)體事業(yè)。 據(jù)韓媒ET News報(bào)導(dǎo)，SK海力士的非存儲(chǔ)器半導(dǎo)體事業(yè)發(fā)展方向日前定案，已進(jìn)入執(zhí)行階段;SK海力士并以45億韓元(約397萬(wàn)美元)向子公司Silicon File取得相關(guān)資產(chǎn)設(shè)備。Silicon F
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SK海力士Q3獲利勝預(yù)期，看好第四季存儲(chǔ)器市況
- 韓國(guó)第二大存儲(chǔ)器廠SK 海力士周二公布第三季獲利盡管大減近五成，但仍優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期，激勵(lì)股價(jià)盤中走揚(yáng)。 海力士7-9月營(yíng)業(yè)利潤(rùn)賺進(jìn)7,259億韓圈(6.41億美元)，雖然較去年同期降低47.5%，但高于路透社調(diào)查預(yù)估的6,720億韓圈。如與前季相比，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)跳增60.3%，較能反映存儲(chǔ)器近期價(jià)格回漲。 當(dāng)季營(yíng)收來(lái)到4.2兆韓圈，較去年同期衰退13.8%。受財(cái)報(bào)利多消息激勵(lì)，海力士早盤于韓股盤中勁揚(yáng)3.11%、暫報(bào)41,400韓圈，今年迄今累計(jì)漲幅達(dá)34.8%。 海力士在聲明稿上表示，電腦存儲(chǔ)
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SK海力士與美史丹佛大學(xué)攜手研發(fā)類人腦半導(dǎo)體元件
- SK海力士(SK Hynix)與美國(guó)史丹佛大學(xué)(Stanford University)以及相關(guān)設(shè)備及材料業(yè)者合作，將共同研發(fā)結(jié)構(gòu)類似人類腦神經(jīng)構(gòu)造的新半導(dǎo)體元件，期盼能提升巨量資料(Big Data)的運(yùn)算速度，加速人工智能(AI)時(shí)代來(lái)臨。 據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，日前SK海力士與美國(guó)史丹佛大學(xué)簽約，將合作研發(fā)利用鐵電材料(Ferroelectrics)的人工神經(jīng)網(wǎng)路半導(dǎo)體元件(Artificial Neural Network Devices)。這項(xiàng)研究計(jì)劃的參與單位還包括半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者科林研發(fā)(
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存儲(chǔ)器市場(chǎng)還能熱多久？SK海力士年K線飆35%、還將續(xù)漲20%？
- 據(jù)海外媒體報(bào)道，存儲(chǔ)器價(jià)格超夯，今年至今韓廠SK 海力士 (SK Hynix )已經(jīng)飆升35%，部分外資相當(dāng)樂觀，預(yù)言還有20%上行空間。 巴倫(Barronˋs)14日?qǐng)?bào)導(dǎo)，DRAM價(jià)格上漲，帶動(dòng)SK海力士一路攀高。DRAMeXchange預(yù)估，第三季DRAM價(jià)格將季增9%，第四季價(jià)格可能會(huì)再飆將近30%。有鑒于此，摩根士丹利(大摩)的Shawn Kim估計(jì)，SK海力士股價(jià)可望續(xù)漲20%。 大摩報(bào)告稱，時(shí)序邁向Q4，DRAM和NAND價(jià)格表現(xiàn)都優(yōu)于預(yù)期，也勝過(guò)SK海力士的預(yù)估。DRAM投
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居全球第六大 SK海力士積極擴(kuò)展CIS事業(yè)
- 據(jù)海外媒體報(bào)道，SK海力士(SK Hynix)計(jì)劃在韓國(guó)利川12吋晶圓廠M10上投產(chǎn)CMOS影像傳感器(CIS)一事備受外界關(guān)注。分析指出，SK海力士將能強(qiáng)化自家CIS事業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，并有望在目前正在更迭的市場(chǎng)版圖上取得甜頭。 韓媒ETNews報(bào)導(dǎo)指出，SK海力士此舉代表著，想要正式挑戰(zhàn)非存儲(chǔ)器市場(chǎng)的企圖心。過(guò)去這段期間，SK海力士不斷苦惱著，在利川12吋新廠M14啟動(dòng)后，該如何使用M10廠。因?yàn)槿绻麑10 DRAM生產(chǎn)量移轉(zhuǎn)至M14，M10里的產(chǎn)線將會(huì)閑置。雖然SK海力士曾經(jīng)表示過(guò)，M10之后可
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第二季DRAM總營(yíng)收小幅增長(zhǎng)6.3%
- TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新報(bào)告顯示，由于市況供過(guò)于求，第二季DRAM的平均銷售單 價(jià)持續(xù)下滑，整體均價(jià)季跌幅超過(guò)5%。然而，受惠于美光20納米及SK海力士21納米產(chǎn)出順利，帶動(dòng)位元供給增長(zhǎng)，使得第二季全球DRAM總營(yíng)收約91億 美元，季增長(zhǎng)6.3%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第二季筆記本電腦及服務(wù)器相 關(guān)產(chǎn)品出貨動(dòng)能表現(xiàn)一般，但中國(guó)地區(qū)的智能手機(jī)出貨依然強(qiáng)勁，因此DRAM三大廠也同步調(diào)整產(chǎn)品類別，持續(xù)向行動(dòng)式內(nèi)存
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Gartner：2015年半導(dǎo)體公司營(yíng)收排行榜
- Gartner 5 日公布 2015 年全球半導(dǎo)體營(yíng)收，受到需求放緩、匯率劇烈變動(dòng)影響，總產(chǎn)值呈現(xiàn)下滑，然半導(dǎo)體老大哥英特爾，即便在接下來(lái)先進(jìn)制程競(jìng)逐，可能落后臺(tái)積電與三星，2015 年仍穩(wěn)坐半導(dǎo)體龍頭寶座，而兩大韓廠三星與 SK 海力士在該年度則分居二、三名。 Gartner 5 日公布 2015 年全球半導(dǎo)體營(yíng)收，需求減緩加上匯率較劇烈的變動(dòng)，使得半導(dǎo)體整體營(yíng)收下滑，全年總產(chǎn)值 3,348 億美元，較去年同期衰退 2.3%，前 25 大廠商占整體半導(dǎo)體廠營(yíng)收比重來(lái)到 73.5%，較 2014
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三星、SK海力士紛量產(chǎn)UFS芯片 手機(jī)存儲(chǔ)器醞釀新風(fēng)暴
- 繼三星電子(Samsung Electronics)推出128GB及256GB通用快閃儲(chǔ)存(Universal Flash Storage;UFS)2.0芯片，SK海力士(SK Hynix)亦投入量產(chǎn)64GB UFS 2.0芯片，盡管東芝(Toshiba)及美光(Micron)尚未在UFS領(lǐng)域有具體成果，然隨著全球NAND Flash市場(chǎng)龍頭及第四大廠紛開始量產(chǎn)UFS芯片，可望加速智慧型手機(jī)存儲(chǔ)器規(guī)格升級(jí)，業(yè)界預(yù)估2016年下半便可看到搭載UFS芯片的高階手機(jī)陸續(xù)上市。 根據(jù)韓國(guó)電子新聞(ET
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