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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 氮化鎵

第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項(xiàng)目落戶廣西桂林

  • 日前，高新區(qū)管委會(huì)與位于臺(tái)灣的欣憶電子股份有限公司通過(guò)視頻連線召開海峽兩岸項(xiàng)目推進(jìn)會(huì)，就第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項(xiàng)目推進(jìn)開展“云洽談”。這個(gè)亞太地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備商的領(lǐng)頭羊即將把16億元的項(xiàng)目放到漓東這片熱土上。
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氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目在嘉興開工

  • 近日，氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目樁基開工。這個(gè)項(xiàng)目總投資25億元，占地111.35畝，分兩期實(shí)施，全部達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)年銷售30億元以上，可進(jìn)一步推動(dòng)嘉興集成電路新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
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第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）或引發(fā)充電革命？

  • 半導(dǎo)體行業(yè)在摩爾定律的“魔咒”下已經(jīng)狂奔了50多年，隨著半導(dǎo)體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限，摩爾定律對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的加速度已經(jīng)明顯放緩。除了進(jìn)一步發(fā)展在摩爾定律下的制造工藝外，尋找硅（Si）以外新一代的半導(dǎo)體材料，也就成了一個(gè)重要方向。在這個(gè)過(guò)程中，氮化鎵（GaN）近年來(lái)作為一個(gè)高頻詞匯，進(jìn)入了人們的視野。GaN是一種新型的半導(dǎo)體材料，中文名為氮化鎵，英文名稱是 Gallium nitride。它是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（Direct Bandgap）的半導(dǎo)體，也是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料。與碳化硅（
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氮化鎵“爆紅”，康佳全面布局半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

  • 提起康佳這個(gè)品牌,相信很多人第一印象都會(huì)想到電視機(jī)。不過(guò)近些年由于市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的家居,康佳電視的風(fēng)光程度也大不如從前。不過(guò)康佳也早有未雨綢繆,從家電行業(yè)轉(zhuǎn)進(jìn)半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)的不止格力電器一家,康佳公司這兩年也開始布局芯片市場(chǎng)。并且成果漸顯,首款存儲(chǔ)芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)引發(fā)多方關(guān)注?？导讶雸?chǎng)芯片領(lǐng)域康佳集團(tuán)于1992年上市,曾是中國(guó)彩電和手機(jī)行業(yè)的龍頭公司,擁有消費(fèi)多媒體、移動(dòng)通信、信息網(wǎng)絡(luò)和相關(guān)配套器件等產(chǎn)業(yè)板塊。2018年5月,康佳宣布由家電企業(yè)轉(zhuǎn)型為以科技創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的投資平臺(tái),同時(shí)成立了半導(dǎo)體科技事業(yè)部,正式進(jìn)軍芯片
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ST與TSMC攜手推動(dòng)氮化鎵使用率

  • 加快先進(jìn)功率氮化鎵解決方案的開發(fā)和上市；充分利用意法半導(dǎo)體的汽車市場(chǎng)專業(yè)知識(shí)和臺(tái)積電的世界領(lǐng)先的制造技術(shù)；改進(jìn)寬帶隙產(chǎn)品的能效，使功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用獲得更高能效。
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Power Integrations發(fā)布基于氮化鎵的InnoSwitch3 AC-DC變換器IC

  • 美國(guó)加利福尼亞州圣何塞，2019年7月25日訊– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日發(fā)布InnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)電源IC的新成員。新IC可在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)提供95%的高效率，并且在密閉適配器內(nèi)不使用散熱片的情況下可提供100 W的功率輸出。這一突破性的性能提升源自內(nèi)部開發(fā)的高壓氮化鎵開關(guān)技術(shù)。準(zhǔn)諧振模式的InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro I
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5G時(shí)代，砷化鎵依舊稱王？

  • 5G時(shí)代即將來(lái)臨，有觀點(diǎn)認(rèn)為第二代砷化鎵芯片面臨被取代的命運(yùn)，甚至有許多砷化鎵廠商宣稱早已跨進(jìn)第三代...
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國(guó)內(nèi)碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，5G芯片國(guó)產(chǎn)化再進(jìn)一步

