光刻 文章 進入光刻技術(shù)社區(qū)
ASML官網(wǎng)顯示:支持7nm高端DUV光刻機仍可出口

- 荷蘭政府宣布了限制某些先進半導(dǎo)體設(shè)備出口的新規(guī)定,這些規(guī)定將于9月1日生效。具體而言,荷蘭政府將要求先進芯片制造設(shè)備的公司在出口之前須獲得許可證。ASML在其官網(wǎng)發(fā)表聲明稱,該公司未來出口其先進的浸潤式DUV光刻系統(tǒng)(即TWINSCAN NXT:2000i及后續(xù)浸潤式系統(tǒng))時,將需要向荷蘭政府申請出口許可證。而ASML強調(diào),該公司的EUV系統(tǒng)的銷售此前已經(jīng)受到限制。據(jù)ASML官網(wǎng)提供的信息,該公司目前在售的主流浸沒式DUV光刻機產(chǎn)品共有三款,分別是:TWINSCAN NXT:1980Di、TWINSCAN
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事關(guān)EUV光刻技術(shù),中國廠商公布新專利
- 近日,據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)消息,華為技術(shù)有限公司于11月15日公布了一項于光刻技術(shù)相關(guān)的專利,專利申請?zhí)枮?02110524685X。集成電路制造中,光刻覆蓋了微納圖形的轉(zhuǎn)移、加工和形成環(huán)節(jié),決定著集成電路晶圓上電路的特征尺寸和芯片內(nèi)晶體管的數(shù)量,是集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)之一。隨著半導(dǎo)體工藝向7nm及以下節(jié)點的推進,極紫外(extreme ultraviolet,EUV)光刻成為首選的光刻技術(shù)。相關(guān)技術(shù)的EUV光刻機中采用強相干光源在進行光刻時,相干光經(jīng)照明系統(tǒng)分割成的多個子光束具有固定的相位關(guān)系,當(dāng)
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包括光刻!美國禁運6項關(guān)鍵技術(shù)

- 近日美國商務(wù)部工業(yè)安全局(BIS)宣布將六項新興技術(shù)添加到《出口管理條例》(EAR)的商務(wù)部管制清單(CCL)中。據(jù)了解,目前受到出口管制的新興技術(shù)總數(shù)已經(jīng)達到了37項。美國商務(wù)部在官網(wǎng)發(fā)布公告中寫道:“此舉是為了支持關(guān)鍵及新興技術(shù)這一國家戰(zhàn)略.”“關(guān)鍵技術(shù)和新興技術(shù)國家戰(zhàn)略是保護美國國家安全,確保美國在軍事、情報和經(jīng)濟事務(wù)中保持技術(shù)領(lǐng)先地位的重要戰(zhàn)略部署?!泵绹虅?wù)部部長Wilbur Ross說道,并表示“美國商務(wù)部已經(jīng)對30多種新興技術(shù)的出口實施了管控,我們將繼續(xù)評估和確定未來還有哪些技術(shù)需要管控
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臺積電公布3納米光刻規(guī)劃及未來路線

- 臺積電昨天召開了第一次虛擬技術(shù)研討會,公布了3納米光刻及未來路線計劃。過去幾年,臺積電已經(jīng)與英特爾旗鼓相當(dāng),在半導(dǎo)體領(lǐng)域占據(jù)了領(lǐng)導(dǎo)地位。在今年年初英特爾宣布推遲其7納米工藝后,臺積電正抓住機會,以行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的身份繼續(xù)“攻城略地”。據(jù)臺積電高級副總裁米玉杰表示,該公司有計劃繼續(xù)提供有意義的節(jié)點改進,直到N3及以下??偟膩碚f,7納米得到了一系列產(chǎn)品系列的支持,而不僅僅是單一的芯片類型或類別,它貢獻了臺積電2020年第二季度36%的收入。接下來,關(guān)于N5和N6節(jié)點的一些更新。根據(jù)臺積電的說法,N6比N5的邏輯密
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Intel/臺積電/ASML齊捧EUV光刻:捍衛(wèi)摩爾定律
- 日前,中國國際半導(dǎo)體技術(shù)大會(CSTIC)在上海開幕,為期19天,本次會議重點是探討先進制造和封裝。其中,光刻機一哥ASML(阿斯麥)的研發(fā)副總裁Anthony Yen表示,EUV光刻工具是目前唯一能夠處理7nm和更先進工藝的設(shè)備,EUV技術(shù)已經(jīng)被廣泛認為是突破摩爾定律瓶頸的關(guān)鍵因素之一。Yen援引統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,截至2019年第四季度,ASML當(dāng)年共售出53臺EUV NXE:3400系列EUV光刻機,使用EUV機器制造的芯片產(chǎn)量已經(jīng)達到1000萬片。他說,EUV已經(jīng)成為制造7nm、5nm和3nm邏輯集成電
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泛林集團發(fā)布應(yīng)用于EUV光刻的技術(shù)突破
- 近日,泛林集團發(fā)布了一項用于EUV光刻圖形化的干膜光刻膠技術(shù)。泛林集團研發(fā)的這項全新的干膜光刻膠技術(shù),結(jié)合了泛林集團在沉積、刻蝕工藝上的領(lǐng)導(dǎo)地位及其與阿斯麥?(ASML) 和比利時微電子研究中心?(imec)?戰(zhàn)略合作的成果,它將有助于提高EUV光刻的分辨率、生產(chǎn)率和良率。泛林集團的干膜光刻膠解決方案提供了顯著的EUV光敏性和分辨率優(yōu)勢,從而優(yōu)化了單次EUV光刻晶圓的總成本。由于領(lǐng)先的芯片制造商已開始將EUV光刻系統(tǒng)應(yīng)用于大規(guī)模量產(chǎn),進一步提升生產(chǎn)率和分辨率將幫助他們以更合理
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日韓決裂,半導(dǎo)體誰最受傷?

