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美國(guó)對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體制裁下:韓國(guó)最杯具 半導(dǎo)體設(shè)備賣不出庫(kù)存積壓嚴(yán)重
- 6月25日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱,自從美國(guó)對(duì)中國(guó)實(shí)施半導(dǎo)體領(lǐng)域制裁以來(lái),韓國(guó)最難受,因?yàn)槠浒雽?dǎo)體舊設(shè)備庫(kù)存積壓嚴(yán)重。韓國(guó)半導(dǎo)體舊設(shè)備庫(kù)存積壓嚴(yán)重,倉(cāng)儲(chǔ)成本讓三星電子、SK海力士非常難受,所以可能會(huì)進(jìn)行一次全面清理,售賣來(lái)自美國(guó)和歐洲的舊設(shè)備,以換取數(shù)億美元現(xiàn)金。自2022年10月起美國(guó)開(kāi)始限制對(duì)華半導(dǎo)體設(shè)備出口(包括二手設(shè)備)以來(lái),韓國(guó)半導(dǎo)體制造商已將大部分舊設(shè)備放在倉(cāng)庫(kù)中。在美國(guó)的壓力下,三星僅向中國(guó)出售較舊的、更容易制造的后段工藝設(shè)備,但不出售前段工藝設(shè)備;SK海力士同樣不出售來(lái)自美國(guó)、歐洲的舊的前段
- 關(guān)鍵字: 韓國(guó)半導(dǎo)體 半導(dǎo)體設(shè)備 三星 SK海力士
整合計(jì)算和高速緩存功能,SK 海力士探索 HBM4E 新封裝方案
- IT之家 5 月 29 日消息,SK 海力士計(jì)劃在 HBM4E 內(nèi)存中集成更多功能,從而將 HBM 產(chǎn)業(yè)推向一個(gè)新的高度。SK 海力士正在積極探索 HBM4E 內(nèi)存,嘗試推出可以整合計(jì)算、高速緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器等多種功能的 HBM 類型,進(jìn)一步提高能效和信號(hào)傳輸速度。IT之家援引韓媒 ETNews 報(bào)道,該方案目前依然停留在概念階段,不過(guò) SK 海力士已經(jīng)著手設(shè)計(jì)相關(guān) IP 朝著這個(gè)目標(biāo)邁進(jìn)。SK 海力士計(jì)劃在 HBM 上集成內(nèi)存控制器,內(nèi)存控制器置于其 HBM 結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)芯片上,賦予第
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SK 海力士出席戴爾科技全球峰會(huì),展示 PVC10 固態(tài)硬盤等存儲(chǔ)新品
- IT之家 5 月 22 日消息,在北京時(shí)間本月 21 日至 24 日舉行的戴爾科技全球峰會(huì)上,SK 海力士帶來(lái)了多款存儲(chǔ)領(lǐng)域新品,涵蓋內(nèi)存、固態(tài)硬盤品類。在消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤領(lǐng)域,SK 海力士展示了尚未正式公布的 PVC10 固態(tài)硬盤。PVC10 采用 PCIe Gen4x4 規(guī)格,支持 M.2 2230/2242/2280 三種物理規(guī)格,可選 256GB~1TB 容量。限于圖片分辨率,IT之家無(wú)法確認(rèn) PVC10 的具體讀寫性能,預(yù)計(jì)將強(qiáng)于此前推出的 BC901。而在企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤方面,SK 海力
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三星和SK海力士計(jì)劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3
- 近兩年,DRAM市場(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過(guò)渡,此外在存儲(chǔ)器市場(chǎng)經(jīng)歷低迷后,供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫(kù)存水平。DDR3內(nèi)存的市場(chǎng)需求量進(jìn)一步減少,更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場(chǎng)消息稱,全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存,全力沖刺高帶寬內(nèi)存(HBM)與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存,很可能帶動(dòng)DDR3內(nèi)存的價(jià)格上漲,預(yù)計(jì)漲幅最高可達(dá)20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3;而SK海力士則在去年
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消息稱 SK 海力士將為特斯拉代工生產(chǎn)電源管理芯片
- IT之家 5 月 16 日消息,韓國(guó)每日經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道稱,SK 海力士代工部門啟方半導(dǎo)體(SK Key Foundry)將于今年下半年開(kāi)始為特斯拉生產(chǎn)電源管理(PMIC)芯片?!?圖源:SK Key Foundry業(yè)內(nèi)人士表示,SK 啟方半導(dǎo)體計(jì)劃最早于 7 月在忠清北道清州工廠的 8 英寸晶圓廠生產(chǎn)電源管理芯片,并安裝在特斯拉電動(dòng)汽車上。除了特斯拉之外,SK 啟方半導(dǎo)體還在汽車功率半導(dǎo)體領(lǐng)域與多個(gè)全球車企展開(kāi)合作,近期還通過(guò)了博世、大陸集團(tuán)等全球領(lǐng)先汽車零部件公司的生產(chǎn)質(zhì)量審查。半導(dǎo)體
