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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 第三代半導體

我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

  • 9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號于 9 月 1 日發(fā)布博文，報道稱國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實現(xiàn)我國在該領(lǐng)域的首次突破。項目背景碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)，目前業(yè)內(nèi)應用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
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搶奪賽位，第三代半導體戰(zhàn)局激烈

  • 目前，第三代半導體是全球戰(zhàn)略競爭新的制高點，也是各地區(qū)的重點扶持行業(yè)，意法半導體、英飛凌、安世半導體、三安光電等頭部廠商順勢而上，加速布局第三代半導體，市場戰(zhàn)火已燃，一場群雄逐鹿之戰(zhàn)正在上演。多方來戰(zhàn)，“直搗”三代半核心環(huán)節(jié)第三代半導體欣欣向榮，八方入局，搶奪市場重要賽位，擁抱巨大增量市場。業(yè)界認為，面對下游行業(yè)需求的爆發(fā)，提升工藝及良率，擴大晶圓產(chǎn)能是行業(yè)當務之急。第三代半導體產(chǎn)能供應緊張，三安/意法等大廠在前線沖鋒：英飛凌將拋出70億歐元（約544.24億元人民幣），部署馬來西亞地區(qū)產(chǎn)能，其馬來西亞居
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第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅(qū)動方案

  • 第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅(qū)動方案相比傳統(tǒng)的硅MOSFET，SiC MOSFET可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。新能源、電動汽車、工業(yè)自動化等領(lǐng)域，SiC MOSFET（碳化硅-金屬氧化物半導體場效應晶體管）憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅(qū)動方案備受關(guān)注。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性，也意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅(qū)動方案展開了解，其中包括驅(qū)動過電流、過電壓保護以及如何為SiC MOSFET選擇合
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第三代半導體市場規(guī)模持續(xù)增長，2024慕尼黑上海電子展提供產(chǎn)業(yè)發(fā)展探討平臺

  • 近年來，我國信息技術(shù)得到迅猛發(fā)展，第三代半導體作為其中的關(guān)鍵器件起著重要作用。政策方面國家出臺了一系列相關(guān)政策旨在大力提升先進計算、新型智能終端、超高清視頻、網(wǎng)絡安全等數(shù)字優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)競爭力，積極推進光電子、高端軟件等核心基礎產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新突破，這大大提高了對第三代半導體的需求。預計未來，隨著互聯(lián)網(wǎng)與信息技術(shù)的持續(xù)進步，對第三代半導體的需求會越來越高， 2023年到2028年的復合增長率將達到30.83%，整體市場規(guī)模呈穩(wěn)定持續(xù)增長趨勢。圖源丨智研咨詢5G通信基站驅(qū)動射頻器件業(yè)務持續(xù)擴張無線通訊基礎設施是氮化鎵射頻
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SEMICON2024收官，第三代半導體賽道競爭激烈！

  • 3月20日，春分時期，萬物復蘇，SEMICON China 2024在上海新國際博覽中心拉開了序幕?，F(xiàn)場一片繁忙熱鬧，據(jù)悉本次展會面積達90000平方米，共有1100家展商、4500個展位和20多場會議及活動涉及了IC制造、功率及化合物半導體、先進材料、芯車會等多個專區(qū)。本次展會中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈格外亮眼，據(jù)全球半導體觀察不完全統(tǒng)計，共有近70家相關(guān)企業(yè)帶來了一眾新品與最新技術(shù)，龍頭企業(yè)頗多，材料方面包括Resonac、天域半導體、天岳先進、天科合達等企業(yè)，設備端則如晶盛機電、中微公司
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GaN企業(yè)，出售！

  • 近日，美國GaN器件廠商Odyssey宣布出售公司資產(chǎn)。目前，Odyssey已與客戶簽署最終協(xié)議，將其大部分資產(chǎn)出售給一家大型半導體公司，交易金額為952萬美元，目前買家信息處于保密狀態(tài)。資料顯示，Odyssey成立于2019年，專注基于專有的氮化鎵（GaN）處理技術(shù)開發(fā)高壓功率開關(guān)元件和系統(tǒng)，擁有一座面積為1萬平方英尺的半導體晶圓制造廠，配備了一定比例的1000級和10000級潔凈空間以及先進半導體開發(fā)和生產(chǎn)工具，致力于推出工作在650V和1200V的垂直氮化鎵場效應晶體管。償還貸款和交易費用后，公司預
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全球GaN最新應用進展！

  • 自2018年10月25日，Anker發(fā)布全球首款GaN充電器，將GaN正式引入消費電子領(lǐng)域以來，短短幾年間，各大GaN廠商紛紛涉足相關(guān)產(chǎn)品。當前，GaN消費電子產(chǎn)品市場已是一片紅海，競爭日趨激烈。面對GaN在消費電子領(lǐng)域應用現(xiàn)狀，相關(guān)企業(yè)開始尋求新的增量市場，GaN技術(shù)應用由此逐步向新能源汽車、光伏、數(shù)據(jù)中心等其他應用場景延伸。GaN的特殊價值，正在消費電子之外的多個領(lǐng)域持續(xù)釋放。01GaN正在加速“上車”在汽車電動化與智能化趨勢下，汽車搭載的電子電力系統(tǒng)越來越多。而與傳統(tǒng)硅材料相比，基于GaN材料制備的
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全球加速碳化硅產(chǎn)能擴充

  • 受惠于下游應用市場的強勁需求，碳化硅產(chǎn)業(yè)正處于高速成長期。據(jù)TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)模可望達53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源。近期，備受關(guān)注的碳化硅市場又有了新動態(tài)，涉及三菱電機、美爾森、芯粵能等企業(yè)。三菱電機SiC工廠預計4月開建據(jù)日經(jīng)新聞近日報道，三菱電機將于今年4月，在日本熊本縣開工建設新的8英寸SiC工廠，并計劃于2026年4月投入運營。2023年3月，三菱電機宣布，計劃在5年內(nèi)投資約1000億日元（折合人民幣約48.56億元）建設一個
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第三代半導體項目遍地開花

