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首次加入EUV極紫外光刻!臺積電二代7nm+工藝已量產

作者:上方文Q 時間:2019-05-27 來源:快科技 收藏

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201905/400867.htm

官方宣布,已經開始批量生產 N7+工藝,這是第一次、也是行業(yè)第一次量產EUV極紫外技術,意義非凡,也領先Intel、三星一大步。

表示,+ EVU工藝的良品率已經提高到和初代同樣的水平,將今年帶動7nm工藝芯片的產能顯著提升。

臺積電預計2019年的總產能折合可達1200萬塊300mm晶圓,其中7nm工藝的會有100萬塊,比去年猛增150%。

根據(jù)此前消息,華為麒麟985將率先應用臺積電7nm+ EUV工藝,有望用于Mate 30系列。盡管遭遇美國限令,但是臺積電方面已經明確表示,至少目前不會停止向華為供貨。

另外,蘋果的A13也已經鎖定臺積電7nm+,今年的新iPhone就靠它了。

臺積電還透露,正穩(wěn)步推進下一代5nm工藝,全面應用EUV技術,已經開始風險性試產,預計2020年第一季度量產。

位于臺灣南部科技園的新工廠Fab 18已經開始設備搬遷與安裝,將在明年投產時直接上馬5nm,并為未來的3nm工藝做好準備。

另外臺積電還有個過渡性質的6nm工藝,基于7nm改進而來,預計2020年第一季度試產,非常適合現(xiàn)有7nm工藝用戶直接升級。

首次加入EVU極紫外光刻!臺積電二代7nm+工藝已量產



關鍵詞: 光刻 臺積電 7nm

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