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華亞科澄清制程轉(zhuǎn)換突發(fā)狀況

  • 　　DRAM廠制程轉(zhuǎn)換再度傳出突發(fā)狀況，華亞科近期傳出12寸晶圓廠在后段制程出現(xiàn)一批低良率瑕疵品，恐影響2、3月DRAM產(chǎn)出量，甚至可能將瑕疵品轉(zhuǎn)銷往現(xiàn)貨市場(chǎng)，引發(fā)存儲(chǔ)器業(yè)界高度關(guān)注。華亞科對(duì)此表示，該事件影響不大，預(yù)計(jì)第1季要給客戶數(shù)量不會(huì)減少，位元成長(zhǎng)率(Bit Growth)亦將達(dá)到40%水平。南亞科則表示，近期的確會(huì)增加現(xiàn)貨客戶比重，主因是目前現(xiàn)貨價(jià)高于合約價(jià)，系基于策略性的考量?！　?/li>
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DRAM/NAND芯片現(xiàn)貨均價(jià)上周再度下滑

  • 　　來自臺(tái)灣媒體的最新消息稱，市場(chǎng)調(diào)研公司inSpectrum近日發(fā)布的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)周統(tǒng)計(jì)報(bào)告顯示，上周DRAM和NAND芯片現(xiàn)貨市場(chǎng)上的平均價(jià)格再次有了比較明顯的下滑，相比1月份的穩(wěn)定價(jià)格此次的變化對(duì)整個(gè)市場(chǎng)有一定的影響。 　　
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三星電子擬推新1GB移動(dòng)DRAM

  • 　　三星電子宣布，計(jì)劃推出裝有新寬I/O接口的1GB移動(dòng)DRAM，以應(yīng)用于智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備，將采用50納米級(jí)工藝技術(shù)，傳輸速度可達(dá)12.8GB/秒。 　　韓國(guó)三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd.)2月21日宣布，這家先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的全球龍頭企業(yè)正在開發(fā)裝有寬I/O接口的1GB移動(dòng)DRAM(dynamic random access memory)，將使用50納米級(jí)工藝技術(shù)。新的寬I/O移動(dòng)DRAM將被用于移動(dòng)應(yīng)用設(shè)備，諸如智能手機(jī)和平板電腦?！　?/li>
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爾必達(dá)TDR訂價(jià)出爐

  • 　　彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)指出，日廠爾必達(dá)(Elpida)發(fā)行臺(tái)灣存托憑證(TDR)訂價(jià)底定，每單位為新臺(tái)幣21.3元，預(yù)計(jì)將籌資約39.66億元，作為次世代DRAM制程研發(fā)之用。 　　
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DRAM內(nèi)存迎來價(jià)格反彈期

  • 　　臺(tái)灣南亞科技2月16日表示，今年二季度的DRAM內(nèi)存芯片期貨價(jià)增長(zhǎng)幅度至少達(dá)到5%，并以此開啟增長(zhǎng)勢(shì)頭。此前他們預(yù)計(jì)DRAM芯片價(jià)格最早在一季度開始恢復(fù)增長(zhǎng)。 　　
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR  

TIMC不做DRAM相關(guān)產(chǎn)品

  • 　　臺(tái)灣創(chuàng)新內(nèi)存公司(TIMC)董事長(zhǎng)宣明智指出，TIMC未來不做與DRAM 有關(guān)的產(chǎn)品，而以Flash為主，3月會(huì)有進(jìn)一步結(jié)果，宣明智坦言，TIMC開發(fā)的技術(shù)獨(dú)立于目前臺(tái)面上的Flash技術(shù)，困難度很高，目前還只是幼兒園階段。 　
  • 關(guān)鍵字： TIMC  DRAM  

DRAM內(nèi)存期貨價(jià)開啟增長(zhǎng)勢(shì)頭

  • 　　北京時(shí)間2月16日晚間消息，臺(tái)灣南亞科技今天表示，今年二季度的DRAM內(nèi)存芯片期貨價(jià)增長(zhǎng)幅度至少達(dá)到5%，并以此開啟增長(zhǎng)勢(shì)頭。此前他們預(yù)計(jì)DRAM芯片價(jià)格最早在一季度開始恢復(fù)增長(zhǎng)。 　　
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  DRAM  

DRAM合約價(jià)醞釀反彈

  • 　　DRAM合約價(jià)在2010年第4季跌幅高達(dá)50%，隨著現(xiàn)貨價(jià)在農(nóng)歷年前率先反彈，2011年2月DRAM合約價(jià)亦走向止跌，存儲(chǔ)器模塊廠表示，近期甫出爐1Gb、2Gb、4Gb產(chǎn)品合約價(jià)都呈現(xiàn)止跌跡象，由于目前現(xiàn)貨價(jià)比合約價(jià)至少高出20%，使得DRAM廠在合約價(jià)談判上輕松許多;南亞科則預(yù)計(jì)，2月 DRAM合約價(jià)漲幅目標(biāo)是至少5%?！　?/li>
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

傳爾必達(dá)或并購(gòu)茂德

  • 　　日本DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida)在成功集成臺(tái)廠力晶、瑞晶產(chǎn)能后，日前再度傳出將目標(biāo)轉(zhuǎn)向茂德，根據(jù)日本外電報(bào)導(dǎo)，爾必達(dá)正和臺(tái)灣政府和債權(quán)銀行團(tuán)協(xié)商，希望銀行團(tuán)能放棄債權(quán)以利爾必達(dá)做整并;不過，茂德指出，完全沒聽過此事，而業(yè)界則認(rèn)為，爾必達(dá)所指的放棄債權(quán)一事，應(yīng)該是指希望銀行團(tuán)能打消負(fù)債，但此舉并不利銀行團(tuán)本身，除非政府出面強(qiáng)制主導(dǎo)，否則成功機(jī)率不高?！　?/li>
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2011年DRAM市場(chǎng)將急劇萎縮