  • 近日，多個第三代半導體項目迎來最新進展。其中，重投天科第三代半導體項目、山東菏澤砷化鎵半導體晶片項目投資資金超30億?？偼顿Y32.7億元，重投天科第三代半導體項目在深圳寶安啟用據(jù)濱海寶安消息，2月27日，第三代半導體碳化硅材料生產(chǎn)基地在深圳寶安區(qū)啟用，其由深圳市重投天科半導體有限公司建設運營，將進一步補強深圳第三代半導體“虛擬全產(chǎn)業(yè)鏈（VIDM）”，助力廣東打造國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展“第三極”。濱海寶安消息顯示，該項目2021年11月開工建設，2022年11月關(guān)鍵生產(chǎn)區(qū)域廠房結(jié)構(gòu)封頂，2023年6月襯底產(chǎn)線
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基于第三代半導體射頻微系統(tǒng)芯片研究項目啟動

  • 據(jù)云塔科技官微消息，1月15日，中國科學技術(shù)大學微電子學院孫海定教授牽頭的國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點專項“基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)芯片研究”項目啟動會暨實施方案論證會在云塔科技（安努奇）舉行。據(jù)悉，該項目是由中國科學技術(shù)大學牽頭，香港科技大學作為香港方合作單位以及安徽安努奇科技有限公司作為參研單位，共同開展聯(lián)合攻關(guān)。面向國家在高頻、大帶寬和高功率密度戰(zhàn)略性高端通信芯片和射頻模組的迫切需求，開展基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁（GaN/AlScN）異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)
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安森美：緊握第三代半導體市場，助力產(chǎn)業(yè) 轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展

  • 1 轉(zhuǎn)型成功的2023得益于成功的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，在汽車和工業(yè)市場增長的 推動下，安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績都超預期。 其中，第一季度由先進駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和能源基 礎設施終端市場帶來的收入均同比增長約 50%，在第 二季度汽車業(yè)務收入超 10 億美元，同比增長 35%，創(chuàng) 歷史新高，第三季度汽車和工業(yè)終端市場都實現(xiàn)創(chuàng)紀錄 收入。安森美大中華區(qū)銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導體領(lǐng)域，安森美專注于 SiC，重點聚 焦于汽車、能源、電網(wǎng)基礎設施等應
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聚焦第三代半導體，泰克榮獲“2023行家極光獎”年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎

  • 中國北京2023年12月20日?– “2023 行家極光獎”頒獎典禮于 12 月 14 日在深圳隆重舉行，數(shù)百家 SiC&GaN 企業(yè)代表出席了本次活動，共同見證了第三代半導體產(chǎn)業(yè)的風采。業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的測試與測量解決方案提供商泰克科技，5系列B MSO混合信號示波器榮獲年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎。 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
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韓國晶圓代工大廠加快第三代半導體布局！

  • 據(jù)韓媒ETnews消息，近日，韓國晶圓代工大廠東部高科（DB HiTek）聘請了一位來自安森美的功率半導體專家。業(yè)內(nèi)人士透露，東部高科聘請了安森美半導體前技術(shù)開發(fā)高級總監(jiān)Ali Salih，并讓他負責氮化鎵（GaN）工藝開發(fā)。Salih是一位功率半導體工藝開發(fā)人員，擁有約20年的行業(yè)經(jīng)驗，曾在電氣與電子工程師學會 (IEEE) 上發(fā)表過有關(guān)功率半導體的重要論文。東部高科聘請Salih是為了加快GaN業(yè)務的技術(shù)開發(fā)和商業(yè)化。這項任命旨在加強第三代功率半導體業(yè)務的技術(shù)開發(fā)和商業(yè)化。功率半導體業(yè)務目前占東部高科
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總投資10億 正齊半導體年產(chǎn)6萬顆功率模塊研發(fā)生產(chǎn)項目落地

  • 正齊半導體杭州項目將在開發(fā)區(qū)投資建設第三代半導體模塊工廠，項目首期投資3000萬美元，總投資額將達10億元人民幣。10月23日消息，近日，正齊半導體年產(chǎn)6萬顆高階功率模塊研發(fā)生產(chǎn)項目正式落地蕭山經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)。正齊半導體杭州項目將在開發(fā)區(qū)投資建設第三代半導體模塊工廠。項目首期投資3000萬美元，總投資額將達10億元人民幣，規(guī)劃建設10條智能化模塊封裝生產(chǎn)與組裝線，滿足車規(guī)級與航天級的模塊生產(chǎn)線要求，每年將生產(chǎn)6萬顆高端航天及車規(guī)級IGBT與碳化硅芯片、模塊及器件等產(chǎn)品。該工廠將采用與合作廠商共同研制的驅(qū)動
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中國香港地區(qū)將建首個具規(guī)模的半導體晶圓廠

  • 香港科技園公司與微電子企業(yè)杰平方半導體簽署合作備忘錄，設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心。大半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息，10月13日，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導體（上海）有限公司（杰平方半導體）簽署合作備忘錄，在科學園設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心，并投資開設香港首間碳化硅（SiC）8寸先進垂直整合晶圓廠，共同推進香港微電子生態(tài)圈及第三代半導體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。據(jù)悉，該項目總投資額約69億港元，計劃到2028年年產(chǎn)24萬片碳化硅晶圓，帶動年產(chǎn)值超過110億港元，并創(chuàng)造超過700個本地和
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