- 6月末也是在大阪召開G20結(jié)束的時間,此次出口限制可謂是對韓國企業(yè)的一次“偷襲”!此次“偷襲”使人想起了第二次世界大戰(zhàn)時的“日本偷襲珍珠港”。
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芯片是如何被制造出來的?芯片光刻流程詳解

- 在集成電路的制造過程中,有一個重要的環(huán)節(jié)——光刻,正因為有了它,我們才能在微小的芯片上實現(xiàn)功能?,F(xiàn)代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前,1822年法國人Nicephore niepce在各種材料光照實驗以后,開始試圖復(fù)制一種刻蝕在油紙上的印痕(圖案),他將油紙放在一塊玻璃片上,玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經(jīng)過2、3小時的日曬,透光部分的瀝青明顯變硬,而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。通過用強酸刻蝕玻璃板,Niepce在1827年制作了一個d’Amboise主教的雕板相的復(fù)制品。
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我國成功研制出的世界首臺分辨力最高紫外超分辨光刻裝備?

- 昨天關(guān)于中國成功超分辨率光刻機的新聞刷爆了朋友圈,這個新聞出來以后,輿論出現(xiàn)了兩個極端,一堆人說很牛,一堆人說吹牛。那么這兩種說法到底誰對誰錯呢? 我們先看一下新聞: 由中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所主導(dǎo)的項目“超分辨光刻裝備研制”29日通過驗收?! ∵@是我國成功研制出的世界首臺分辨力最高紫外超分辨光刻裝備。該光刻機由中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所研制,光刻分辨力達到22納米,結(jié)合多重曝光技術(shù)后,可用于制造10納米級別的芯片。 中科院理化技術(shù)研究所許祖彥院士等驗收組專家一致表示,該光刻機在365nm光源波長
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“合肥造”光刻設(shè)備將打破國外壟斷
- 中國芯片制造業(yè)高端裝備一直以來依賴國外進口,尤其是高端光刻設(shè)備受到西方封鎖,有錢也買不到,或是毫無競價權(quán),國內(nèi)進口集成電路裝備采購每年達數(shù)十億美元。在高新區(qū)的合肥芯碁微電子裝備有限公司,正在通過自主創(chuàng)新,改變這種現(xiàn)況。 據(jù)介紹,合肥芯碁微電子裝備有限公司主要經(jīng)營微電子高端裝備研發(fā)、制造、技術(shù)服務(wù)。公司技術(shù)團隊是以曾承接國家02重大科技專項《130—65nm制版光刻設(shè)備及產(chǎn)業(yè)化》項目核心人員為基礎(chǔ),結(jié)合國內(nèi)外業(yè)界精英組成,60%以上碩博士。團隊骨干均為國內(nèi)首創(chuàng)激光直寫光刻設(shè)備、激光曝光
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SEMI:2013年全球光刻掩膜板市場預(yù)計可達33.5億美元規(guī)模
- 技術(shù)問題更讓人頭痛,隨著線寬必須不斷縮小的趨勢下,廠商面臨諸多艱巨的挑戰(zhàn),更多先進的光刻掩膜板工具和材料必須應(yīng)運而生,但卻僅有部份的客戶會轉(zhuǎn)移至更小尺寸的產(chǎn)品,而且似乎對于專有光刻掩膜板廠商的依賴也日益加深,因此批發(fā)式光刻掩膜板產(chǎn)業(yè)必須在一個正在萎縮的市場上找到它的平衡點,既能進行技術(shù)升級發(fā)展也能兼顧資本成本。 SEMI最近發(fā)表了《Photomask Characterization Summary》,對2011年的光刻掩膜板市場提供詳細的分析,并以全球七個主要地區(qū),包括北美、日本、歐洲、臺灣、
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光刻介紹
光刻 利用照相復(fù)制與化學(xué)腐蝕相結(jié)合的技術(shù),在工件表面制取精密、微細和復(fù)雜薄層圖形的化學(xué)加工方法。光刻原理雖然在19世紀初就為人們所知,但長期以來由于缺乏優(yōu)良的光致抗蝕劑而未得到應(yīng)用。直到20世紀50年代,美國制成高分辨率和優(yōu)異抗蝕性能的柯達光致抗蝕劑(KPR)之后,光刻技術(shù)才迅速發(fā)展起來,并開始用在半導(dǎo)體工業(yè)方面。光刻是制造高級半導(dǎo)體器件和大規(guī)模集成電路的關(guān)鍵工藝之一,并已用于刻劃光柵、 [ 查看詳細 ]
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