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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 非易失性存儲器

意法半導(dǎo)體非易失性存儲器取得突破，率先在業(yè)界推出串行頁EEPROM

  • 依托在串行EEPROM技術(shù)領(lǐng)域的積累和沉淀，意法半導(dǎo)體率先業(yè)界推出了串行頁EEPROM （Serial Page EEPROM）。這款全新類別的EEPROM 是一種SPI串行接口的高容量頁可擦除存儲器，擦寫靈活性、讀寫性能和超低功耗獨步業(yè)界，前所未有。意法半導(dǎo)體新的串行頁EEPROM產(chǎn)品家族前期先推出32Mbit 的M95P32，稍后在適當(dāng)?shù)臅r候增加16Mbit 和 8Mbit 產(chǎn)品。這個創(chuàng)新架構(gòu)讓設(shè)計人員能夠在同一存儲器上管理固件和靈活存儲數(shù)據(jù)，這種組合在以前是沒有的。更高的存儲器集成度可以減少終端產(chǎn)品
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用于系統(tǒng)級芯片的納米晶非易失性存儲器

  • 基于不斷發(fā)展的硅技術(shù)的集成電路使得集成了若干模塊的復(fù)雜SoC的制造得以實現(xiàn)。最早的SoC是微控制器，其中包括...
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非易失性存儲器的特點及應(yīng)用介紹

  • 隨著消費者要求新產(chǎn)品定期增加功能或提高應(yīng)用靈活性，開發(fā)人員對修改系統(tǒng)應(yīng)用功能的快捷性和簡便性要求越來越高。從存儲器角度看，這預(yù)示著可能需要用性能更高、合格檢測更快的先進產(chǎn)品更換現(xiàn)有產(chǎn)品。新一代非易失性
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非易失性存儲器簡介

  • 隨著消費者要求新產(chǎn)品定期增加功能或提高應(yīng)用靈活性，開發(fā)人員對修改系統(tǒng)應(yīng)用功能的快捷性和簡便性要求越來越高。從存儲器角度看，這預(yù)示著可能需要用性能更高、合格檢測更快的先進產(chǎn)品更換現(xiàn)有產(chǎn)品。新一代非易失性
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非易失性存儲器FeRAM、MRAM和OUM

  • 本文對目前幾種比較有競爭力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦头且资源鎯ζ髯隽艘粋€簡單的介紹。鐵電存儲器(FeRAM)鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內(nèi)容的非易失存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點。 當(dāng)前應(yīng)用于存儲
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主導(dǎo)閃存發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)

  • 閃存幾乎無處不在，特別是在移動設(shè)備中。閃存具有各種外形尺寸，隨著成本的不斷降低以及容量和工作壽命的不...
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非易失性存儲器的特點及其應(yīng)用

  • 隨著消費者要求新產(chǎn)品定期增加功能或提高應(yīng)用靈活性，開發(fā)人員對修改系統(tǒng)應(yīng)用功能的快捷性和簡便性要求越來越高。從存儲器角度看，這預(yù)示著可能需要用性能更高、合格檢測更快的先進產(chǎn)品更換現(xiàn)有產(chǎn)品。新一代非易失性
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非易失性存儲器的未來

  • 　　在“VLSI Symposium on Technology”首日舉行的自由發(fā)表會“Will Emerging Non-Volatile Memories Finally Emerge?”(新型非易失性存儲器終會實現(xiàn)嗎?)上，東芝、韓國三星電子、韓國海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)、美國美光科技(Micron Technology)以及臺灣臺積電(TSMC)等大型半導(dǎo)體廠商的負責(zé)人紛紛登臺，對非易失性存儲器技術(shù)的未來進行了展望。
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世界黃金協(xié)會探討黃金在電子領(lǐng)域的應(yīng)用

  • 　　世界黃金協(xié)會(WGC)日前出版了一期《黃金資訊》?？?，著重論述黃金在電子產(chǎn)品中的應(yīng)用。這期專刊的內(nèi)容包括對鍵合金線、電鍍等當(dāng)前應(yīng)用技術(shù)的探討，以及黃金在高端電子領(lǐng)域的一些新興應(yīng)用。這些應(yīng)用包括：使用黃金納米粒子來提高閃存設(shè)備容量，以及低溫金墨印刷應(yīng)用。這期?？墓└逭甙▉碜灶I(lǐng)先工業(yè)和學(xué)術(shù)中心的研究人員。請鍵入文字或網(wǎng)站地址，或者上傳文檔。 　　世界黃金協(xié)會工業(yè)總監(jiān)兼《黃金資訊》編輯理查德·霍利迪博士(Richard Holliday)表示：“這期?？癸@了電子行業(yè)對于黃金
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非易失性存儲器的可配置性

  • 隨著消費者要求新產(chǎn)品定期增加功能或提高應(yīng)用靈活性，開發(fā)人員對修改系統(tǒng)應(yīng)用功能的快捷性和簡便性要求越來越高。從存儲器角度看，這預(yù)示著可能需要用性能更高、合格檢測更快的先進產(chǎn)品更換現(xiàn)有產(chǎn)品。新一代非易失性
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Ramtron推出32Kb器件擴展F-RAM串口存儲器

  • 　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出 FM24CL32，提供具高速讀/寫性能、低電壓運行，以及出色的數(shù)據(jù)保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb 非易失性存儲器，工作電壓為2.7V至3.6V，采用8腳SOIC封裝，使用二線制 (I2C) 協(xié)議;并提供快速訪問、無延遲 (NoDelay™) 寫入、幾乎無限的讀/寫次數(shù) (1E14) 及低功耗特性。FM24CL3
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PSoC的動態(tài)配置能力及其實現(xiàn)方法

  • 　　摘要：首先闡述Cypress公司的可編程片上系統(tǒng)(PSoC)的動態(tài)配置能力及其實現(xiàn)結(jié)構(gòu)，概要地列出幾種對PSoC微控制器在系統(tǒng)編程（ISP）的方法；在此基礎(chǔ)上分析CY8C26443-24PI通過。     關(guān)鍵詞：可編程片上系統(tǒng) 在系統(tǒng)編程 閃速存儲器 非易失性存儲器 嵌入式微控制器 引言 　　隨著集成電路應(yīng)用的飛速發(fā)展，片上系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)變的越來越復(fù)雜，這對嵌入式微控制器（Embedded MCU）的性能提出了更高的要求。和目前的16位甚至32位的微控制器相比，8位微
  • 關(guān)鍵字： 可編程片上系統(tǒng)  在系統(tǒng)編程  閃速存儲器  非易失性存儲器  嵌入式微控制器  MCU和嵌入式微處理器  
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非易失性存儲器介紹

　　非易失性存儲器是斷電后仍然能夠保持數(shù)據(jù)的存儲器，這也是與易失性存儲器最大的區(qū)別。具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點。　　新型易失性存儲器分別為1.鐵電存儲器（FeRAM）2.磁性隨機存儲器（MRAM）3.相變存儲器（OUM）?！　eRAM、MRAM和OUM這三種存儲器與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體存儲器相比有很多突出的優(yōu)點，其應(yīng)用遠景十分誘人。近年來，人們對它們的研究己取得了可喜的進展，尤其是FeRAM [ 查看詳細 ]

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