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SK海力士接盤英特爾閃存 韓廠商占存儲芯片半壁江山

  • 半導(dǎo)體并購再起  2020年以來,半導(dǎo)體的重磅收購不斷,10月20日,SK海力士和英特爾官宣,SK海力士將以90億美元收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)。本次收購包括英特爾NAND SSD業(yè)務(wù)、NAND部件和晶圓業(yè)務(wù)、以及其在中國大連的NAND閃存制造工廠,不過,英特爾將保留傲騰(Optane)的存儲業(yè)務(wù)?! K海力士在聲明中表示,SK海力士與英特爾將爭取在2021年底前取得所需的政府機(jī)關(guān)許可。在獲取相關(guān)許可后,SK海力士將通過支付第一期70億美元對價從英特爾收購NAND SSD(固態(tài)硬盤)業(yè)務(wù)(包括NAND
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消息稱Intel欲出售內(nèi)存芯片業(yè)務(wù):SK海力士100億美元接手

  • 據(jù)外媒最新消息稱,Intel可能出售內(nèi)存芯片業(yè)務(wù),而接盤者是SK海力士,價格是100億美元。報道中提到,這家半導(dǎo)體巨頭將對自己進(jìn)行重新定位,遠(yuǎn)離一個具有歷史重要性、但正日益受到挑戰(zhàn)的領(lǐng)域。消息人士稱,這兩家公司正就上述交易展開討論,最快可能會在周一宣布,前提是雙方之間的談判不會在最后時刻破裂。目前尚不清楚這筆交易的細(xì)節(jié)信息,如SK海力士具體將收購什么業(yè)務(wù)等。Intel旗下內(nèi)存芯片部門生產(chǎn)NAND閃存產(chǎn)品,主要用于硬盤、拇指驅(qū)動器和相機(jī)等設(shè)備。由于閃存價格下跌的緣故,Intel一直都在考慮退出這項業(yè)務(wù)。雖然
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SK海力士推出全球首款DDR5 DRAM

  • SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM標(biāo)準(zhǔn),此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作為超高速、高容量產(chǎn)品,尤其適用于大數(shù)據(jù)、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等領(lǐng)域。         圖1. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM          圖2. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM          SK海力士于2018年1
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三星、SK海力士、美光停止向華為供貨:內(nèi)存供大于求將持續(xù)到明年

  • 對于華為來說,隨著三星、SK海力士、美光三大內(nèi)存廠商的停止供貨,這也給內(nèi)存市場帶來了不小的傷害。昨天,美光公布的財報顯示,該公司已在9月14日停止向華為出貨。受此消息影響,美光股價在盤后交易中下挫3.6%。美光CEO 桑杰 · 梅洛特 (Sanjay Mehrotra)稱,華為是美光的最大客戶,公司需要時間來彌補(bǔ)損失的訂單。跟美光一樣的是,由于無法在向華為供貨,服務(wù)器內(nèi)存的現(xiàn)貨上漲價格趨勢將停止,三星、SK海力士正在遭遇艱難時刻。據(jù)悉,華為一直是三星和SK海力士的主要客戶,分別占兩家公司銷售額的3%和12
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華為禁令再升級,存儲芯片恐受波及,三星、SK海力士神經(jīng)緊繃

  • 據(jù)韓媒報道,近日,美國再次宣布升級華為禁令,切斷華為向第三方采購芯片的可能,該禁令極有可能使與華為有業(yè)務(wù)往來的韓國企業(yè)也遭受波及。韓半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示,在新的禁令中,包括存儲設(shè)備、邏輯器件等所有的半導(dǎo)體都有可能受到管制,目前正在對當(dāng)?shù)毓緳z查,以確定其是否將存儲半導(dǎo)體納入到管制范圍之內(nèi)。一直以來,華為都是三星和SK海力士等韓國半導(dǎo)體廠商重要的客戶之一。據(jù)SK海力士的半年度報告,該公司今年上半年銷售額的41.2%來自中國,其中很大一部分來自華為。今年三星二季度報告顯示,華為為三星電子整體銷售額貢獻(xiàn)最大的前五
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SK海力士開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’

  • 7月2日,SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度,通過1,024個I/Os(Inputs/Outputs, 輸入/輸出)能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清(FHD)電影(每部3.7GB),是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此,公司的HBM2E借助TSV(Through Silicon Via)技術(shù)將8個16Gb DRAM垂直連接,其容量達(dá)到了16GB,是前一代HBM2容量的兩倍以上。H
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SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’

  • SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個月之后的成果。           圖1. SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM, HBM2E    SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度,通過1,024個I/Os(Inputs/Outputs,  輸入/輸出)能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清(FHD)電影(每部3.
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SK海力士與韓科院合作,利用AI技術(shù)改善芯片制造過程