  • 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，作為蕪湖大院大所合作的重點(diǎn)項(xiàng)目，國(guó)產(chǎn)化5G通信芯片用最新一代碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，打破國(guó)外壟斷。這標(biāo)志著今后國(guó)內(nèi)各大芯片企業(yè)生產(chǎn)5G通信芯片，有望用上國(guó)產(chǎn)材料。
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碳化硅VS氮化鎵，寬禁帶半導(dǎo)體材料雙雄能否帶中國(guó)實(shí)現(xiàn)彎道超車？

  • 在現(xiàn)實(shí)世界中，沒(méi)有人可以和“半導(dǎo)體”撇清關(guān)系。雖然這個(gè)概念聽上去可能顯得有些冰冷，但是你每天用的電腦，手機(jī)以及電視等等，都會(huì)用到半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體的重要性自不必說(shuō)，今天我們來(lái)說(shuō)一下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中一個(gè)很關(guān)鍵的組成部分，那就是半導(dǎo)體材料。
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半導(dǎo)體發(fā)展經(jīng)歷三代變革 推動(dòng)社會(huì)發(fā)展

  • 第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)正在成為搶占下一代信息技術(shù)、節(jié)能減排及國(guó)防安全制高點(diǎn)的最佳途徑之一，是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的重要組成內(nèi)容。
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英飛凌氮化鎵解決方案投入量產(chǎn)

  • 　　英飛凌科技股份公司攜氮化鎵(GaN)解決方案CoolGaN? 600 V增強(qiáng)型HEMT和氮化鎵開關(guān)管專用驅(qū)動(dòng)IC(GaN EiceDRIVER? IC)，精彩亮相2018年德國(guó)慕尼黑電子展。英飛凌展示了其產(chǎn)品的優(yōu)越性：它們具備更高功率密度，可實(shí)現(xiàn)更加小巧、輕便的設(shè)計(jì)，從而降低系統(tǒng)總成本和運(yùn)行成本，以及減少資本支出。隨著CoolGaN 600 V增強(qiáng)型HEMT和GaN EiceDRIVER柵極驅(qū)動(dòng)IC的推出，目前，英飛凌是市場(chǎng)上唯一一家提供涵蓋硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的全系列
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用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化GaN性能

  • 將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。
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讓我們一起實(shí)現(xiàn)氮化鎵的可靠運(yùn)行

  • 我經(jīng)常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟，大潮之下，沒(méi)人能獨(dú)善其身。每年，我們都看到市場(chǎng)
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碳化硅/氮化鎵組件進(jìn)入商品化 電力電子產(chǎn)業(yè)迎來(lái)大革命

  • LinkedIn隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。 這些新組件雖然
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氮化鎵（GaN）技術(shù)推動(dòng)電源管理不斷革新

  • 　　Ahmad Bahai，德州儀器(TI)公司首席技術(shù)官　　我們可以想象一下：當(dāng)你駕駛著電動(dòng)汽車行駛在馬路上，電動(dòng)車充電設(shè)備的充電效率可以達(dá)到你目前所用充電效率的兩倍;僅有一半大小的電機(jī)驅(qū)動(dòng)比目前應(yīng)用的效率更高;筆記本電腦電源適配器小到可以放進(jìn)口袋。　　電子設(shè)備的未來(lái)取決于電源管理創(chuàng)新?！　』蛘咴O(shè)想一下：每個(gè)簡(jiǎn)單的互聯(lián)網(wǎng)搜索查詢使用的電力足以灼燒一個(gè)60瓦燈泡約17秒。現(xiàn)在乘上每天發(fā)生的數(shù)十億次的查詢，便可以獲得數(shù)十億千瓦時(shí)的能耗?！　「行У毓芾砟茉床⒄加酶】臻g，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵(G
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氮化鎵介紹

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