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無愧地表最強AI！Grok 3“思維鏈 × DeepSearch”雙刃劍來襲

  • 快科技2月18日消息，今日午間，馬斯克旗下的人工智能初創(chuàng)公司xAI震撼發(fā)布了其新一代聊天機器人——Grok 3。在此之前，馬斯克已將Grok 3譽為“地球上最聰慧的人工智能”。在今日的發(fā)布會上，馬斯克對Grok 3的贊美之情依然溢于言表。他強調，Grok 3在極短的時間內便實現(xiàn)了對上一代產(chǎn)品Grok 2的超越，“我們堅信，它在能力上較Grok 2有了一個數(shù)量級的飛躍”。xAI公司的工程師現(xiàn)場解釋稱，Grok 3的訓練量是Grok 2的整整10倍。馬斯克還高度評價道：“Grok 3展現(xiàn)出了極強的推理能力，在
  • 關鍵字： 馬斯克  AI  人工智能  

「中國智造」綻放海外高光：雅迪品牌全球代言人王鶴棣的「海外騎行」啟示錄

  • 2月16日，王鶴棣騎雅迪亮相美國街頭，吸引路人駐足拍照。據(jù)了解，王鶴棣昨日剛剛結束2025年NBA全明星周末名人賽，并在出場砍下2分4籃板，憑借精彩表現(xiàn)與潮流形象深受全球關注。而今日王鶴棣騎行雅迪觀戰(zhàn)NBA全明星賽，不僅讓路遇網(wǎng)友紛紛感慨棣棣的親切范兒，也讓明星座駕——雅迪電動車走進了更多海外用戶的視野。  從賽場到街頭：代言人與品牌雙向奔赴在昨日的名人賽中，王鶴棣身披23號球衣致敬偶像詹姆斯，其賽前標志性的“戴皇冠”入場動作、積極拼搶籃板的態(tài)度，以及與多位NBA球星互動的姿態(tài)，均展現(xiàn)
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ROHM開發(fā)出適用于便攜式A4打印機的小型熱敏打印頭

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出支持2節(jié)鋰離子電池驅動（VH＝7.2V）的8英寸熱敏打印頭“KA2008-B07N70A”。近年來，隨著跨境電商的發(fā)展，發(fā)票、海關標簽的打印需求增加，另外醫(yī)院、藥店的處方和藥劑服用說明的打印需求也在不斷增長。在這種背景下，無需墨水和碳粉而且還節(jié)能的熱敏打印機重獲青睞，其市場不斷擴大。特別是物流領域和商業(yè)領域，因看重便攜式打印機的便攜性和易維護性，對這種打印機的需求日益高漲。其中，在以中國為主的亞洲市場，對A4熱敏打印機的需求不斷增長，對8英寸熱敏打印
  • 關鍵字： ROHM  A4打印機  熱敏打印頭  

TVS管和穩(wěn)壓二極管的區(qū)別在哪里？

  • 穩(wěn)壓二極管（Zener Diode 齊納二極管）原理：它工作在電壓反向擊穿狀態(tài)，當反向電壓達到并超過穩(wěn)定電壓時，反向電流突然增大，而二極管兩端電壓恒定。分類：從穩(wěn)壓高低分：低壓穩(wěn)壓二極管(<40V)、高壓穩(wěn)壓二極管(>200V)；從材料分：N型、P型。主要參數(shù)：① 穩(wěn)定電壓VZ：在規(guī)定的穩(wěn)壓管，反向工作電流IZ下，所對應的反向工作電壓；② 穩(wěn)定電流IE③ 動態(tài)電阻rZ④ 最大耗散功率 PZM⑤ 最大穩(wěn)定工作電流 IZmax?和最小穩(wěn)定工作電流 IZmin⑥ 溫度系數(shù)at：溫度越高，穩(wěn)
  • 關鍵字： TVS管  穩(wěn)壓二極管  

