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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 氮化鎵

我國研制出世界首個(gè)氮化鎵量子光源芯片

  • 據(jù)天府絳溪實(shí)驗(yàn)室官微消息，近日，電子科技大學(xué)信息與量子實(shí)驗(yàn)室、天府絳溪實(shí)驗(yàn)室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心與清華大學(xué)、中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片，這是電子科技大學(xué)“銀杏一號(hào)”城域量子互聯(lián)網(wǎng)研究平臺(tái)取得的又一項(xiàng)重要進(jìn)展，也是天府絳溪實(shí)驗(yàn)室在關(guān)鍵核心技術(shù)領(lǐng)域取得的又一創(chuàng)新成果。據(jù)悉，研究團(tuán)隊(duì)通過迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝，攻克高質(zhì)量氮化鎵晶體薄膜生長、波導(dǎo)側(cè)壁與表面散射損耗等技術(shù)難題，在國際上首次將氮化鎵材料運(yùn)用于量子光源芯片。目前，量子光源芯片多使用氮化硅等材料
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測(cè)試共源共柵氮化鎵 FET

  • Cascode GaN FET 動(dòng)態(tài)測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)　　Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場(chǎng)，因?yàn)樗梢蕴峁┏ｊP(guān)操作并具有更寬的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍。然而，電路設(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)該器件在實(shí)際電路中使用起來并不那么容易，因?yàn)樗苋菀装l(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測(cè)量并獲得可重復(fù)的提取。許多設(shè)計(jì)人員在電路中使用大柵極電阻時(shí)必須減慢器件的運(yùn)行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優(yōu)勢(shì)。圖 1 顯示了關(guān)斷時(shí)的發(fā)散振蕩。圖 2 顯示了導(dǎo)通時(shí)的大柵極電壓振鈴。兩者都與圖 3 所示的 Cas
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SEMICON2024收官，第三代半導(dǎo)體賽道競(jìng)爭(zhēng)激烈！

  • 3月20日，春分時(shí)期，萬物復(fù)蘇，SEMICON China 2024在上海新國際博覽中心拉開了序幕?，F(xiàn)場(chǎng)一片繁忙熱鬧，據(jù)悉本次展會(huì)面積達(dá)90000平方米，共有1100家展商、4500個(gè)展位和20多場(chǎng)會(huì)議及活動(dòng)涉及了IC制造、功率及化合物半導(dǎo)體、先進(jìn)材料、芯車會(huì)等多個(gè)專區(qū)。本次展會(huì)中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈格外亮眼，據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，共有近70家相關(guān)企業(yè)帶來了一眾新品與最新技術(shù)，龍頭企業(yè)頗多，材料方面包括Resonac、天域半導(dǎo)體、天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等企業(yè)，設(shè)備端則如晶盛機(jī)電、中微公司
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德州儀器計(jì)劃大規(guī)模將GaN芯片生產(chǎn)由6英寸轉(zhuǎn)換成8英寸

  • 根據(jù)韓國媒體THE ELEC的報(bào)導(dǎo)，模擬芯片大廠德州儀器(TI)的一位高層表示，該公司正在將其多個(gè)晶圓廠生產(chǎn)的6英寸氮化鎵(GaN)芯片，轉(zhuǎn)移到8英寸晶圓廠來生產(chǎn)。報(bào)導(dǎo)指出，德州儀器韓國公司經(jīng)理Jerome Shin在首爾舉行的新聞發(fā)布會(huì)上表示，德州儀器正在達(dá)拉斯和日本會(huì)津準(zhǔn)備興建8英寸晶圓廠，這將使其能夠提供更具價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的GaN芯片JeromeShin指出，人們普遍認(rèn)為GaN芯片比碳化硅(SiC)芯片更昂貴，但這種看法自2022年以來發(fā)生了轉(zhuǎn)變。因?yàn)榈轮輧x器正在將其生產(chǎn)由6英寸晶圓廠轉(zhuǎn)換為8英寸晶圓廠
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GaN企業(yè)，出售！

  • 近日，美國GaN器件廠商Odyssey宣布出售公司資產(chǎn)。目前，Odyssey已與客戶簽署最終協(xié)議，將其大部分資產(chǎn)出售給一家大型半導(dǎo)體公司，交易金額為952萬美元，目前買家信息處于保密狀態(tài)。資料顯示，Odyssey成立于2019年，專注基于專有的氮化鎵（GaN）處理技術(shù)開發(fā)高壓功率開關(guān)元件和系統(tǒng)，擁有一座面積為1萬平方英尺的半導(dǎo)體晶圓制造廠，配備了一定比例的1000級(jí)和10000級(jí)潔凈空間以及先進(jìn)半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)工具，致力于推出工作在650V和1200V的垂直氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管。償還貸款和交易費(fèi)用后，公司預(yù)
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四種將被氮化鎵革新電子設(shè)計(jì)的中壓應(yīng)用