  • 韓國時報消息,SK海力士12日表示,已與世界頂級的理工大學(xué)韓國科學(xué)技術(shù)院(KAIST)建立合作關(guān)系,將利用人工智能技術(shù)改善芯片制造過程。
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SK海力士與韓科院合作,利用AI技術(shù)改善芯片制造過程

  • 韓國時報消息,SK海力士12日表示,已與世界頂級的理工大學(xué)韓國科學(xué)技術(shù)院(KAIST)建立合作關(guān)系,將利用人工智能技術(shù)改善芯片制造過程。根據(jù)諒解備忘錄,SK海力士將通過云計算將半導(dǎo)體制造過程中產(chǎn)生的數(shù)據(jù)實時提供給韓科院,韓科院將利用AI技術(shù)分析數(shù)據(jù),幫助推動芯片制造過程的發(fā)展。SK海力士表示,今年3月在其總部推出了云計算系統(tǒng),為使韓科院能夠存儲提供的數(shù)據(jù),公司還在該院校的大田校區(qū)和Seongnam-KAIST下一代ICT研究中心設(shè)立了安全數(shù)據(jù)存儲處。SK海力士一直在加強(qiáng)與韓國高等院校的合作關(guān)系,進(jìn)一步提高
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SK海力士第一季度實現(xiàn)凈利潤37億元 同比減少41%

  • 據(jù)國外媒體報道,韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士公布了2020財?shù)谝患径蓉攬?,財報顯示,SK海力士第一季度凈利潤同比減少41%。海力士財務(wù)數(shù)據(jù)SK海力士第一季度實現(xiàn)營收7.2萬億韓元(約合人民幣413億元),同比增長6%。SK海力士第一季度實現(xiàn)營業(yè)利潤為8003億韓元(約合人民幣46億元),同比減少41%;實現(xiàn)凈利潤6491億韓元(約合人民幣37億元),同比減少41%。SK海力士表示,由于DRAM受季節(jié)性淡季以及疫情的影響,移動客戶的需求趨緩, 但隨著服務(wù)器需求的強(qiáng)勢抵銷,DRAM比特出貨量(bit shipme
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128層閃存:中國剛剛突破、SK海力士加速量產(chǎn)

  • 長江存儲近日宣布,已經(jīng)攻克128層堆疊3D QLC閃存技術(shù),單顆容量做到1.33Tb,創(chuàng)造單位面積存儲密度、I/O傳輸速度、單顆芯片容量三個世界第一,首次躋身全球第一隊列水平。當(dāng)前,整個閃存行業(yè)都在全面轉(zhuǎn)向100+層堆疊,其中東芝、西部數(shù)據(jù)是112層,美光、SK海力士是128層,三星是136層,Intel則做到了144層。中國的突破顯然讓國際巨頭們有些不安,紛紛開始提速。三星日前就宣布,正在研發(fā)160層及以上的3D閃存,將成為第七代V-NAND閃存的基礎(chǔ)。在今天的第一季度財務(wù)會議期間,同樣來自韓國的SK海
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SK海力士:PE8000新款企業(yè)級SSD系列可提供樣品

  • 近日,SK海力士宣布“PE8000”新款企業(yè)級SSD(固態(tài)硬盤)系列可提供樣品。PE8000系列是公司最先進(jìn)的企業(yè)級(eSSD)系列,旨在滿足數(shù)據(jù)中心客戶的各種需求。
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SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范:頻率高達(dá)8400MHz、今年量產(chǎn)

  • 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。簡單來說,DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳(廠商一般都會從4800MHz出貨)、最高可達(dá)8400MHz(時序瑟瑟發(fā)抖……)。核心容量密度方面,SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇,也就是說,DDR5時代單條內(nèi)存最大可到128GB。其它參數(shù)也均有明顯改進(jìn),兩個關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和VPP分別從1.2V、2.5V將至1.1V、1.8V,可進(jìn)一步緩解
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SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范:頻率高達(dá)8400MHz、今年量產(chǎn)

  •        盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾?! 『唵蝸碚f,DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳(廠商一般都會從4800MHz出貨)、最高可達(dá)8400MHz(時序瑟瑟發(fā)抖……)。  核心容量密度方面,SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇,也就是說,DDR5時代單條內(nèi)存最大可到128GB?! ∑渌鼌?shù)也均有明顯改進(jìn),兩個關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和
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無錫市政府向SK海力士捐贈新冠病毒防疫物資

  • 日前,中國江蘇省無錫市向SK海力士捐贈的醫(yī)療用口罩和防護(hù)服運抵SK海力士總部。
  • 關(guān)鍵字: 無錫  SK海力士  防疫物資  
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