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傳高通10nm驍龍830將轉(zhuǎn)單臺積
- 高通明年主打的旗艦芯片驍龍830(產(chǎn)品代號為MSM8998)由三星操刀代工,但至今送樣仍少,市場傳出主因產(chǎn)品進度不順,高通后續(xù)訂單可能轉(zhuǎn)回臺積電,為臺積電明年再新增一家10nm重量級客戶,挹注營運動能。 過去高通的最高階旗艦手機芯片主要都由臺積電代工生產(chǎn),但前年由臺積電制造的驍龍810出現(xiàn)過熱問題,一度遭點名恐對今年各家手機品牌廠旗艦機銷售帶來影響。 加上三星去年的旗艦手機Galaxy S6不用高通驍龍810芯片,轉(zhuǎn)用自家芯片,高通再將今年主推的驍龍820轉(zhuǎn)單至三星以14nm制程生產(chǎn),因而
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三星10nm制程高通驍龍830處理器或今年發(fā)布
- 據(jù)可靠的消息人士透露,高通(Qualcomm)采用10nmFinFET制程生產(chǎn)的驍龍(Snapdragon)830處理器將在今年內(nèi)(2016年內(nèi))發(fā)表,且搭載該款處理器的智能手機產(chǎn)品(首發(fā)機)將在明年(2017年)Q1現(xiàn)身。 據(jù)報導(dǎo),除驍龍830之外,目前也已知有比現(xiàn)行驍龍820擁有更高性能的驍龍823處理器的存在,而該款驍龍823產(chǎn)品似乎將持續(xù)采用14nmFinFET制程。 報導(dǎo)指出,從搭載驍龍830的智能手機可能會在明年Q1現(xiàn)身這點來看,驍龍830可能將撘載在叁星GalaxyS7、LG
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驍龍830將于2017年發(fā)布 可支持8GB運行內(nèi)存
- 智能手機配置的運行內(nèi)存容量每年都在增長,目前部分旗艦機型配置4GB運行內(nèi)存,不久后智能手機將可能配置8GB運行內(nèi)存?! 「咄ㄗ罱剂蓑旪?20芯片,它將被應(yīng)用在計劃于明年發(fā)布的多款旗艦智能手機上。驍龍820支持6GB運行內(nèi)存?! eeky Gadgets表示,有消息稱計劃于2017年發(fā)布的高通驍龍830芯片將支持8GB運行內(nèi)存。 驍龍830芯片代號為MSM8998,有傳言稱它將采用10納米工藝制造。驍龍820芯片采用14納米工藝制造,將于明年發(fā)布。Geeky Gadgets預(yù)計驍龍820芯片將被
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