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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 氮化鎵

飛宏新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用Transphorm的氮化鎵技術(shù)

  • 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)宣布，全球電源產(chǎn)品和電動汽車充電站供應(yīng)商飛宏(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用了該公司的氮化鎵技術(shù)。這款適配器采用Transphorm的SuperGaN?第四代技術(shù)，這是一種氮化鎵場效應(yīng)管(FET)平臺，具有以下優(yōu)點：系統(tǒng)設(shè)計簡單，元件數(shù)量少，性能更高，可靠性一流。飛宏的65W適配器外形小巧(51 x 55.3 x 29 mm)，配備兩個US
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功率半導(dǎo)體組件的主流爭霸戰(zhàn)

  • 功率半導(dǎo)體組件與電源、電力控制應(yīng)用有關(guān)，特點是功率大、速度快，有助提高能源轉(zhuǎn)換效率，多年來，功率半導(dǎo)體以硅（Si）為基礎(chǔ)的芯片設(shè)計架構(gòu)成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導(dǎo)體材料出現(xiàn)，讓功率半導(dǎo)體組件的應(yīng)用更為多元，效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點高功率組件應(yīng)用研發(fā)聯(lián)盟秘書長林若蓁博士（現(xiàn)職為臺灣經(jīng)濟研究院研究一所副所長）指出，功率半導(dǎo)體組件是電源及電力控制應(yīng)用的核心，具有降低導(dǎo)通電阻、提升電力轉(zhuǎn)換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體管）與IGBT（絕緣
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比銀行卡還要小的多，智融推出65W 3C口超薄氮化鎵快充方案

  • 前言65W氮化鎵充電器能夠為手機和電腦提供理想的快充體驗，同時不需要PFC，從成本和體積上都很有優(yōu)勢，是工廠和消費者選擇的主力產(chǎn)品。隨著近年來平面變壓器技術(shù)的成熟，通過使用平面變壓器取代傳統(tǒng)繞線變壓器，充電器從常規(guī)的方塊形態(tài)進化成為餅干形態(tài)，更加便于攜帶。智融科技推出了多款可用于氮化鎵充電器的協(xié)議降壓二合一芯片，在車充和氮化鎵快充中應(yīng)用非常廣泛。智融推出了用于氮化鎵開關(guān)管的初級主控芯片SW1106，支持直驅(qū)增強型氮化鎵開關(guān)管，進一步完善氮化鎵快充產(chǎn)品線，致力于推出一站式氮化鎵快充電源解決方案。充電頭網(wǎng)已經(jīng)
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Transphorm推出參考設(shè)計組合，加快USB-C PD氮化鎵電源適配器的開發(fā)

  • 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.?近日宣布推出七款參考設(shè)計，旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發(fā)。該參考設(shè)計組合包括廣泛的開放式框架設(shè)計選項，覆蓋多種拓撲結(jié)構(gòu)、輸出和功率（45W至140W）。SuperGaN?技術(shù)的差異化優(yōu)勢?電源適配器參考設(shè)計采用SuperGaN第IV代650V FET，具有設(shè)計簡單、可靠性高和性能強勁的優(yōu)勢，這些特點已經(jīng)成為Transphorm氮化鎵器件的代名詞。在最近的對比分析中，與1
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氮化鎵集成電路縮小電動自行車和無人機的電機驅(qū)動器

  • 基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計EPC9173無論是在尺寸、性能、續(xù)航里程、精度和扭矩方面，優(yōu)化了電機系統(tǒng)且簡化設(shè)計和加快產(chǎn)品推出市場的時間。我們可以把這種微型逆變器放進電機外殼中，從而把電磁干擾減到最小、實現(xiàn)最高的功率密度和最輕的重量。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC9173，它是一款三相無刷直流電機驅(qū)動逆變器，采用具備嵌入式柵極驅(qū)動器功能的EPC23101 eGaN?集成電路和一個3.3 mΩ導(dǎo)通電阻的浮動功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管。EPC9173在20 V和85 V之間的輸入電源電壓下工作，峰值電
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EPC新推最小型化的40V、1.1m?場效應(yīng)晶體管,可實現(xiàn)最高功率密度

  • 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（EPC2066），為設(shè)計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。全球行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商宜普電源轉(zhuǎn)換公司 為業(yè)界提供增強型氮化鎵（eGaN?）功率場效應(yīng)晶體管和集成電路，新推40 V、典型值為0.8 mΩ的EPC2066氮化鎵場效應(yīng)晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。EPC2066的低損耗和小尺寸使其成為用于最新服務(wù)器和人工智能的高功率密度、40 V~60 V/12 V DC/
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Power Integrations的InnoSwitch4-CZ系列高集成度開關(guān)IC已擴展至220W

  • 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布InnoSwitch?4-CZ系列高頻率、零電壓開關(guān)(ZVS)反激式開關(guān)IC再添新品。當(dāng)與Power Integrations的ClampZero?有源鉗位IC或者最近發(fā)布的HiperPFS?-5氮化鎵功率因數(shù)校正IC搭配使用時，新IC可輕松符合最新的USB PD 3.1標準，設(shè)計出高達220W的適配器和充電器?！吧虅?wù)旅行者需要輕便、緊湊、強大的適配器，能夠為他們所有的重要設(shè)備快速充電。新型InnoSwitch4-C
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Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg就車規(guī)氮化鎵功率模塊達成合作

