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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 氮化鎵

英飛凌：功率半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步為電路創(chuàng)新提供契機(jī)

  • 近年來(lái)，由于節(jié)能環(huán)保的概念日益深化，在資源有限的現(xiàn)實(shí)環(huán)境下，各國(guó)政府以及相關(guān)機(jī)構(gòu)也相應(yīng)制定出法律法規(guī)，積極發(fā)展綠色能源。像太陽(yáng)能、電動(dòng)車(chē)，以及充電站等配套設(shè)備，需要依靠高效率的電源轉(zhuǎn)換器，才能使設(shè)備發(fā)揮出最佳性能。
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌，電源轉(zhuǎn)換器技術(shù)，氮化鎵  

氮化鎵的卓越表現(xiàn)：推動(dòng)主流射頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)規(guī)?；?、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對(duì)能力

  • 　　數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)?！　∨cLDMOS相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)已牢固確立——它可提供超過(guò)70%的功率效率，將每單位面積的功率提高4到6倍，并且可擴(kuò)展至高頻率。同時(shí)，綜合測(cè)試數(shù)據(jù)已證實(shí)，硅基氮化鎵符合嚴(yán)格的可靠性要求，其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)替代技術(shù)?！　」杌壋蔀樯漕l半導(dǎo)體
  • 關(guān)鍵字： 氮化鎵  LDMOS  

氮化鎵襯底晶片實(shí)現(xiàn)“中國(guó)造”

  • 　　一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長(zhǎng)壽命的器件，是理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。這個(gè)“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)蘇州納維)的主打產(chǎn)品。 　　“不會(huì)游泳的時(shí)候就跳下了水” 　　蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國(guó)首家氮化鎵襯底晶片供應(yīng)商， 團(tuán)隊(duì)從氮化鎵單晶材料氣相生長(zhǎng)的設(shè)備開(kāi)始研發(fā)，逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
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用GaN重新考慮功率密度

  • 用GaN重新考慮功率密度-電力電子世界在1959年取得突破，當(dāng)時(shí)Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產(chǎn)，從那時(shí)起，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級(jí)別。
  • 關(guān)鍵字： mosfet  氮化鎵  pfc  

氮化鎵有望乘5G起飛 亟需建立產(chǎn)業(yè)鏈

  • 　　隨著氮化鎵(GaN)不斷應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效電晶體(MOSFET)等元件上，不少業(yè)內(nèi)專(zhuān)家直言，電力電子產(chǎn)業(yè)即將迎來(lái)技術(shù)的大革命。氮化鎵雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅元件高出一大截，但其開(kāi)關(guān)速度、切換損失等性能指標(biāo)，也是硅元件難以望其項(xiàng)背的。特別是近年來(lái)隨著氮化鎵廣泛被應(yīng)用于手機(jī)快充、電源以及5G市場(chǎng)，氮化鎵即將引領(lǐng)半導(dǎo)體技術(shù)革命的呼聲越來(lái)越高。 　　有望于手機(jī)快充、5G市場(chǎng)起飛 　　當(dāng)下，氮化鎵的主要應(yīng)用市場(chǎng)是手機(jī)快充、電源產(chǎn)業(yè)。近年來(lái)手機(jī)快充技術(shù)不斷發(fā)展，已成為智能手機(jī)標(biāo)配，而促進(jìn)其普及的重要推手便是氮化
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我國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展路線圖漸明晰

  • 　　6月26日電(記者余曉潔)到2030年，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)力爭(zhēng)全產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)入世界先進(jìn)行列，部分核心關(guān)鍵技術(shù)國(guó)際引領(lǐng)，核心環(huán)節(jié)有1至3家世界龍頭企業(yè)，國(guó)產(chǎn)化率超過(guò)70%……第三代半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略發(fā)布會(huì)25日在京舉行。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲如是描述我國(guó)第三代半導(dǎo)體的“中國(guó)夢(mèng)”。 　　第二屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽同日啟動(dòng)。大賽圍繞第三代半導(dǎo)體裝備、材料、器件、工藝、封裝、應(yīng)用及設(shè)計(jì)與仿真方面的技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新，以及商業(yè)模式創(chuàng)新等內(nèi)容征集參
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  氮化鎵  