  • 引言隨著技術(shù)的迅速發(fā)展，人們對(duì)電源的需求亦在不斷攀升。為了可持續(xù)地推動(dòng)這一發(fā)展，太陽能等可再生能源被越來越多地用于電網(wǎng)供電。同樣，為了實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)處理、大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及人工智能(AI)，服務(wù)器的需求也在呈指數(shù)級(jí)增長。鑒于這些趨勢(shì)，設(shè)計(jì)人員面臨著一項(xiàng)重大挑戰(zhàn)：如何在持續(xù)提升設(shè)計(jì)效率的同時(shí)，在相同的尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率。這一挑戰(zhàn)已經(jīng)推動(dòng)了氮化鎵(GaN)在高壓電源設(shè)計(jì)中的廣泛應(yīng)用，原因在于GaN具有兩大優(yōu)勢(shì)：●? ?提高功率密度。GaN的開關(guān)頻率較高，使設(shè)計(jì)人員能夠使用體積更小的無源器件（
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全球GaN最新應(yīng)用進(jìn)展！

  • 自2018年10月25日，Anker發(fā)布全球首款GaN充電器，將GaN正式引入消費(fèi)電子領(lǐng)域以來，短短幾年間，各大GaN廠商紛紛涉足相關(guān)產(chǎn)品。當(dāng)前，GaN消費(fèi)電子產(chǎn)品市場(chǎng)已是一片紅海，競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈。面對(duì)GaN在消費(fèi)電子領(lǐng)域應(yīng)用現(xiàn)狀，相關(guān)企業(yè)開始尋求新的增量市場(chǎng)，GaN技術(shù)應(yīng)用由此逐步向新能源汽車、光伏、數(shù)據(jù)中心等其他應(yīng)用場(chǎng)景延伸。GaN的特殊價(jià)值，正在消費(fèi)電子之外的多個(gè)領(lǐng)域持續(xù)釋放。01GaN正在加速“上車”在汽車電動(dòng)化與智能化趨勢(shì)下，汽車搭載的電子電力系統(tǒng)越來越多。而與傳統(tǒng)硅材料相比，基于GaN材料制備的
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英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本

  • 英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低便攜式發(fā)電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發(fā)電站轉(zhuǎn)換器中使用英飛凌的GaN功率半導(dǎo)體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后，該功率轉(zhuǎn)換器將變得更輕、更小，系統(tǒng)成本也將隨之降低。此外，英飛凌還將幫助Worksport優(yōu)化電路和布局設(shè)計(jì)，進(jìn)一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執(zhí)行官Steven Rossi表示：“英飛凌高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和穩(wěn)固的供應(yīng)鏈為我們提供了
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意法半導(dǎo)體推出靈活多變的同步整流控制器，提高硅基或氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器能效

  • 2024 年 3 月 7 日，中國——意法半導(dǎo)體 SRK1004 同步整流控制器降低采用硅基或 GaN 晶體管的功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難度，提高轉(zhuǎn)換能效，目標(biāo)應(yīng)用包括工業(yè)電源、便攜式設(shè)備充電器和 AC/DC適配器。SRK1004的檢測(cè)輸入能夠承受高達(dá)190V 的電壓，可以連接高低邊功率開關(guān)管。共有四款產(chǎn)品供用戶選擇，僅器件選型就可以讓用戶優(yōu)化應(yīng)用設(shè)計(jì)，通過選擇5.5V或 9V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，可以在設(shè)計(jì)選用理想的邏輯電平 MOSFET
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SR-ZVS與GaN：讓電源開關(guān)損耗為零的魔法

  • 當(dāng)今，快充市場(chǎng)正迎來前所未有的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。風(fēng)暴仍在繼續(xù)，快充市場(chǎng)的迅猛發(fā)展，用戶對(duì)于充電器的功率需求也在不斷增大；移動(dòng)設(shè)備的普及，用戶對(duì)于充電器體積的要求也越來越高；同時(shí)為了在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出，低成本是每個(gè)快充產(chǎn)品必須考慮的因素。種種這些都對(duì)快充技術(shù)的要求愈發(fā)嚴(yán)格，不僅需要高效率、高功率，還需要適應(yīng)多樣化的標(biāo)準(zhǔn)和滿足用戶個(gè)性化的需求。在種種挑戰(zhàn)之下，PI推出了InnoSwitch5-Pro 離線反激式開關(guān)IC，在內(nèi)部集成750V或900V PowiGaN?初級(jí)開關(guān)、初級(jí)側(cè)控制器、FluxLink?
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基于第三代半導(dǎo)體射頻微系統(tǒng)芯片研究項(xiàng)目啟動(dòng)

