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全CMOS基準(zhǔn)電壓源的分析與仿真

作者: 時(shí)間:2011-08-10 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

摘要:文章基于 0.18μm工藝,在Hspice下,對四利PMOS管源進(jìn)行了,文中給出了每種電路時(shí)的電路參數(shù)和結(jié)果。
關(guān)鍵詞:;集成電路;Hspice

0 引言
模擬電路廣泛地包含源。這種基準(zhǔn)源是一個(gè)直流量,它與電源和工藝參數(shù)的關(guān)系很小,但與溫度的關(guān)系是確定的。本文對四種基本MOS管基準(zhǔn)源進(jìn)行和仿真。

1 MOS分壓基準(zhǔn)電路
一個(gè)最容易想到的基準(zhǔn)電源就是在兩個(gè)電源之間進(jìn)行分壓而得到。當(dāng)然,用來分壓的器件可以是無源器件也可以是有源器件。但是這樣得到的基準(zhǔn)電壓與電源電壓成正比。
電路如圖1所示。圖1(a)是由電阻和二極管聯(lián)接的MOS管構(gòu)成的分壓器。Hspice下取電源電壓VDD=3.3V,W/L=1.8/0.18μm,取電阻為4kΩ時(shí),其溫度特性如圖2(a)所示。溫度在0~80℃變化時(shí)輸出Vref在1.195~1.245V之間變化。如圖2(b)所示,電源電壓在0~3.3V變化時(shí),輸出電壓Vref在0~1.245V之間變化。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/178769.htm

a.jpg


圖1(b)是由兩個(gè)MOS管串聯(lián)構(gòu)成的分壓電路。其溫度特性如圖3(a)所示。溫度在0~80℃變化時(shí)輸出Vref在1.236~1.26V之間變化。在圖3(b)中,電源電壓在0~3.3V變化時(shí),輸出電壓Vref在0~1.26V之間變化??梢?,輸出電壓依賴于電源電壓的變化而變化非常明顯。


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關(guān)鍵詞: 仿真 分析 電壓 基準(zhǔn) CMOS

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