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DDR3內(nèi)存正式終結(jié)!三星、SK海力士停產(chǎn) 漲價(jià)20%
- 5月15日消息,據(jù)市場(chǎng)消息稱,三星、SK海力士將在下半年停止生產(chǎn)、供應(yīng)DDR3內(nèi)存,轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更豐厚的DDR5內(nèi)存、HBM系列高帶寬內(nèi)存。DDR3雖然在技術(shù)、性能上已經(jīng)落伍,PC、服務(wù)器都不再使用,但因?yàn)榉浅3墒?,功耗和價(jià)格都很低,在嵌入式領(lǐng)域依然大有可為,尤其是Wi-Fi路由器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等。但對(duì)于芯片廠商來(lái)說(shuō),DDR3利潤(rùn)微薄,無(wú)利可圖,形同雞肋。而在AI的驅(qū)動(dòng)下,HBM高帶寬內(nèi)存需求飆升,產(chǎn)能遠(yuǎn)遠(yuǎn)無(wú)法滿足,2024年和2025年的大部分產(chǎn)能都已經(jīng)被訂滿,HBM2E、HBM3、HBM3E等的價(jià)格預(yù)計(jì)明年
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SK海力士出售無(wú)錫晶圓廠
- 據(jù)韓媒報(bào)道,SK海力士子公司SK海力士系統(tǒng)集成電路(SK Hynix System IC)計(jì)劃將其持有的無(wú)錫晶圓廠(SK Hynix System IC (Wuxi) Limited)49.9%的股權(quán),轉(zhuǎn)讓給中國(guó)無(wú)錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團(tuán)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“無(wú)錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團(tuán)”)。報(bào)道稱,交易將在今年10月份完成。這一戰(zhàn)略舉措旨在進(jìn)一步加強(qiáng)無(wú)錫晶圓廠與中國(guó)市場(chǎng)的聯(lián)系,并擴(kuò)大其在中國(guó)市場(chǎng)的業(yè)務(wù)布局。據(jù)悉,本次股權(quán)轉(zhuǎn)讓計(jì)劃分為兩個(gè)階段。第一階段,SK海力士系統(tǒng)集成電路將以約2054億韓元(約合10.87億元人民幣)的價(jià)格
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SK海力士開(kāi)發(fā)新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”
- · 作為業(yè)界最高性能產(chǎn)品,將于今年第3季度開(kāi)始量產(chǎn)并搭載于端側(cè)AI手機(jī)· 與前一代產(chǎn)品相比,長(zhǎng)期使用所導(dǎo)致的性能下降方面實(shí)現(xiàn)大幅改善,其使用壽命也提升40%· “繼HBM后,也在NAND閃存解決方案領(lǐng)域引領(lǐng)面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)”2024年5月9日,SK海力士宣布,公司開(kāi)發(fā)出用于端側(cè)(On-Device)AI*的移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品“ZUFS**(Zoned UFS)4.0”。SK海力士表示:“ZUFS 4.0為新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品,其產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高
- 關(guān)鍵字: SK海力士 AI 存儲(chǔ) NAND
累計(jì)上漲100%還不停!消息稱SK海力士將對(duì)內(nèi)存等漲價(jià) 至少上調(diào)20%
- 5月6日消息,供應(yīng)鏈爆料稱,SK海力士將對(duì)旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價(jià),漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說(shuō)法,海力士DRAM產(chǎn)品價(jià)格從去年第四季度開(kāi)始逐月上調(diào),目前已累計(jì)上漲約60%-100%不等,下半年漲幅將趨緩??恐鎯?chǔ)漲價(jià),三星電子2024年第一季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到了6.606萬(wàn)億韓元。財(cái)報(bào)顯示,三星電子一季度存儲(chǔ)業(yè)務(wù)營(yíng)收17.49萬(wàn)億韓元,環(huán)比增長(zhǎng)11%,同比暴漲96%,在整體的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收當(dāng)中的占比高達(dá)75.58%。三星表示,一季度存儲(chǔ)市場(chǎng)總體需求強(qiáng)勁,特別是生
- 關(guān)鍵字: SK海力士 三星 DDR5 NAND Flash 上漲