  • 據(jù)云塔科技官微消息，1月15日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點(diǎn)專項(xiàng)“基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)芯片研究”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)暨實(shí)施方案論證會(huì)在云塔科技（安努奇）舉行。據(jù)悉，該項(xiàng)目是由中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)牽頭，香港科技大學(xué)作為香港方合作單位以及安徽安努奇科技有限公司作為參研單位，共同開展聯(lián)合攻關(guān)。面向國家在高頻、大帶寬和高功率密度戰(zhàn)略性高端通信芯片和射頻模組的迫切需求，開展基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁（GaN/AlScN）異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)
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“白菜化”的有源相控陣?yán)走_(dá)

  • 就在幾個(gè)月之前，一則消息被各大媒體平臺(tái)報(bào)道：2023年7月3日，為維護(hù)國家安全和利益，中國相關(guān)部門發(fā)布公告，決定自8月1日起，對(duì)鎵和鍺兩種關(guān)鍵金屬實(shí)行出口管制。至此有不少不關(guān)注該領(lǐng)域的讀者突然意識(shí)到，不知道從什么時(shí)候開始，我國的鎵和鍺已經(jīng)悄悄成為了世界最大的出口國。根據(jù)一份中國地質(zhì)科學(xué)院礦產(chǎn)資源研究所2020年的一份報(bào)告顯示，目前鎵的世界總儲(chǔ)量約 23 萬噸，中國的鎵金屬儲(chǔ)量居世界第一，約占世界總儲(chǔ)量的 80%-85%，而我國的鎵產(chǎn)量則是壓倒性的占到了全球產(chǎn)量的90%到95%。而作為鎵的化合物，砷化鎵、氮
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瑞薩電子3.39億美元收購Transphorm

  • 1月12日消息，日前，半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm達(dá)成最終協(xié)議，根據(jù)協(xié)議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價(jià)格收購Transphorm，較Transphorm 在1月10日的收盤價(jià)溢價(jià)約35%，總估值約為3.39億美元。此次收購將為瑞薩提供GaN的內(nèi)部技術(shù)，從而擴(kuò)展其在電動(dòng)汽車、計(jì)算（數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施）、可再生能源、工業(yè)電源以及快速充電器/適配器等快速增長市場(chǎng)的業(yè)務(wù)范圍。據(jù)悉，瑞薩將采用Transphorm的汽車級(jí)GaN技術(shù)來開發(fā)新的增強(qiáng)型
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垂直GaN JFET的動(dòng)態(tài)性能

  • 美國弗吉尼亞理工學(xué)院、州立大學(xué)和NexGen電力系統(tǒng)公司首次對(duì)垂直氮化鎵（GaN）功率晶體管的動(dòng)態(tài)電阻（?RON）和閾值電壓（VTH）穩(wěn)定性進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)表征。研究人員研究了額定電壓高達(dá)1200V（1.2kV）的NexGen結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）器件。動(dòng)態(tài)?RON描述了開關(guān)晶體管的電阻相對(duì)于穩(wěn)定直流狀態(tài)下的電阻的增加。該團(tuán)隊(duì)評(píng)論道：“這個(gè)問題可能會(huì)導(dǎo)致器件的導(dǎo)通損耗增加，并縮短器件在應(yīng)用中的壽命?！毖芯咳藛T將NexGen的650V/200mΩ和1200V/70mΩ級(jí)GaN JFET（
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電動(dòng)汽車市場(chǎng)催生碳化硅新前景

  • 第三代半導(dǎo)體材料是指以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度，更高的擊穿電場(chǎng)、熱導(dǎo)率以及電子飽和速率，并且在抗輻射能力方面也具有優(yōu)勢(shì)。這些特性使得第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件適用于高電壓、高頻率場(chǎng)景，并且能夠以較少的電能消耗獲得更高的運(yùn)行能力。因此，第三代半導(dǎo)體材料在5G基站、新能源車、光伏、風(fēng)電、高鐵等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。其中，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，在汽車電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。在新能源汽車領(lǐng)域，
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氮化鎵介紹

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