功率元件文章進(jìn)入功率元件技術(shù)社區(qū)

CAGR達(dá)49%，2030全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)?；蛏?3.76億美元

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報(bào)告《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析》顯示，隨著英飛凌、德州儀器對(duì)GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復(fù)合年增長(zhǎng)率）高達(dá)49%。其中非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會(huì)從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景為核心。AI應(yīng)用普及，GaN有望成為減熱增效的幕后英雄AI技術(shù)的演進(jìn)，帶動(dòng)算力需求持續(xù)攀升，C
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TrendForce：預(yù)計(jì)2030年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模上升至43.76億美元

8月15日消息，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報(bào)告顯示，隨著英飛凌、德州儀器對(duì)GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復(fù)合年增長(zhǎng)率）高達(dá)49%。報(bào)告顯示，非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會(huì)從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景為核心。
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2023年SiC功率元件營(yíng)收排名，ST以32.6%市占率穩(wěn)居第一

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動(dòng)汽車應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下保持強(qiáng)勁成長(zhǎng)，前五大SiC功率元件供應(yīng)商約占整體營(yíng)收91.9%，其中ST以32.6%市占率持續(xù)領(lǐng)先，onsemi則是由2022年的第四名上升至第二名。TrendForce集邦咨詢分析，2024年來(lái)自AI服務(wù)器等領(lǐng)域的需求則顯著大增，然而，純電動(dòng)汽車銷量成長(zhǎng)速度的明顯放緩和工業(yè)需求走弱正在影響SiC供應(yīng)鏈，預(yù)計(jì)2024年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)營(yíng)收年成長(zhǎng)幅度將較過(guò)去幾年顯著收斂。作為關(guān)鍵的車用SiC MOSFE
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ADI氮化鎵功率元件和工具為設(shè)計(jì)帶來(lái)了機(jī)會(huì)

氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體在 20 世紀(jì) 90 年代初首次作為高亮度藍(lán)色發(fā)光二極管 (LED) 投入商業(yè)應(yīng)用，隨后成為藍(lán)光光盤播放器的核心技術(shù)。自此以后雖已取得長(zhǎng)足進(jìn)步，但在將近二十年后，該技術(shù)才因其高能效特性而在場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 上實(shí)現(xiàn)商業(yè)可行性。氮化鎵目前是半導(dǎo)體行業(yè)增長(zhǎng)最快的細(xì)分市場(chǎng)之一，復(fù)合年增長(zhǎng)率估計(jì)在 25% 至 50% 之間，其驅(qū)動(dòng)力來(lái)自對(duì)能效更高設(shè)備的需求，以期實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展和電氣化目標(biāo)。與硅晶體管相比，氮化鎵晶體管可以設(shè)計(jì)出體積更小、效率更高的器件。氮化鎵最初
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集邦咨詢：新能源車需求助攻GaN功率元件

TrendForce集邦咨詢表示，2021年隨著各國(guó)于5G通訊、消費(fèi)性電子、工業(yè)能源轉(zhuǎn)換及新能源車等需求拉升，驅(qū)使如基站、能源轉(zhuǎn)換器(Converter)及充電樁等應(yīng)用需求大增，使得第三代半導(dǎo)體GaN及SiC元件及模組需求強(qiáng)勁。其中，以GaN功率元件成長(zhǎng)幅度最高，預(yù)估今年?duì)I收將達(dá)8,300萬(wàn)美元，年增率高達(dá)73%。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，GaN功率元件，其主要應(yīng)用大宗在于消費(fèi)性產(chǎn)品，至2025年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)8.5億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率高達(dá)78%。前三大應(yīng)用占比分別為消費(fèi)性電子60%、新能源車20
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件

與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開(kāi)發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請(qǐng)這些研究小組的技術(shù)人員，以論
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使用燒結(jié)銅的功率元件封裝技術(shù) 可靠性提高10倍

　　日立制作所在“PCIMEurope2016”并設(shè)的會(huì)議上發(fā)表了使用燒結(jié)銅的功率元件封裝技術(shù)。該技術(shù)的特點(diǎn)是，雖為無(wú)鉛封裝材料，但可降低材料成本并提高可靠性。　　對(duì)作為可靠性指標(biāo)的“功率循環(huán)耐受量”實(shí)施測(cè)定的結(jié)果顯示，循環(huán)次數(shù)達(dá)到了以往含鉛焊錫的10倍以上。具體來(lái)說(shuō)，在功率元件最大結(jié)溫(Tjmax)為175℃、ΔTj為125℃的條件下實(shí)施功率循環(huán)試驗(yàn)時(shí)，以往的含鉛焊錫最高為5萬(wàn)次，而使用燒結(jié)銅時(shí)達(dá)到55萬(wàn)次。在實(shí)施-40℃至+200℃的熱循
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電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的無(wú)風(fēng)險(xiǎn)路徑(下)

