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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 電壓-電流轉(zhuǎn)換器

電壓-電流轉(zhuǎn)換器 文章 進入電壓-電流轉(zhuǎn)換器技術(shù)社區(qū)

基準電壓源設(shè)計及選用介紹

  • 通常我們選用穩(wěn)壓二極管作為基準電壓源，這是最簡單、也是最傳統(tǒng)的方法，按照所需電壓值選一個對應(yīng)型號的穩(wěn)壓管當然可以，但選得是否合適、是否最佳，卻大有講究?！　∽罨镜碾妷夯鶞试措娐啡鐖D1(a)、穩(wěn)壓管的擊穿
  • 關(guān)鍵字： 介紹  選用  設(shè)計  電壓  基準  

最大消耗380nA電流的電壓基準源設(shè)計

  • 1 引 言　　隨著各種便攜式移動通信和計算產(chǎn)品的普及，對電池的需求大大加強，但是電池技術(shù)發(fā)展相對落后，降低電路的功耗成為IC設(shè)計關(guān)注的一個焦點;電路的功耗會全部轉(zhuǎn)換成熱能，過多的熱量會產(chǎn)生焦耳熱效應(yīng)，加劇硅
  • 關(guān)鍵字： 基準  設(shè)計  電壓  電流  消耗  380nA  最大  

串聯(lián)電池電壓及溫度測量方法研究

  • 摘要：電池是電動車的能量之源，其性能和使用壽命是用戶關(guān)注的焦點，電池性能和電池的電壓及溫度密切相關(guān)。本文提出了一種由移位寄存陣控制光電繼電器通斷的單體電池電壓測量方法。相對于其他測量方
    法，具有結(jié)構(gòu)簡
  • 關(guān)鍵字： 測量  方法研究  溫度  電壓  電池  串聯(lián)  

檢測LDMOS漏端電壓判斷是否過流方案

  • 摘要：本文介紹采用直接檢測LDMOS 漏端電壓來判斷其是否過流的設(shè)計方案，給出了電路結(jié)構(gòu)。通過電路分析，并利用BCD 高壓工藝，在cadence 環(huán)境下進行電路仿真驗證。結(jié)果證明：該方法能夠快速、實時地實現(xiàn)過流保護功能
  • 關(guān)鍵字： 是否  方案  判斷  電壓  LDMOS  檢測  

一種帶隙基準電壓源的設(shè)計與仿真

  • 摘要 設(shè)計了一款帶隙基準電壓源，基于0．18mu;m的CMOS工藝，在Hspice下仿真，仿真結(jié)果表明，溫度在-25～80℃內(nèi)變化時，溫度系數(shù)為9．14times;10-6℃；電源電壓在3～5 V之間變化時，基準電壓在1 250plusmn;43 mV內(nèi)
  • 關(guān)鍵字： 仿真  設(shè)計  電壓  基準  

超導(dǎo)磁體失超檢測中電壓隔離校正電路的設(shè)計

  • 摘要：采用有源功率檢測法，設(shè)計和制作了超導(dǎo)混合儲能磁體能量儲存系統(tǒng)的失超檢測中的電壓隔離校正裝置。該裝置用于隔離超導(dǎo)線圈的干擾信號，以及消除串聯(lián)線圈電感分量，是混合磁體失超檢測中的重要環(huán)節(jié)。通過搭建高
  • 關(guān)鍵字： 電路  設(shè)計  校正  隔離  檢測  電壓  超導(dǎo)  

電流轉(zhuǎn)電壓的實現(xiàn)方法

  • 介紹幾種I/V變換的實現(xiàn)方法:　　分壓器方法
    　　利用如圖1分壓電路，將電流通入電阻。在電阻上采樣出電壓信號。其中，可以使用電位器調(diào)節(jié)輸出電壓的大小。這種方法最簡單，但需要考慮功率和放大倍數(shù)的選擇問題?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： 電流  電壓  實現(xiàn)方法    

蓄電池電壓監(jiān)控電路圖

  • 蓄電池電壓監(jiān)控電路圖如下所示，可以實現(xiàn)不間斷蓄電：... ...
  • 關(guān)鍵字： 蓄電池  電壓  監(jiān)控  

LED顯示數(shù)字電壓表制作

  • 這是一個很容易建立，但非常準確和有用的數(shù)字電壓表 。它被設(shè)計為面板儀表，可用于直流電源或其他地方有必要有 ...
  • 關(guān)鍵字： LED  電壓  

實際應(yīng)用中變頻器的微浪涌電壓抑制技術(shù)研究

  • 本文對微浪涌電壓的發(fā)生機理及其對電機的影響作了分析，介紹了抑制微浪涌電壓的技術(shù)，以及最近出現(xiàn)的衰減微浪涌電壓的產(chǎn)品和采用細線徑傳輸為特征的微浪涌抑制組件的工作原理等。
  • 關(guān)鍵字： 技術(shù)  研究  抑制  電壓  應(yīng)用  變頻器  實際  

全CMOS基準電壓源的分析與仿真

  • 摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工藝，在Hspice下，對四利PMOS管基準電壓源進行了分析和仿真，文中給出了每種電路仿真時的電路參數(shù)和仿真結(jié)果。
    關(guān)鍵詞：基準電壓；CMOS集成電路；Hspice

    0 引言
    模擬電路廣泛
  • 關(guān)鍵字： 仿真  分析  電壓  基準  CMOS  

新穎電壓型有源箝位正激控制IC-LM5027

  • 摘要：文中詳細介紹了電壓型有源箝位正激控制IC-LM5027的特點、引腳功能、工作原理及應(yīng)用電路。LM5027包含了很多新技術(shù)特色，除基本的有源箝位正激電路的常規(guī)功能之外，還增加了三個輸出信號之間的埋單延遲調(diào)節(jié)，從而
  • 關(guān)鍵字： IC-LM5027  控制  有源  電壓  新穎  

變頻器電壓電流典型檢測方法

  • 1. 前言　　變頻器最主要的特點是具有高效率的驅(qū)動性能及良好的控制特性。簡單地說變頻器是通過改變電機輸入電壓的頻率來改變電機轉(zhuǎn)速的。從電機的轉(zhuǎn)速公式可以看出，調(diào)節(jié)電機輸入電壓的頻率f，即可改變電機的轉(zhuǎn)速n。
  • 關(guān)鍵字： 檢測  方法  典型  電流  電壓  變頻器  

臨界導(dǎo)電模式下PFC儲能電容電壓及電流分析

  • 摘要：針對工作于臨界導(dǎo)電模式下(CRM)的功率因數(shù)校正器(PFC)的輸出儲能電容有效值(RMS)電流及其電壓紋波，進行了詳細的數(shù)學(xué)推導(dǎo)。對功率因數(shù)校正(PFC)和臨界導(dǎo)電模式(CRM)進行了簡要的介紹，給出了臨界導(dǎo)電模式下(CR
  • 關(guān)鍵字： 電壓  電流  分析  電容  儲能  導(dǎo)電  模式  PFC  臨界  

1.2至33伏直流數(shù)字電壓電源設(shè)計

  • 說明　　這是一個簡單的構(gòu)建微控制器控制的電源，可以切換 1.2至33伏直流和高達3安培之間預(yù)先設(shè)定的電壓(或32個或更多)。本指南將通過建設(shè)過程中的每一個方面，然而，一些電子和微控制器的基本熟悉將需要對微控制器編
  • 關(guān)鍵字： 電源  設(shè)計  電壓  數(shù)字  直流  1.2  
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電壓-電流轉(zhuǎn)換器介紹

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