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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

如何為具體應(yīng)用選擇恰當(dāng)?shù)腗OSFET

  • 雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專(zhuān)業(yè)知識(shí)對(duì)各個(gè)具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面仔細(xì)的考慮。例如，對(duì)于服務(wù)器電源中的負(fù)載開(kāi)關(guān)這類(lèi)應(yīng)用，由于MOSFET基本上
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估算熱插拔MOSFET溫升的簡(jiǎn)易方法

  • 本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運(yùn)行中斷。通
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功率MOSFET數(shù)據(jù)表深入分析

  • 本文不準(zhǔn)備寫(xiě)成一篇介紹功率MOSFET的技術(shù)大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設(shè)計(jì)者更好的使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)。　　數(shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類(lèi):即最大額定值和電氣特性值。
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飛兆半擴(kuò)展PowerTrench MOSFET系列

  • 提升功率密度和輕載效率是服務(wù)器、電信和AC-DC電源設(shè)計(jì)人員的主要考慮問(wèn)題。此外，這些開(kāi)關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)中的同步整流需要具有高性價(jià)比的電源解決方案，以便最大限度地減小線路板空間，同時(shí)提高效率和降低功耗。
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空間受限型應(yīng)用中的PMBus熱插拔電路介紹

IR推出優(yōu)化版車(chē)用功率MOSFET產(chǎn)品

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車(chē)用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動(dòng)機(jī)壓電噴射系統(tǒng)。
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詳細(xì)介紹如何運(yùn)用MOSFET實(shí)現(xiàn)完美安全系統(tǒng)

  • 汽車(chē)上許多組建的多元應(yīng)用，從車(chē)上的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到啟動(dòng)馬達(dá)，不僅提供了各式各樣的高負(fù)載型、低成本效益的解決方案，也兼具了注重安全性汽車(chē)所必須的通訊和診斷能力。因此，設(shè)計(jì)人員為了增加車(chē)上電子
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MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算介紹

  • 我們先來(lái)看看MOS關(guān)模型：



    Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
    Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門(mén)電極的重疊，第二是
    耗盡區(qū)電容
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提升電源轉(zhuǎn)換效率的自定時(shí)電壓檢測(cè)同步MOSFET控制方案

  • 標(biāo)簽：電源 諧振轉(zhuǎn)換器 高壓電源 直流電源 MOSFET現(xiàn)代電子設(shè)備功能越來(lái)越多，設(shè)備功能的高功耗對(duì)環(huán)境的影響也越來(lái)越大。提高電源效率是降低功耗的方法之一。諧振拓?fù)渚哂休^高效率，很多大功率消費(fèi)電子產(chǎn)品和計(jì)算機(jī)
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功率器件的新時(shí)代汽車(chē)電子功率MOSFET技術(shù)

  • 過(guò)去15到20年間，汽車(chē)用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰褪芷?chē)電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象，且其封裝簡(jiǎn)單，主要采用TO220 和 TO247
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MOSFET雙峰效應(yīng)的評(píng)估方法簡(jiǎn)介

  • 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個(gè)金氧半(MOS)二機(jī)體和兩個(gè)與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  雙峰效  方法    

瑞薩電子推出新款超級(jí)結(jié)MOSFET

  • 瑞薩電子公司 (TSE: 6723)，高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的主要供應(yīng)商，日前宣布推出三款新型超級(jí)結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)三極管(超級(jí)結(jié)MOSFET)，具有如下的特點(diǎn)：600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷，適用于高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  MOSFET  

MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算方法

  • 我們先來(lái)看看MOS關(guān)模型：



    Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
    Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門(mén)電極的重疊，第二是
    耗盡區(qū)電容
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Vishay推出新款8V N溝道TrenchFET 功率

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強(qiáng)型PowerPAK? SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  SiA436DJ  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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