2024年全球半導體TOP10廠商排名

  • 根據(jù)市場研究機構Gartner的最新報告，2024年全球半導體收入總額達到了6260億美元，同比增長18.1%。預計2025年全球半導體市場將繼續(xù)增長，總收入將進一步增長至7050億美元。Gartner研究副總裁George Brocklehurst表示：“數(shù)據(jù)中心應用（服務器和加速卡）中使用的GPU和AI處理器是2024年芯片行業(yè)的主要驅動力。由于對AI和生成式AI工作負載的需求日益增長，數(shù)據(jù)中心在2024年成為了僅次于智能手機的第二大半導體市場，數(shù)據(jù)中心半導體總收入從2023年的648億美元增至112
  • 關鍵字： 半導體  三星  英特爾  英偉達  美光  

臺積電考慮在美國規(guī)劃CoWoS封裝廠：實現(xiàn)芯片“一條龍”本地化

  • 近日在臺積電赴美召開董事會的行程期間，臺積電董事長兼總裁魏哲家在美國亞利桑那州舉行內部會議，作出了多項決議，加速先進制程赴美。其中在先進制程部分，臺積電計劃在亞利桑那菲尼克斯建設的第三晶圓廠Fab 21 p將于今年年中動工，該晶圓廠將包含2nm和A16節(jié)點制程工藝，可能提早在2027年初試產(chǎn)、2028年量產(chǎn)，比原計劃提前至少一年到一年半。
  • 關鍵字： 臺積電  CoWoS  封裝  芯片  

馬斯克正式發(fā)布Grok3，現(xiàn)場演示"最強AI"

  • 2月18日消息，馬斯克旗下AI初創(chuàng)企業(yè)xAI正式發(fā)布Grok 3，并同步進行現(xiàn)場演示。馬斯克稱Grok 3為 “地球上最聰明的人工智能”，強調其推理能力將超越包括ChatGPT和DeepSeek在內的其他領先AI模型。據(jù)悉，為確保Grok 3以最佳狀態(tài)面世，馬斯克透露，整個周末他都將與團隊成員并肩作戰(zhàn)，全身心投入到產(chǎn)品的打磨工作中。
  • 關鍵字： 馬斯克  Grok3  AI  

頻率和占空比可調的驅動電源用全橋變壓器驅動器評估板

  • 設計工程師可使用該系列評估板評估全橋變壓器驅動器IC-2EP1xxR系列。有三種評估板可供選擇：■ EVAL-2EP130R-PR：2EP130R變壓器驅動器評估板，具有雙輸出峰值整流和可定制的輸出電壓，適用于MOSFETS和IGBT。■ EVAL-2EP130R-PR-SIC：2EP130R變壓器驅動器評估板，雙輸出，峰值整流，目標應用SIC MOSFET驅動?！?nbsp;EVAL-2EP130R-VD：帶雙輸出倍壓配置的2EP130R變壓器驅動器評估板。所用器件：■ 器件型號2E
  • 關鍵字： 評估板  驅動器  變壓器  

第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

  • 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC? MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術的優(yōu)勢為基礎，加快了系統(tǒng)設計的成本優(yōu)化，實現(xiàn)高效率、緊湊設計和可靠性。第二代產(chǎn)品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。產(chǎn)品型號：■ IMZC120R012M2H■ IMZC120R017M2H■ IMZC120R022M2H■ IMZC120R026M2H■&
  • 關鍵字： CoolSiC  MOSFET  

驅動電路設計（二）——驅動器的輸入側探究

  • 驅動電路設計是功率半導體應用的難點，涉及到功率半導體的動態(tài)過程控制及器件的保護，實踐性很強。為了方便實現(xiàn)可靠的驅動設計，英飛凌的驅動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章以閱讀雜談的方式講詳細講解如何正確理解和應用這些功能，也建議讀者閱讀和收藏文章中推薦的資料以作參考。驅動器的輸入側一個可靠的功率半導體驅動電路設計要從輸入側開始，輸入端可能會受到干擾，控制電路也會發(fā)生邏輯錯誤，可能的誤觸發(fā)會造成系統(tǒng)輸出混亂，甚至損壞器件。一個典型的無磁芯變壓器耦合的隔離型驅動器輸入測如框圖所示，本文重點講講不起眼的IN
  • 關鍵字： 驅動電路  功率半導體  驅動器  