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia近日宣布與國際著名的為汽車行業(yè)提供先進電子器件的供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系，攜手研發(fā)車規(guī)氮化鎵(GaN)功率模塊。雙方長期保持著緊密的聯(lián)系，此次進一步合作的目標是共同開發(fā)GaN功率器件在電動汽車(EV)上的應(yīng)用。隨著客運車輛日益電氣化，市場對功率半導(dǎo)體的要求也在不斷提高，需要在越來越高的功率密度下提供高效的功率轉(zhuǎn)換。高壓功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)與創(chuàng)新型封裝技術(shù)相結(jié)合，可以滿
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意法半導(dǎo)體和MACOM成功開發(fā)射頻硅基氮化鎵原型芯片,取得技術(shù)與性能階段突破

  • ?●? ?產(chǎn)品達到成本和性能雙重目標，現(xiàn)進入認證測試階段●? ?實現(xiàn)彈性量產(chǎn)和供貨取得巨大進展服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司(以下簡稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于這一成果，意法半導(dǎo)體和MACOM將繼續(xù)攜手，深化合作。射頻硅基氮化
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新一代單片式整合氮化鎵芯片 升級功率電路性能

  •  在這篇文章里，imec氮化鎵電力電子研究計劃主持人Stefann Decoutere探討在200V GaN-on-SOI智能功率芯片（IC）平臺上，整合高性能蕭基二極管與空乏型高電子遷移率晶體管（HEMT）的成功案例。該平臺以p型氮化鎵（GaN）HEMT制成，并成功整合多個GaN組件，將能協(xié)助新一代芯片擴充功能與升級性能，推進GaN功率IC的全新發(fā)展。同時提供DC/DC轉(zhuǎn)換器與負載點（POL）轉(zhuǎn)換器所需的開發(fā)動能，進一步縮小組件尺寸與提高運作效率。電力電子半導(dǎo)體的最佳解答：氮化鎵（GaN）過去
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EPC新推最小型化的100 V、2.2 m?氮化鎵場效應(yīng)晶體管

  • 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（EPC2071）,為設(shè)計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。全球行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商宜普電源轉(zhuǎn)換公司為業(yè)界提供增強型氮化鎵（eGaN?）功率場效應(yīng)晶體管和集成電路，最新推出100 V、典型值為1.7 mΩ?的EPC2071氮化鎵場效應(yīng)晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。?EPC2071是面向要求高功率密度的應(yīng)用的理想器件，包括用于新型服務(wù)器和人工智能的
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意法半導(dǎo)體首款氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器瞄準下一代50W高能效電源設(shè)計

  • VIPERGAN50是意法半導(dǎo)體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓（9 V至23 V）下提供高達50?W功率的產(chǎn)品。這也是ST首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件。得益于650 V GaN器件，VIPERGAN50在自適應(yīng)間歇工作模式(burstmode) 開啟的情況下，待機功耗低于30 mW。此外，該器件的保護功能可提高穩(wěn)健性并有助于減少所用的物料。QFN5x6 mm封裝也使其成為業(yè)內(nèi)同等功率輸出中封裝最小的器件之一。VIPERGAN50已批量供貨，配有USB-PD供電端口的開
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第三代半導(dǎo)體核芯氮化鎵，何時紅透半邊天？

  • 半導(dǎo)體研究隨著以空間技術(shù)、計算機為導(dǎo)向的第三次科技革命（1950年）拉開帷幕。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為知識技術(shù)高度密集、資金密集、科研密集型產(chǎn)業(yè)，由上游（半導(dǎo)體材料）、中游（光電子、分立器件、傳感器、集成電路）、下游（終端電子產(chǎn)品）組成。第一代半導(dǎo)體材料：硅、鍺元素。金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）已在各類電子器件、集成電路中廣泛應(yīng)用。第二代半導(dǎo)體材料：砷化鎵、磷化銦等化合物。禁帶寬度比第一代半導(dǎo)體材料大，但擊穿電壓不夠高，在高溫、高功率下應(yīng)用效果不理想，砷化鎵源材料有
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射頻硅基氮化鎵：兩個世界的最佳選擇

  • 　　當(dāng)世界繼續(xù)努力追求更高速的連接，并要求低延遲和高可靠性時，信息通信技術(shù)的能耗繼續(xù)飆升。這些市場需求不僅將5G帶到許多關(guān)鍵應(yīng)用上，還對能源效率和性能提出了限制。5G網(wǎng)絡(luò)性能目標對基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件提出了一系列新的要求，增加了對高度可靠的射頻前端解決方案的需求，提高了能源效率、更大的帶寬、更高的工作頻率和更小的占地面積。在大規(guī)模MIMO（mMIMO）系統(tǒng)的推動下，基站無線電中的半導(dǎo)體器件數(shù)量急劇增加，移動網(wǎng)絡(luò)運營商在降低資本支出和運營支出方面面臨的壓力更加嚴峻。因此，限制設(shè)備成本和功耗對于高效5G網(wǎng)絡(luò)的安裝和
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從手機快充到電動汽車，氮化鎵功率半導(dǎo)體潛力無限

  • 　　近期，蘋果“爆料大神”郭明錤透露，蘋果可能年某個時候推出下一款氮化鎵充電器，最高支持30W快充，同時采用新的外觀設(shè)計。　　與三星、小米、OPPO等廠商積極發(fā)力氮化鎵快充產(chǎn)品相比，蘋果在充電功率方面一直較為“保守”。去年10月，伴隨新款MacBook Pro的發(fā)布，蘋果推出了140W USB-C電源適配器（下圖），這是蘋果首款采用氮化鎵材料的充電器，售價729元。圖片來源：蘋果　　如今，蘋果有望持續(xù)加碼氮化鎵充電器，氮化鎵功率半導(dǎo)體市場有望迎來高歌猛進式發(fā)展。手機等快充需求上升，氮化鎵功率市場規(guī)模將達1
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氮化鎵介紹

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