功率mosfet 文章 進(jìn)入功率mosfet技術(shù)社區(qū)
功率MOSFET的開關(guān)損耗的研究
- 本文詳細(xì)分析計算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知...
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Vishay Siliconix推出0.6mm超低外形MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用0.6mm超低外形的熱增強(qiáng)Thin PowerPAK? SC-70封裝的新款30V N溝道---SiA444DJT和20V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面積內(nèi)，新的SiA444DJT實(shí)現(xiàn)了N溝道MOSFET當(dāng)中業(yè)內(nèi)最低的外形，而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。
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IR新型-30VP溝道功率MOSFET使設(shè)計更簡單靈活
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉(zhuǎn)換或充電泵電路，使其成為系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān)應(yīng)用非常理想的解決方案。 IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘
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IR 新型-30V P 溝道功率MOSFET 使設(shè)計更簡單靈活
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉(zhuǎn)換或充電泵電路，使其成為系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān)應(yīng)用非常理想的解決方案。 IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘
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IR 推出為開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化的 AUIRF7648M2 和 AUIRF7669L2
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天宣布針對開關(guān)應(yīng)用，推出兩款具有低柵級電荷的車用 DirectFET?2 功率 MOSFET ，這些開關(guān)應(yīng)用包括開關(guān)電源 (SMPS) 、D 類音頻系統(tǒng)、高強(qiáng)度氣體放電燈 (HID) 照明，以及其它汽車電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。 AUIRF7648M2 和 AUIRF7669L2 是 IR為 DC-DC 應(yīng)用量身定制的首款汽車級 DirectFET? 器件，提供低
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瑞薩發(fā)布雙類型功率MOSFET DC/DC轉(zhuǎn)換器
- 瑞薩科技（Renesas Technology Corp.）近日宣布，推出適用于筆記本電腦及通信設(shè)備等產(chǎn)品的存儲器或ASIC同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器的RJK0383DPA。該器件集成雙類型功率MOSFET，可以實(shí)現(xiàn)更高的電源效率。據(jù)悉，此器件樣品將于在2008年10月在日本開始供應(yīng)。 RJK0383DPA集成了兩種不同類型的雙功率MOSFET，構(gòu)成了一個采用WPAK『注1』（瑞薩封裝代碼）高熱輻射封裝的同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器，其面積為5.1×6.1 mm，厚度為0.8 mm（最大）
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功率MOSFET的保護(hù)
- 功率MOSFET的薄弱之處是柵極絕緣層易被擊穿損壞，柵源間電壓不得超過
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TNY256型單片機(jī)開關(guān)電源及其應(yīng)用
- 摘要：單片開關(guān)電源具有性價比高、外圍電路簡單、效率高、功耗低等顯著特點(diǎn)，文中介紹了TNY256的性能特點(diǎn)、工作原理，并給出了TNY256的典型應(yīng)用電路。 關(guān)鍵詞：單片開關(guān)電源 TNY256 自動重啟計數(shù)器 功率MOSFET 1 TNY256的性能特點(diǎn)
- 關(guān)鍵字： 單片開關(guān)電源 TNY256 自動重啟計數(shù)器 功率MOSFET MCU和嵌入式微處理器
安森美推出新SOT-723封裝功率MOSFET
- 安森美半導(dǎo)體推出采用小型SOT-723封裝，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代功率MOSFET，這些新低臨界值功率MOSFET采用安森美半導(dǎo)體領(lǐng)先業(yè)內(nèi)的Trench技術(shù)來取得能夠和SC-89或SC-75等大上許多封裝MOSFET器件匹敵的電氣和功率性能表現(xiàn)。 NTK3134N是一款20 V, 890 mA的N通道MOSFET，NTK3139P則是-20 V, -780 mA的P通道MOSFET，兩款器件在高于200 mA工作電
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集鎮(zhèn)流器控制、驅(qū)動及功率MOSFET于一體的STR－B5450系列組合IC
- 摘 要：STR－B5450是日本三肯公司生產(chǎn)的集控制電路、高壓驅(qū)動器及兩只功率開關(guān)MOSFET于一體的系列SankenTM組合IC，使用該IC能使熒光燈電子鎮(zhèn)流器元件數(shù)量減少約40％。并具有預(yù)熱、點(diǎn)火、調(diào)光、自動再啟動、開/關(guān)與復(fù)位及故障/失效保護(hù)等功能。工作可靠，最大輸出功率達(dá)200W。本文介紹了該器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理及典型應(yīng)用。 關(guān)鍵詞：鎮(zhèn)流器； 控制驅(qū)動； 調(diào)光； STR－B5450 分類號：TM571 文獻(xiàn)標(biāo)識：B &
- 關(guān)鍵字： 鎮(zhèn)流器控制 驅(qū)動 功率MOSFET STR－B5450 模擬IC 電源
功率mosfet介紹
“MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的縮寫，意即“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管”，功率MOSFET即為以金屬層M的柵極隔著氧化層O利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體S的場效應(yīng)晶體管。除少數(shù)應(yīng)用于音頻功率放大器，工作于線性范圍，大多數(shù)用作開關(guān)和驅(qū)動器，工作于開關(guān)狀態(tài)，耐壓從幾十伏到上千伏，工作電流可達(dá)幾安培到幾十安培。 [ 查看詳細(xì) ]
功率mosfet專欄文章
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