5G PA高功率需求增 氮化鎵組件身價(jià)看漲

  • 　　具高功率特性的氮化鎵(GaN)，將可滿足5G對(duì)功率放大器(PA)的高頻需求，并具有超越砷化鎵(GaAs)的十足潛力。未來(lái)氮化鎵將逐步在手機(jī)的5G功率放大器中出現(xiàn)，基地臺(tái)的功率放大器應(yīng)用也是其另一項(xiàng)發(fā)展主力。 　　絡(luò)達(dá)科技技術(shù)長(zhǎng)林珩之表示，5G基地臺(tái)的功率放大器將會(huì)以砷化鎵與氮化鎵制程為主，因其是功率主導(dǎo)(PowerHandle)，并以表現(xiàn)度為主要衡量指針。但這樣的制程需更多的校準(zhǔn)(Calibration)程序，成本會(huì)比較高。不過(guò)，基地臺(tái)的整體數(shù)量相較于手機(jī)應(yīng)用是比較少的，因此即便其成本略高，仍在客戶
  • 關(guān)鍵字： 氮化鎵  

氮化鎵發(fā)展評(píng)估

  • 本文介紹了氮化鎵的發(fā)展歷程，并與砷化鎵和LDMOS進(jìn)行對(duì)比與分析，介紹了氮化鎵在軍事、無(wú)線基站及射頻能量等方面的特性和未來(lái)發(fā)展的廣闊市場(chǎng)。
  • 關(guān)鍵字： 氮化鎵  砷化鎵  LDMOS  201701  

日本設(shè)立共同研究室 加快氮化鎵功率器件研發(fā)進(jìn)程

  • 　　據(jù)報(bào)道，共同研究室預(yù)計(jì)將于2017年3月底前后設(shè)置、最初由總計(jì)10名左右的研究人員參加。該研究室力爭(zhēng)將“氮化鎵”這種物質(zhì)運(yùn)用在控制電流的新一代半導(dǎo)體功率器件等中。 　　據(jù)了解，“氮化鎵”是天野研發(fā)的獲諾貝爾獎(jiǎng)的藍(lán)色發(fā)光二級(jí)管(LED)的材料。該研究室力爭(zhēng)把名古屋大學(xué)研制氮化鎵結(jié)晶的技術(shù)與該機(jī)構(gòu)調(diào)查物質(zhì)性質(zhì)的技術(shù)相結(jié)合，加快研發(fā)進(jìn)程。 　　天野是小出在名古屋大學(xué)念書(shū)時(shí)低一屆的學(xué)弟。兩人在名城大學(xué)終身教授赤崎勇(2014年分享諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng))門(mén)下一同進(jìn)行
  • 關(guān)鍵字： 氮化鎵  功率器件  

氮化鎵（GaN）晶體管設(shè)備越薄越冷

  • 　　伊利諾伊大學(xué)研究人員開(kāi)發(fā)出新的氮化鎵(GaN)熱控制方法 　　GaN晶體管比傳統(tǒng)的硅晶體管具有更高的功率密度，可以在較高溫度下運(yùn)行(500℃以下)，但像所有半導(dǎo)體那樣，GaN晶體管也產(chǎn)生過(guò)多的熱量，這會(huì)限制他們的性能。 　　基于散熱器和風(fēng)扇的冷卻方法增加成本和體積?，F(xiàn)在，一個(gè)來(lái)自伊利諾伊大學(xué)微納米技術(shù)實(shí)驗(yàn)室的研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)造了一種新的方法，他們聲稱(chēng)該方法簡(jiǎn)單而且低成本。 　　采用計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)，坎·拜拉姆的團(tuán)隊(duì)已經(jīng)證明，GaN層的厚度在過(guò)熱中起很大作用，影響設(shè)備的熱預(yù)期和最終性能。
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氮化鎵/碳化硅技術(shù)真的能主導(dǎo)我們的生活方式？

  • 伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。
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硅襯底氮化鎵基激光器將大幅降低器件制造成本

