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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 半導(dǎo)體

2004年3月17日,眾華電子成為國內(nèi)首家獲ARM認(rèn)證的設(shè)計(jì)中心

  •   2004年3月17日 眾華電子成為國內(nèi)首家獲A R M認(rèn)證的設(shè)計(jì)中心,ARM在中國擴(kuò)展合作伙伴,加速中國和國際半導(dǎo)體公司的產(chǎn)品上市時(shí)間。
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2002年11月13日,Xilinx公司在深圳設(shè)立辦事處

  •   2002年11月13日,領(lǐng)先的可編程邏輯器件(PLD)供應(yīng)商賽靈思公司(Xilinx)宣布,在深圳成立新的辦事處,以更好地滿足中國市場對其PLD產(chǎn)品的需求。   由于PLD新興應(yīng)用領(lǐng)域的迅速拓展、中國本土新興企業(yè)的增多、跨國公司研發(fā)機(jī)構(gòu)向中國的轉(zhuǎn)移以及來自傳統(tǒng)客戶的穩(wěn)定營收,中國已經(jīng)成為Xilinx公司最重要的新興市場。“為滿足現(xiàn)有的PLD應(yīng)用以及非傳統(tǒng)PLD應(yīng)用的需要,也為了更好地為我們現(xiàn)有及潛在客戶提供服務(wù),Xilinx公司在深圳市開設(shè)了辦事處。” Xilinx公司總裁兼
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晶片制造商期??新技術(shù)撐起晶片業(yè)的復(fù)興

  • 在8月12日出版的《財(cái)富》雜志刊文指出,盡管經(jīng)濟(jì)低迷,2001年晶片市場的銷售萎縮了30%,但是晶片制造商對新技術(shù)的熱衷并未因此而減退,期??新技術(shù)能夠支撐起晶片業(yè)的復(fù)興
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西進(jìn)大陸是企業(yè)全球化重要策略

  • 臺灣產(chǎn)業(yè)的西進(jìn)大陸動(dòng)作,引起新政府的諸多疑慮,但此次來臺叁與學(xué)術(shù)會議的美國知名學(xué)府華盛頓大學(xué)商務(wù)學(xué)院院長古博達(dá)表示,企業(yè)赴國外投資是無可阻擋的全球化趨勢
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2000年10月10日,Jack Kilby 榮獲諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)

  •   Jack?Kilby?所發(fā)明的集成電路使微電子學(xué)成為所有現(xiàn)代技術(shù)的基礎(chǔ)。2000?年,為表彰其在這一領(lǐng)域的突出貢獻(xiàn),諾貝爾獎(jiǎng)委員會授予Jack?Kilby??當(dāng)年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。
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2000年5月14日,Maxim成立上海辦事處

  •   2000年5月14日,Maxim成立上海辦事處
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1999年3月,信產(chǎn)部研制出國內(nèi)第一臺8英寸硅片用擴(kuò)散爐

  •   1999年3月,信息產(chǎn)業(yè)部第48所研制出國內(nèi)第一臺8英寸硅片用擴(kuò)散爐。
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1998年,中興通訊設(shè)立美國研究所

  •   1998年,中興通訊設(shè)立美國研究所(新澤西、圣地亞哥、硅谷3家)。
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1998年,中興通訊獲巴基斯坦交換總承包項(xiàng)目

  •   1998年,中興通訊獲巴基斯坦交換總承包項(xiàng)目,金額為9700萬美元,是當(dāng)時(shí)中國通信制造企業(yè)在海外獲得的最大一個(gè)通信“交鑰匙”工程項(xiàng)目,令世界矚目。
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1997年12月31日,Maxim成立北京辦事處,設(shè)立樣品中心

  •   1997年12月31日,Maxim成立北京辦事處,設(shè)立樣品中心
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1997年,中興通訊在深交所A股上市

1996年1月,首鋼日電技術(shù)升級項(xiàng)目實(shí)施

  •   1996年1月,首鋼日電技術(shù)升級項(xiàng)目實(shí)施,將中國IC制造工藝水平提升到6英寸,0.5微米。
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1995年,中興通訊啟動(dòng)國際化戰(zhàn)略,1996年獲得孟加拉交換總承包項(xiàng)目

  •   1995年,中興通訊啟動(dòng)國際化戰(zhàn)略,1996年獲得孟加拉交換總承包項(xiàng)目。
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1993年3月,國務(wù)院提出的機(jī)構(gòu)改革方案

  •   1993年3月,八屆人大第一次會議第四次全體會議審議批準(zhǔn)了國務(wù)院提出的機(jī)構(gòu)改革方案,其中包括撤銷機(jī)械電子工業(yè)部、中國電子工業(yè)總公司和組建機(jī)械工業(yè)部、電子工業(yè)部。
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1993年1月,國務(wù)院國辦發(fā)【1993】1號文

  •   1993年1月,國務(wù)院國辦發(fā)【1993】1號文《國務(wù)院辦公廳關(guān)于成立集成電路專項(xiàng)領(lǐng)導(dǎo)小組的通知》。
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半導(dǎo)體 介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]

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