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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 單晶硅

浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心 50mm 厚 6 英寸碳化硅單晶生長成功，且晶體質(zhì)量達到業(yè)界水平

  • IT之家 7 月 28 日消息，據(jù)浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心發(fā)布，近日浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院-乾晶半導體聯(lián)合實驗室和浙江大學硅材料國家重點實驗室在浙江省“尖兵計劃”等研發(fā)項目的資助下，成功生長出厚度達到 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。該重要進展意味著，碳化硅襯底成本有望大幅降低，半導體碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展或?qū)⒂瓉戆l(fā)展新契機。據(jù)介紹，碳化硅（SiC）單晶作為寬禁帶半導體材料，對高壓、高頻、高溫及高功率等半導體器件的發(fā)展至關重要。目前，國內(nèi)碳化硅單晶的直徑已經(jīng)普遍能達到 6 英寸，但
  • 關鍵字： 浙江大學  單晶硅  

光伏電池的原理及發(fā)展現(xiàn)狀

  • 光伏電池的原理及發(fā)展現(xiàn)狀-本文闡述了太陽能光伏電池的原理， 綜述了國內(nèi)外光伏發(fā)電技術的發(fā)展現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢。
  • 關鍵字： 薄膜光伏  單晶硅  光伏電池  

單晶硅強勢回歸 單多之爭風云再起

  • 雖然單晶硅顯示出了強勢回歸的態(tài)勢，但在太陽能發(fā)電路線上，多晶硅與單晶硅之爭還將在很長一段時間內(nèi)持續(xù)下去。
  • 關鍵字： 單晶硅  

美二次光伏雙反余波：單晶硅有望借機上位

  • 　　日前，美國商務部公布對華第二次光伏產(chǎn)品雙反調(diào)查終裁結(jié)果：認定從中國大陸進口的晶體硅光伏產(chǎn)品存在傾銷和補貼行為，裁定中國大陸廠商傾銷幅度26.71%~165.04%;補貼幅度27.64%~49.79%。根據(jù)相關程序，2015年1月29日美國國際貿(mào)易委員會將做出損害終裁。 　　業(yè)內(nèi)人士分析，此次光伏雙反的裁決對國內(nèi)光伏企業(yè)最大的負面影響莫過于稅率將大幅提高，主要為反傾銷稅和反補貼稅，從而導致成本提高，銷售價格增加。不過，此次雙反未將硅片納入到雙反調(diào)查范圍內(nèi)，硅片制造商也免于懲罰性扣稅。由于單晶硅產(chǎn)品在海
  • 關鍵字： 光伏  單晶硅  

國內(nèi)外太陽能光伏市場最新動態(tài)聚焦：光伏淘金熱來了？

  • 所謂的各種熱，帶來的都是不理性，產(chǎn)業(yè)上往往導致產(chǎn)能過剩，惡性競爭。
  • 關鍵字： 太陽能  光伏  單晶硅  

光伏行業(yè)熱點觀察：多晶硅市場將死？

  • 　到2024年單晶硅片將占據(jù)晶硅市場的50%左右。雖然多晶硅的呼聲一度很高，但實際情況是，單晶成本也在持續(xù)下降，而電站數(shù)量也不少。多晶硅的未來，有些不清晰...
  • 關鍵字： 光伏  單晶硅  

天合光能單晶硅組件輸出功率創(chuàng)世界紀錄

  • 　　2014年4月8日，天合光能宣布，其單晶硅太陽能光伏組件(60片156mmX156mm單晶硅電池)創(chuàng)造了P型單晶硅組件輸出功率新的世界紀錄。該項成果經(jīng)第三方TUVRheiland(萊茵)權威認證機構(gòu)測試，峰值輸出功率(Pmax)高達326.3瓦，表明其量產(chǎn)PERC(PassivatedEmitterRearCell)單晶硅高效組件達到世界領先水平。創(chuàng)造這一紀錄的組件是基于設在天合光能的中國光伏科學與技術國家重點實驗室研發(fā)平臺研制，采用的是公司自主研發(fā)的中試量產(chǎn)HoneyUltra高效單晶太陽能電池片。
  • 關鍵字： 天合光能  單晶硅  

從4004到core i7——處理器的進化史-CPU構(gòu)成零件-1

  • 在下面的兩個帖子當中，我將簡短地介紹構(gòu)成CPU的零件，一種晶體管。我將展示如何完成最簡單的設計，這相當于IC設計中的Hello world，并且略微提到Hello world的幾種變體。
  • 關鍵字： CPU  IC設計  單晶硅  MOS  硅  

關注光伏政策進一步落實的明確目標

  • 　　《意見》內(nèi)容核心仍圍繞此前國務院常務會議提出的政策方向，即：積極開拓光伏應用市場;加快產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整和技術進步;規(guī)范產(chǎn)業(yè)發(fā)展秩序;完善并網(wǎng)管理和服務;完善具體支持政策等。文件本身并無顯著超過市場預期的內(nèi)容，但對幾個數(shù)字的首次明確提出仍值得關注，同時建議密切關注相關政策后續(xù)的具體落實情況。 　　1.《意見》在總體要求中提出：“2013—2015年，年均新增光伏發(fā)電裝機容量1000萬千瓦(10GW)左右，到2015年總裝機容量達到3500萬千瓦(35GW)以上?！边@是我
  • 關鍵字： 單晶硅  光伏  

