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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 氧化鎵

下一代半導(dǎo)體氧化鎵器件光電探測器應(yīng)用與測試

  • _____氧化鎵（Ga2O3）探測器是一種基于超寬禁帶半導(dǎo)體材料的光電探測器，主要用于日盲紫外光的探測。其獨特的物理化學(xué)特性使其在多個應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)出廣泛的前景。探測器性能由于材料不同、結(jié)構(gòu)不同、制備工藝以及應(yīng)用場景的不同的區(qū)別會有較大的性能差異。而性能指標(biāo)之間往往存在制約，例如暗電流和輸出電流、靈敏度和響應(yīng)度、可靠性和靈敏度等需要權(quán)衡和折中。對于性能表征也是如此，高響應(yīng)度一定無法和高精度電流表征同時進(jìn)行。Tektronix提供了多種性能、架構(gòu)的測試儀器儀表，滿足探測器在不同極限維度下測試的需求。氧化鎵的
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第四代半導(dǎo)體氧化鎵蓄勢待發(fā)！

  • 新能源汽車大勢之下，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展風(fēng)生水起。與此同時，第四代半導(dǎo)體也在蓄勢待發(fā)，其中，氧化鎵（Ga2O3）基于其性能與成本優(yōu)勢，有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導(dǎo)體材料。鴻海入局氧化鎵近期媒體報道，鴻海研究院半導(dǎo)體所與陽明交大電子所合作，雙方研究團(tuán)隊在第四代半導(dǎo)體的關(guān)鍵技術(shù)上取得重大突破，提高了氧化鎵在高壓、高溫應(yīng)用領(lǐng)域的高壓耐受性能。本次研究利用磷離子布植和快速熱退火技術(shù)實現(xiàn)了第四代半導(dǎo)體P型氧化鎵的制造，并在其上重新生長N型和 N+型Ga2O3，形成了PN Ga2O3 二極體，結(jié)果展
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中國科研團(tuán)隊第四代半導(dǎo)體氧化鎵領(lǐng)域獲重要突破

  • 近日，廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院楊偉鋒教授團(tuán)隊在第四代半導(dǎo)體氧化鎵（β-Ga2O3）外延生長技術(shù)和日盲光電探測器制備方面取得重要進(jìn)展，為β-Ga2O3異質(zhì)外延薄膜的大面積生長和高性能的器件應(yīng)用提供了重要支持。β-Ga2O3材料因其本征日盲光吸收(254 nm)，簡單二元組成，帶隙可調(diào)，制備工藝簡單等優(yōu)勢在日盲光電探測器領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注。在β-Ga2O3薄膜生長方面，研究團(tuán)隊利用分子束外延技術(shù)（MBE）實現(xiàn)了高質(zhì)量、低缺陷密度的外延薄膜生長。并通過改變反應(yīng)物前驅(qū)體和精密控制生長參數(shù)，成功實現(xiàn)了β-Ga2O3
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三菱電機投資氧化鎵功率半導(dǎo)體

  • 3月26日，在三菱電機舉辦的主題為可持續(xù)發(fā)展倡議在線會議上，三菱電機宣布將對有望成為下一代半導(dǎo)體的氧化鎵（Ga2O3）進(jìn)行投資研發(fā)。與主要用于電動汽車（xEV）的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體相比，三菱電機稱這一布局是“為擴(kuò)大更高電壓的市場”。三菱電機表示，2024年~2030年，公司將投入約9000億日元（折合人民幣約430億元）用于碳化硅、氧化鎵等下一代功率半導(dǎo)體、材料和產(chǎn)品的回收利用、可再生能源等綠色領(lǐng)域的研發(fā)。據(jù)了解，2023年7月，該公司宣布已投資Novel Crystal Technology（N
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碳化硅風(fēng)頭正勁，小心！氧化鎵蓄勢待發(fā)

  • 近期，媒體報道進(jìn)化半導(dǎo)體完成近億元人民幣融資。據(jù)悉，進(jìn)化半導(dǎo)體是以國際首創(chuàng)無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導(dǎo)體襯底企業(yè)，創(chuàng)立于2021年5月，專注于以創(chuàng)新技術(shù)制備氧化鎵為代表的新一代半導(dǎo)體材料。稍早之前，鎵仁半導(dǎo)體宣布完成數(shù)千萬天使輪融資。該公司是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。為滿足日益增長的多元需求，半導(dǎo)體從以硅、鍺為代表的第一代材料，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料，發(fā)展至以氧化鎵為代表的第四代半導(dǎo)體
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中國科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

  • IT之家 12 月 12 日消息，據(jù)中國科大發(fā)布，第 68 屆 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM, 國際電子器件大會) 近期在美國舊金山召開。IEEE IEDM 是年度微電子和納電子學(xué)術(shù)會議，是報告半導(dǎo)體和電子器件技術(shù)、設(shè)計、制造、物理和建模等領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)突破的世界頂級論壇，其與 ISSCC、VLSI 并稱為集成電路和半導(dǎo)體領(lǐng)域的“奧林匹克盛會”。中國科大國家示范性微電子學(xué)院龍世兵教授課題組兩篇關(guān)于氧化鎵器件的研究論文（高功率氧
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電子產(chǎn)業(yè)未來的材料——氧化鎵（Ga2O3）

  • 可以說，人類在20世界下半葉開始，絕大部分的科技成果都建立在電子計算機之上，而半導(dǎo)體材料，就是各類現(xiàn)代信息技術(shù)的基石。自上世紀(jì)50年代，以硅和鍺為代表的第一代半導(dǎo)體材料為人類信息技術(shù)的高速發(fā)展走出了第一步；時間來到20世紀(jì)90年代，第二代半導(dǎo)體橫空出世，以砷化鎵、磷化銦為代表的材料為人類在無線電通訊、微波雷達(dá)及紅光 LED方面起到了舉足輕重的作用；而近十年來，也被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料的氮化鎵和碳化硅、氧化鋅等第三代半導(dǎo)體，直接推動了功率器件、短波長光電器件、光顯示、光存儲、 光探測、透明導(dǎo)電等領(lǐng)域的高速發(fā)
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第四代半導(dǎo)體材料呼之欲出 —— 氧化鎵或?qū)⒄旧螩位

  • 一般來說，半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。迄今為止，半導(dǎo)體材料主要分為：基于Ⅳ族硅Si、鍺Ge元素的第一代半導(dǎo)體；基于Ⅲ-Ⅴ族砷化鎵、磷化銦的第二代半導(dǎo)體以及基于Ⅲ-Ⅴ族氮化鎵、Ⅳ族碳化硅的第三代半導(dǎo)體等。過去一年里，我們看到隨著市場對半導(dǎo)體性能的要求不斷提高，及各種利好政策相繼出臺，第三代半導(dǎo)體等新型化合物材料憑借其性能優(yōu)勢嶄露頭角，迎來了產(chǎn)業(yè)爆發(fā)風(fēng)口。在第三代半導(dǎo)體萬眾矚目的時刻，?第四代半導(dǎo)體也正逐漸進(jìn)入我們的視線?。半導(dǎo)體材料的發(fā)展之路· 第
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功率半導(dǎo)體氧化鎵到底是什么

  • 　　目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應(yīng)用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會有非常廣闊的發(fā)展前景?！　∪欢?，SiC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨特優(yōu)勢。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來。　　實際上，氧化鎵并不是很新的技術(shù)，多年前就
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件

  • 與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機源于日本信息通信研究機構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員，以論
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率

  • 與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機源于日本信息通信研究機構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員，以論
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件（二）

  • 基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
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氧化鎵介紹

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