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美光、SK海力士和西部數(shù)據(jù)都減產(chǎn)存儲芯片,三星:我不減產(chǎn)
- 據(jù)BusinessKorea報道,近日,美光科技、SK海力士和西部數(shù)據(jù)等內存芯片制造商宣布,隨著全球需求的下降,他們將減產(chǎn)。相反,三星電子表示,它不會減少其內存芯片產(chǎn)量,而是通過提高生產(chǎn)線的效率來應對不斷變化的市場環(huán)境。
- 關鍵字: 美光 SK海力士 西部數(shù)據(jù) 三星 存儲芯片
SK海力士全球首個量產(chǎn)128層堆疊4D閃存:沖擊176層
- SK海力士宣布,已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片,此時距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過去了八個月。SK海力士由此實現(xiàn)了業(yè)內最高的閃存垂直堆疊密度,單顆芯片集成超過3600億個閃存單元,每一個可存儲3個比特位,為此SK海力士應用了一系列創(chuàng)新技術,比如超同類垂直蝕刻技術、高可靠性多層薄膜單元成型技術、超快低功耗電路技術,等等。同時,新的128層4D閃存單顆容量1Tb(128MB),是業(yè)內存儲密度最高的TLC閃存,每顆晶圓可生產(chǎn)的比特容量也比96層堆疊增加了40%。雖然包括SK
- 關鍵字: SK海力士
DRAM價格暴跌 韓國前景“一片烏云”
- 根據(jù)據(jù)韓媒《韓鮮日報》報導,DRAM的價格接連下跌,零售的計算機用DRAM價格最終也下跌到5萬韓元以下,這樣的走勢比預期要快許多,預計今年出口的前景也不樂觀?! ≡陧n國電子產(chǎn)品價格比較網(wǎng)“Danawa”上,本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價格是4萬8900韓元,已經(jīng)下跌到5萬韓元以下,與去年4月9萬9270韓元的高點相比下跌了50.7%?! 2B(企業(yè)間交易)市場價格指標也呈暴跌的趨勢,據(jù)市調公司DRAMeXchange指出,2月底的DDR48Gb的固定交易價格是比起今年1月
- 關鍵字: DRAM SK海力士
存儲三巨頭流年不利:三星/SK海力士/美光收入將暴跌29%
- 這兩年,DRAM內存、NAND閃存市場跌宕起伏,也帶動內存條、固態(tài)硬盤持續(xù)動蕩,而作為掌握核心芯片資源的三星電子、SK海力士、美光等巨頭,自然是賺得盆滿缽滿,甚至不惜刻意壓制產(chǎn)能來把控市場?! 〉菚r過境遷,整個市場風云突變,由于季節(jié)性因素、庫存積壓、價格走低等因素影響,三巨頭的日子越來越不好過了?! 「鶕?jù)DigiTimes的調研數(shù)據(jù),2018年第四季度,三星電子、SK海力士、美光的內存、閃存總收入同比大跌了26%,環(huán)比也減少了18%,其中內存17%、閃存20%?! ∮捎诖鎯π酒瑑r格跌勢不斷,下游渠道
- 關鍵字: 存儲 三星 SK海力士 美光
SK海力士首發(fā)標準DDR5內存
- SK海力士官方宣布,公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的下一代DDR5 DRAM內存顆粒,且是首款滿足JEDEC標準規(guī)范的DDR5。 據(jù)介紹,新內存采用SK海力士自家的1Ynm工藝制造,電壓是標準的1.1V,相比于DDR4 1.2V可節(jié)省30%的功耗,同時工作頻率高達5200MHz,相比于DDR4 3200MHz快了足有60%,帶寬也高達41.6GB/s,可以每秒傳輸11部全高清電影。SK海力士計劃2020年起量產(chǎn)這款新型DDR5內存顆粒。 市調機構IDC的數(shù)據(jù)顯示,DDR5內存需求將在20
- 關鍵字: SK海力士 DDR5
SK海力士從惠普和IDT公司購入多項專利,增強自身專利實力
- 據(jù)外媒IAM報道,雖然SK海力士目前在美國面臨著ITC調查,并在中國大陸遭受著專利侵權問題困擾,但近幾個月的專利轉讓數(shù)據(jù)表明,SK海力士仍與既有合作伙伴成功達成了數(shù)項新交易?! 蟮婪Q,SK海力士在其2018年第二季度財報中,兩次補充了專利組合。SK海力士先后收購了惠普(HP)和美國集成設備技術公司(IDT)的專利資產(chǎn)?! 碜悦绹鴮@?USPTO)的記錄表明,今年4月,HP 有六項專利轉讓給 SK 海力士。據(jù)ROL律師事務所(Richardson Oliver Law Group)2018年第二季
- 關鍵字: SK海力士 惠普 IDT
SK海力士宣布業(yè)內首款4D閃存
- 正在美舉辦的Flash Memory Summit首日已經(jīng)結束,亮點頗多?! eynote環(huán)節(jié),倒數(shù)第二個出場(排在我國的長江存儲前)的是SK海力士,它在NAND市場的全球份額排名第五,DRAM份額全球第二?! ∈紫仁?D NAND的技術路線選擇,SK海力士稱,CTF(Charge Trap Flash,電荷捕獲型)比Floating Gate(浮柵型)存儲單元面積更小、速度更快、更耐用(P/E次數(shù)多)?! ∑鋵嵢菑?013年的第一代V-NAND 3D閃存就開始使用CTF了,東芝/西數(shù)(閃迪)的B
- 關鍵字: SK海力士 4D閃存
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