　　接上篇 ???? 步驟2——構(gòu)建　　構(gòu)建系統(tǒng)的第一個(gè)步驟是創(chuàng)建一個(gè)電源系統(tǒng)的方框圖，從輸出開(kāi)始，然后向輸入后向推進(jìn)。從最低功率級(jí)別開(kāi)始它的運(yùn)作更好，并從那里繼續(xù)工作，以便可以審查功率元件類別，并隨功率級(jí)別的增加在必要時(shí)做出改變。　　根據(jù)適當(dāng)功率級(jí)別選擇正確的元件類別非常重要。例如，在低功耗條件下，系統(tǒng)級(jí)封裝產(chǎn)品(SiP)，如Vicor ZVS降壓穩(wěn)壓器是最好的解決方案。在較高功率級(jí)別，更好的方法可能是使用Vicor的ChiP
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電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的無(wú)風(fēng)險(xiǎn)路徑(上)

　　摘要：現(xiàn)在，高性能電源系統(tǒng)已經(jīng)有了長(zhǎng)足進(jìn)展，設(shè)計(jì)人員正在使用多個(gè)輸入電壓，驅(qū)動(dòng)種類繁多應(yīng)用的多路電壓軌。為了確保PoL穩(wěn)壓器盡可能靠近負(fù)載的需求，設(shè)計(jì)人員需要在一個(gè)非常小的范圍實(shí)現(xiàn)大量功率轉(zhuǎn)換功能。與此同時(shí)，企業(yè)資源正趨于擴(kuò)展到工程師，常常是由多面手，而不是電源專家來(lái)負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)。因此，當(dāng)今復(fù)雜的電源要求可能令設(shè)計(jì)人員非常頭痛：如何利用不同資源為多樣化的負(fù)載提供高性能電源，從而保證架構(gòu)的所有部分都在其功率和散熱范圍內(nèi)運(yùn)行，同時(shí)還可優(yōu)化效率和成本目標(biāo)。　　工程師如何充分利用現(xiàn)在可用的高性能構(gòu)建模
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強(qiáng)化功率元件戰(zhàn)力 MCU廠猛攻直流變頻馬達(dá)

　　微控制器(MCU)廠商正積極補(bǔ)強(qiáng)功率半導(dǎo)體元件戰(zhàn)力，強(qiáng)攻直流變頻馬達(dá)市場(chǎng)。無(wú)論是直流無(wú)刷馬達(dá)(BLDC)或永磁同步馬達(dá)(PMSM)，其與交流感應(yīng)馬達(dá)最大的不同之處，就在于變頻電路的設(shè)計(jì)，因此MCU廠為了直攻變頻馬達(dá)市場(chǎng)，除了提升MCU的控制性能之外，亦戮力強(qiáng)化與MCU搭配的功率元件戰(zhàn)力。　　德州儀器(TI)馬達(dá)事業(yè)部現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師劉俊男表示，歐盟在2015年時(shí)預(yù)計(jì)將7.5千瓦(kW)以上之馬達(dá)最低能效標(biāo)準(zhǔn)(MEPS)提升至IE3，到2017年時(shí)，才將IE3管制范圍向下探至0.75kW以上，從這
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英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時(shí)尚早

GaN被認(rèn)為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來(lái)自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒(méi)到廣泛使用的時(shí)候，因它還有很多未被探索出來(lái)的部分。
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車用功率元件新思路，滿足車規(guī)為首要任務(wù)

隨著美國(guó)電動(dòng)車大廠Tesla在電動(dòng)車市場(chǎng)開(kāi)始突破重圍后，全球電動(dòng)車市場(chǎng)也開(kāi)始彌漫著一股相當(dāng)樂(lè)觀的氣氛。不過(guò)， ...
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PV逆變器應(yīng)用升溫，推動(dòng)SiC功率元件發(fā)展

碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽(yáng)能（PV）逆變器應(yīng)用市場(chǎng)攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳...
關(guān)鍵字： PV 逆變器 SiC 功率元件

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率

與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開(kāi)發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請(qǐng)這些研究小組的技術(shù)人員，以論
關(guān)鍵字： SiC 講座功率元件氧化鎵

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件（二）

基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時(shí)，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
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