光伏企業(yè)持續(xù)虧損抑制N型單晶硅產(chǎn)品發(fā)展

  • 　　太陽能市場的不景氣已嚴重遏制光伏企業(yè)的科技發(fā)展。盡管N型單晶硅高效產(chǎn)品很可能實現(xiàn)P型多單晶硅太陽能產(chǎn)品所“望塵莫及”的突破，但絕大多數(shù)太陽能企業(yè)依然對投資新科技持保守態(tài)度。 　　太陽能制造商指出，高轉(zhuǎn)換效率是太陽能產(chǎn)業(yè)的主要目標之一。鑒于物理性質(zhì)方面限制，目前主流型別的太陽能產(chǎn)品(即P型單多晶硅)的轉(zhuǎn)換效率仍未超越20%。然而，N型單晶硅并無此類物理限制。 　　臺灣太陽能制造商表示，目前多家光伏企業(yè)遭受虧損之累，即使一些有興趣投資研發(fā)N型多晶硅太陽能產(chǎn)品的企業(yè)也沒有雄厚的財
  • 關鍵字： Kaneka  太陽能  單晶硅  

光伏產(chǎn)業(yè)：盛宴散去之后

  • 　　來自浙江省能源局的最新信息顯示，受歐美“雙反”調(diào)查影響，今年前三季度，浙江省光伏產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值僅200多億元，比去年同期下降51%。與此同時,今年前三季度全省光伏企業(yè)總虧損約30億元，全年全省光伏企業(yè)行業(yè)虧損面將達到80%。 　　浙江光伏產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀，只是中國光伏產(chǎn)業(yè)困境的縮影。 　　“雙反”引發(fā)行業(yè)虧損 　　先是美國“雙反”，再是歐盟跟進，現(xiàn)在連與我國光伏產(chǎn)品貿(mào)易額只有16億元的印度也跟著加入了對華光伏產(chǎn)品“雙反&rd
  • 關鍵字： 昱輝  光伏  單晶硅  

資本重新涌入光伏 行業(yè)處于抄底時嗎

  • 　　最近一段時間，資本市場上的個別光伏類股票異動頻繁。比如說，在香港上市的全球最大的多晶硅料供應商保利協(xié)鑫GCL，在不到一個月的時間內(nèi)，股價從1.2港元/股左右上漲到1.6港元/股左右，漲幅接近40%，資本有大幅涌入的跡象。 　　同樣的，在美國上市的中國企業(yè)江西賽維LDK，也在不到一個月時間內(nèi)從0.7美元/股左右回升到0.98美元/股，漲幅也是40%左右。 　　而光伏實業(yè)方面，資本也沒有閑著。比如，在此光伏行業(yè)“寒冬”之際，2012年9月20日“隆基股份上市暨500
  • 關鍵字： GCL  光伏  單晶硅  

我國首臺單晶硅片多線切割機面世

  • 。因受到關鍵技術的制約，目前國內(nèi)太陽能級單晶硅材料多線切割機完全依賴進口。為打破國外壟斷，中國電子科技集團第四十五研究所依托自身在半導體材料加工設備領域豐富的人才、智力、技術資源優(yōu)勢，聯(lián)合晶龍實業(yè)集團、河北工業(yè)大學等單位，聯(lián)合進行太陽能級單晶硅材料多線切割機項目的攻關，經(jīng)過近4年的努
  • 關鍵字： 太陽能  單晶硅  

全世界十大單晶硅太陽能電池廠商

  • 下表列出全球目前市售的十大最高效率單晶硅太陽能電池信息。近年來，由于傳統(tǒng)化石燃料引起環(huán)境問題，使太...
  • 關鍵字： 全世界  單晶硅  太陽能  

王占國院士：半導體材料將走向“納米化”

  • 　　半導體是介于導體和絕緣體之間的材料。自1947年12月23日正式發(fā)明后，在家電、通信、網(wǎng)絡、航空、航天、國防等領域得到廣泛應用，給電子工業(yè)帶來革命性的影響。2010年，全球半導體市場達到2983億美元，拉動上萬億美元的電子產(chǎn)品市場。 　　伴隨著半導體市場的壯大，半導體材料也不斷獲得突破。王占國介紹，一般將鍺和硅稱為第一代半導體材料。將砷化鎵、磷化銦等稱為第二代半導體材料，而將寬禁帶的碳化硅、氮化鎵和金剛石等稱為第三代半導體材料。 　　第一代材料中，12英寸單晶硅已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)，18英寸單晶硅已在實
  • 關鍵字： 半導體  單晶硅  
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單晶硅介紹

硅是地球上儲藏最豐富的材料之一，從19世紀科學家們發(fā)現(xiàn)了晶體硅的半導體特性后，它幾乎改變了一切，甚至人類的思維。直到上世紀60年代開始，硅材料就取代了原有鍺材料。硅材料――因其具有耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜制作大功率器件的特性而成為應用最多的一種半導體材料，目前的集成電路半導體器件大多數(shù)是用硅材料制造的。 　　硅的單晶體。具有基本完整的點陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的 [ 查看詳細 ]

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