功率半導體驅動電源設計（一）綜述

  • 工業(yè)應用中，功率半導體的驅動電源功率不大，設計看似簡單，但要設計出簡單低成本的電路并不容易，主要難點有幾點：1 電路要求簡潔，占用線路板面積要小一個EasyPACK? 2B 1200V 100A六單元IGBT模塊，周長20cm，占板面積27cm2，很小，在四周要安排布置6路驅動和4-6路隔離電源并不容易，如果需要正負電源就更復雜。2 電力電子系統(tǒng)需要滿足相應的安規(guī)和絕緣配合標準，保證合規(guī)的爬電距離和電氣間隙，這使得PCB面積更捉襟見肘。3 對于中大功率的功率模塊，驅動板會放在模塊上方，會受熱和直面較強的電
  • 關鍵字： 功率半導體  驅動電源  電路設計  

貝昂智能深耕東南亞市場：本土化運營引領新篇章

  • 在全球化浪潮的推動下，越來越多的企業(yè)開始將目光投向海外市場，尋求更廣闊的發(fā)展空間。2025年1月上旬，貝昂智能海外團隊踏上了對泰國、越南和菲律賓的探索之旅，這一行動不僅標志著企業(yè)在國際化進程中的堅實步伐，更蘊含著對區(qū)域市場的深度關注與戰(zhàn)略布局。泰國，作為東南亞地區(qū)的經(jīng)濟和文化中心，以其獨特的熱帶氣候和繁榮的市場吸引了全球眾多企業(yè)的目光。自2020年進入泰國市場以來，貝昂智能旗下的國際品牌Airdog憑借其卓越的產(chǎn)品性能和口碑，迅速在當?shù)叵M者中打開了市場。如今，它已經(jīng)成功入駐多家醫(yī)院和公共設施，包括泰國排
  • 關鍵字：   

76毫米晶閘管/晶閘管功率啟動模塊

  • 英飛凌76mm晶閘管功率啟動器（1600V和1800V，3400A）模塊采用壓裝技術，適用于軟啟動應用，是一種經(jīng)濟高效的全集成解決方案，過載電流最高可達5100A。Power Start STT3400N16P76和STT3400N18P76的設計重點在于降低復雜性和減少元件數(shù)量。與現(xiàn)有的軟起動器解決方案相比，新設計理念的主要優(yōu)點是僅有三種外形尺寸（55/76/110毫米），適用于各種電流等級。產(chǎn)品型號：■ STT3400N16P76■ STT3400N18P76產(chǎn)品特點■ 簡化到基本
  • 關鍵字： 電機驅動  啟動器  

英飛凌IGBT7系列芯片大解析

  • 上回書(英飛凌芯片簡史 http://m.butianyuan.cn/article/202502/467026.htm)說到，IGBT自面世以來，歷經(jīng)數(shù)代技術更迭，標志性的技術包括平面柵+NPT結構的IGBT2，溝槽柵+場截止結構的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等?，F(xiàn)今，英飛凌IGBT芯片的“當家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micro pattern trench）技術，溝道密度更高，元胞間距也經(jīng)過精心設計，并且優(yōu)化了寄生電容參數(shù)，從而實現(xiàn)極低的導通壓降和優(yōu)
  • 關鍵字： IGBT  電力電子  

英飛凌芯片簡史

  • 話說公元2018年，IGBT江湖驚現(xiàn)第六代和第七代的掌門人，一時風頭無兩，各路吃瓜群眾紛紛猜測二位英雄的出身來歷。不禁有好事者梳理了一下英家這些年，獨領風騷的數(shù)代當家掌門人，分別是：呃，好像分不清這都誰是誰?呃，雖然這些IGBT“掌門人”表面看起來都一樣，但都是悶騷型的。只能脫了衣服，做個“芯”臟手術。。。像這樣，在芯片上，橫著切一刀看看。好像，有點不一樣了。。。故事，就從這兒說起吧。。。史前時代-PTPT是最初代的IGBT，它使用重摻雜的P+襯底作為起始層，在此之上依次生長N+ buffer，N- ba
  • 關鍵字： IGBT  芯片  
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