  • 　　據(jù)iSuppli公司，預(yù)計(jì)2011年DRAM平均銷售價(jià)格(ASP)大幅下滑，全球DRAM銷售額也將隨之急劇萎縮，盡管智能手機(jī)和平板電腦領(lǐng)域存在強(qiáng)勁的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。 　　2011年全球DRAM銷售額預(yù)計(jì)下降至355億美元，比2010年的403億美元減少11.8%。這種兩位數(shù)的下滑幅度，與2010年形成鮮明對(duì)比。2010年全球DRAM銷售額比2009年劇增77.5%。如圖所示，2011年以后的幾年，DRAM銷售額的波動(dòng)也較大，在ASP持續(xù)下滑的情況下，銷售額趨于下降。　
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爾必達(dá)擬在臺(tái)發(fā)行TDR

  • 　　彭博信息(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)指出，全球第3大DRAM業(yè)者爾必達(dá)(Elpida)計(jì)劃來臺(tái)發(fā)行臺(tái)灣存托憑證(TDR)，募資約123億日?qǐng)A(約新臺(tái)幣43.2億元)，作為次世代DRAM制程所需的研發(fā)資金之用，而爾必達(dá)亦將成為首家來臺(tái)發(fā)行TDR的日本業(yè)者。 　　
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  

三星繼續(xù)統(tǒng)治DRAM市場(chǎng)

  • 　　存儲(chǔ)芯片調(diào)研公司集邦科技日前發(fā)布了2010年四季度的全球DRAM營(yíng)收?qǐng)?bào)告，去年四季度DRAM市場(chǎng)營(yíng)收86.4億美元，相比三季度的107.8億美元下降20%。芯片期貨價(jià)環(huán)比下降40%，但產(chǎn)能增長(zhǎng)16%。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

爾必達(dá)擬在臺(tái)發(fā)行TDR　籌措新臺(tái)幣43.2億元

  • 　　彭博信息(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)指出，全球第3大DRAM業(yè)者爾必達(dá)(Elpida)計(jì)劃來臺(tái)發(fā)行臺(tái)灣存托憑證(TDR)，募資約123億日?qǐng)A(約新臺(tái)幣43.2億元)，作為次世代DRAM制程所需的研發(fā)資金之用，而爾必達(dá)亦將成為首家來臺(tái)發(fā)行TDR的日本業(yè)者。 　　據(jù)悉，爾必達(dá)擬發(fā)行2億單位的TDR;2月18日將敲定確切的發(fā)行價(jià)格。 　　另據(jù)路透(Reuters)報(bào)導(dǎo)，在發(fā)行TDR的同時(shí)，爾必達(dá)亦計(jì)劃增發(fā)1,000萬股新股，新股發(fā)行后，爾必達(dá)的股數(shù)將增為2.16億股左右。 　　報(bào)導(dǎo)提到，爾必達(dá)透過發(fā)行T
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三星繼續(xù)統(tǒng)治DRAM市場(chǎng) 韓廠狂攬62%份額

  • 　　存儲(chǔ)芯片調(diào)研公司集邦科技日前發(fā)布了2010年四季度的全球DRAM營(yíng)收?qǐng)?bào)告，去年四季度DRAM市場(chǎng)營(yíng)收86.4億美元，相比三季度的107.8億美元下降20%。芯片期貨價(jià)環(huán)比下降40%，但產(chǎn)能增長(zhǎng)16%。 　　集邦科技指出，廠商們?cè)谏a(chǎn)工藝上的升級(jí)使得產(chǎn)能上漲，但50nm級(jí)和40nm級(jí)工藝的邁進(jìn)使得四季度的DRAM價(jià)格下降。在加上PC對(duì)DRAM需求較低、PC內(nèi)存容量的升級(jí)緩慢，最終的結(jié)果就是產(chǎn)能過剩拉低了芯片價(jià)格。 　　四季度2GB DDR3內(nèi)存平均期貨價(jià)已經(jīng)從三季度的40美元降低到24美元，而現(xiàn)貨市
  • 關(guān)鍵字： 集邦科技，DRAM  存儲(chǔ)芯片  

爾必達(dá)2010年第四季度大虧3.6億美元

  • 　　存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)公布2010會(huì)計(jì)年度第3季財(cái)報(bào)(2010年10~12月)，受存儲(chǔ)器價(jià)格大跌拖累，爾必達(dá)第3季大虧296億日?qǐng)A(約3.6億美元)。 　　2010 會(huì)計(jì)年度第3季爾必達(dá)營(yíng)收為970.7億日?qǐng)A，較前1年同期的1,510.1億日?qǐng)A大幅萎縮36%，第3季凈損為296億日?qǐng)A，較前1年同期凈賺 210.5億日?qǐng)A大幅惡化。此外，爾必達(dá)第3季的虧損較路透(Reuters)調(diào)查、分析師預(yù)估的凈損161.7億日?qǐng)A還大。 　　爾必達(dá)虧損龐大的主因?yàn)镈RAM價(jià)格崩盤，受個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)需求
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