  • 　　中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生所研究員楊輝團(tuán)隊(duì)在硅上研制出第三代半導(dǎo)體氮化鎵基激光器，這也是世界上第一支可以在室溫下連續(xù)工作的硅襯底氮化鎵基激光器。相關(guān)研究成果近日刊登在《自然—光子學(xué)》。 　　中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生所研究員楊輝團(tuán)隊(duì)在硅上研制出第三代半導(dǎo)體氮化鎵基激光器，這也是世界上第一支可以在室溫下連續(xù)工作的硅襯底氮化鎵基激光器。相關(guān)研究成果近日刊登在《自然—光子學(xué)》。 　　隨著半導(dǎo)體科技的高速發(fā)展，科技工作者發(fā)現(xiàn)基于傳統(tǒng)技術(shù)路線來(lái)進(jìn)行芯片與系統(tǒng)之間的數(shù)據(jù)通信越來(lái)越難
  • 關(guān)鍵字： 氮化鎵  芯片  

氮化鎵功率技術(shù)大熱，Transphorm創(chuàng)新HEMT結(jié)構(gòu)“劍走偏鋒”高壓器件

  • 　　氮化鎵技術(shù)因其在低功耗、小尺寸等特性設(shè)計(jì)上的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)和成熟規(guī)模化的生產(chǎn)能力，近年來(lái)在功率器件市場(chǎng)大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術(shù)趨勢(shì)論壇上，這個(gè)主題受到國(guó)內(nèi)媒體的集體“圍觀”。富士通電子元器件高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理蔡振宇(Eric)的“氮化鎵產(chǎn)品主要的應(yīng)用場(chǎng)景和未來(lái)的趨勢(shì)”主題分享，將富士通電子旗下代理產(chǎn)品線Transphorm公司獨(dú)特GaN技術(shù)和產(chǎn)品方案第一次帶到中國(guó)媒體面前，采用創(chuàng)新的Cascode結(jié)構(gòu)的HEMT高壓產(chǎn)品讓Transphorm在氮化鎵功率表技術(shù)領(lǐng)域劍走偏鋒，成為該陣營(yíng)的領(lǐng)頭
  • 關(guān)鍵字： 富士通  氮化鎵  

高級(jí)教程視頻系列教授如何使用氮化鎵（GaN）功率器件以實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

  • 　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)增加合共九個(gè)教程單元的教學(xué)視頻系列，擴(kuò)大它的視頻資源以拓展氮化鎵技術(shù)的知識(shí)庫(kù)，為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師提供高級(jí)技術(shù)教程，包括應(yīng)用范例，教授如何使用氮化鎵晶體管及集成電路設(shè)計(jì)出更高效的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)?！　〕藶楣こ處熖峁┑壘w管的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)及可靠性數(shù)據(jù)外，本視頻系列教授如何把開(kāi)發(fā)板轉(zhuǎn)化為實(shí)用的原型。此外，該系列提供氮化鎵晶體管在廣泛的功率電子應(yīng)用中的實(shí)用范例，包括面向電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)的DC/DC轉(zhuǎn)換，以及關(guān)于采用氮化鎵器件的無(wú)線充電應(yīng)用的兩個(gè)視頻?！　〉?GaN)高級(jí)學(xué)習(xí)視頻
  • 關(guān)鍵字： 宜普  氮化鎵  

氮化鎵元件將擴(kuò)展功率應(yīng)用市場(chǎng)

  • 　　根據(jù)YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)快速發(fā)展，從而使專(zhuān)業(yè)的半導(dǎo)體業(yè)者受惠;另一方面，他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來(lái)自英飛凌(Infineon)/國(guó)際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競(jìng)爭(zhēng)或并購(gòu)壓力。 　　Yole估計(jì)，2015年GaN在功率半導(dǎo)體應(yīng)用的全球市場(chǎng)規(guī)模約為1千萬(wàn)美元。但從2016-2020年之間，這一市場(chǎng)將以93%的年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)成長(zhǎng)，預(yù)計(jì)在2020年時(shí)可望達(dá)到3千萬(wàn)美元的產(chǎn)值。 　　目前銷(xiāo)售Ga
  • 關(guān)鍵字： 氮化鎵  GaN  
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氮化鎵介紹

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