SK海力士計(jì)劃在清州M15X工廠新建DRAM生產(chǎn)基地
- 自SK海力士官網(wǎng)獲悉,4月24日,SK海力士宣布,為應(yīng)對(duì)AI半導(dǎo)體需求的急劇增長(zhǎng),計(jì)劃擴(kuò)大AI基礎(chǔ)設(shè)施核心組件HBM等下一代DRAM的生產(chǎn)能力。SK海力士表示,若理事會(huì)批準(zhǔn)該計(jì)劃,三星電子將在忠北清州M15X工廠建立新的DRAM生產(chǎn)基地,并投資5.3萬(wàn)億韓元用于建設(shè)新工廠。該工廠計(jì)劃于4月底開(kāi)始建設(shè),目標(biāo)是在2025年11月完工,并進(jìn)行早期批量生產(chǎn)。隨著設(shè)備投資的逐步增加,新生產(chǎn)基地的長(zhǎng)期總投資將超過(guò)20萬(wàn)億韓元。(圖源:SK海力士官網(wǎng))SK海力士總經(jīng)理郭魯正(Kwak Noh-Jung)稱,M15X將成
- 關(guān)鍵字: SK海力士 AI DRAM
SK海力士與美國(guó)印第安納州簽約先進(jìn)后端工藝領(lǐng)域投資合作
- 2024年4月4日,SK海力士宣布,在美國(guó)印第安納州西拉斐特(West Lafayette)建造適于AI的存儲(chǔ)器先進(jìn)封裝生產(chǎn)基地,同時(shí)與美國(guó)普渡(Purdue)大學(xué)等當(dāng)?shù)匮芯繖C(jī)構(gòu)進(jìn)行半導(dǎo)體研究和開(kāi)發(fā)合作。公司計(jì)劃向該項(xiàng)目投資38.7億美元。當(dāng)?shù)貢r(shí)間4月3日,公司與印第安納州、普渡大學(xué)、美國(guó)政府有關(guān)人士在位于西拉斐特的普渡大學(xué)舉辦了投資簽約儀式活動(dòng),并在此發(fā)表了上述計(jì)劃。印第安納州州長(zhǎng)埃里克·霍爾科姆(Eric Holcomb)、美國(guó)參議員(印第安納州)托德·楊(Todd Young)、白宮科技政策辦公
- 關(guān)鍵字: SK海力士 后端工藝
SK海力士清算上海公司并轉(zhuǎn)向無(wú)錫,重組中國(guó)業(yè)務(wù)
- 由于上海公司的銷售額持續(xù)下降,SK海力士的中國(guó)業(yè)務(wù)中心已轉(zhuǎn)移到無(wú)錫,因此決定清算上海銷售公司。據(jù)韓媒報(bào)道,韓國(guó)半導(dǎo)體公司SK海力士正在重組其在中國(guó)的業(yè)務(wù)。報(bào)道稱,該公司計(jì)劃關(guān)閉成立于2006年的上海公司,并將重點(diǎn)轉(zhuǎn)移到其半導(dǎo)體制造工廠所在地?zé)o錫,作為其在中國(guó)的新業(yè)務(wù)中心。據(jù)悉,SK海力士在中國(guó)有三家工廠,分別是無(wú)錫DRAM廠、大連NAND閃存廠和重慶封裝廠。由于上海公司的銷售額持續(xù)下降,且與無(wú)錫的地理位置相近,SK海力士的中國(guó)業(yè)務(wù)中心已轉(zhuǎn)移到無(wú)錫,因此公司決定清算上海銷售公司,提高效率降低風(fēng)險(xiǎn)。
- 關(guān)鍵字: SK海力士
兩家存儲(chǔ)大廠:今年HBM售罄
- 近期,SK海力士副社長(zhǎng)Kim Ki-tae表示,今年公司的HBM已經(jīng)售罄,已開(kāi)始為2025年做準(zhǔn)備。稍早之前,美光科技CEO Sanjay Mehrotra也對(duì)外透露,美光2024年的HBM產(chǎn)能預(yù)計(jì)已全部售罄。生成式AI火熱發(fā)展,推動(dòng)了云端高性能AI芯片對(duì)于高帶寬內(nèi)存(HBM)的旺盛需求,存儲(chǔ)大廠積極瞄準(zhǔn)HBM擴(kuò)產(chǎn)。其中,三星電子從2023年四季度開(kāi)始擴(kuò)大HBM3的供應(yīng)。此前2023年四季度三星內(nèi)部消息顯示,已經(jīng)向客戶提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品,并計(jì)劃在今年上半年開(kāi)始量產(chǎn)。到下半年,其占比預(yù)計(jì)將
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ) HBM SK海力士 美光科技
SK海力士“狂飆”,HBM是“救命良藥”
- 最近,SK 海力士披露了亮眼的第四季度財(cái)報(bào),2023 年第四季度實(shí)現(xiàn)扭虧為盈,當(dāng)季營(yíng)業(yè)利潤(rùn) 3460 億韓元(約合 2.6 億美元),而上年同期營(yíng)業(yè)虧損 1.91 萬(wàn)億韓元。這意味著,SK 海力士成功擺脫了從 2022 年第四季度以來(lái)一直持續(xù)的營(yíng)業(yè)虧損情況。相比之下,同為韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭的三星,業(yè)績(jī)卻不盡如人意。數(shù)據(jù)顯示,三星電子去年銷售額為 258.16 萬(wàn)億韓元(1.4 萬(wàn)億元人民幣),同比下滑 14.58%。受半導(dǎo)體部門業(yè)績(jī)不佳影響,三星電子全年?duì)I業(yè)利潤(rùn)時(shí)隔 15 年再次跌至 10 萬(wàn)億韓元(544
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您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條?sk海力士!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)?sk海力士的理解,并與今后在此搜索?sk海力士的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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