首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 1α dram

2010年DRAM產(chǎn)業(yè)憂多于喜

  • 　　2010年DRAM產(chǎn)業(yè)虎頭蛇尾，年初報價大漲至1顆DDR3報價達(dá)3美元，但年底卻跌到1美元;但以獲利來看，2010年只有力晶和瑞晶有賺錢，南亞科、華亞科和茂德都是持續(xù)賠錢，南亞科和華亞科是因為制程轉(zhuǎn)換之故，沒有掌握到年初報價上漲的機會，年底雖然成功轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米，但報價已呈現(xiàn)溜滑梯狀態(tài)。 　　
  • 關(guān)鍵字： 瑞晶  DRAM  

瑞晶宣布暫停出貨給力晶

  • 　　瑞晶31日公告，由于主要大客戶兼母公司力晶的帳款逾期未付，因此即日起暫停出貨給力晶;力晶表示，由于DRAM價格不佳，在財務(wù)上規(guī)畫保守，目前正與爾必達(dá)(Elpida)和瑞晶3方協(xié)商當(dāng)中;瑞晶則表示，將與力晶協(xié)議針對保障瑞晶債權(quán)的方案。 　　
  • 關(guān)鍵字： 瑞晶  DRAM  

臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)最大問題不在匯率而在售價

  • 　　臺灣央行總裁彭淮南面對這一波新臺幣強勢升值，采取匯市收盤價力守30元的作法，外界開始出現(xiàn)匯價失真的爭議，但彭淮南這次直接挑明表示，臺灣和韓國在科技產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品雷同度高，匯率過度升值會影響出口商的競爭力;與韓國處于高度競爭的DRAM廠表示，若新臺幣升值幅度高于韓元，與三星電子(Samsung Electronics)競爭上的確區(qū)居下風(fēng)，不過臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)有很大一塊問題是自己的技術(shù)和財務(wù)結(jié)構(gòu)，匯率是影響競爭力因素之一，但絕不是影響臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)競爭力的最關(guān)鍵因素，主要因素還是在售價。 　　
  • 關(guān)鍵字： 力晶  DRAM  

海力士DRAM制程升級到30納米級

  • 　　海力士(Hynix)緊跟三星電子(Samsung Electronics)之后，將把DRAM的生產(chǎn)制程轉(zhuǎn)換為30納米級制程。海力士29日宣布，已開發(fā)出2款計算機用DRAM產(chǎn)品，將首度采用30納米級制程量產(chǎn)。據(jù)海力士表示，計劃采用38納米制程生產(chǎn)4Gb和2Gb 2種產(chǎn)品，2011年第1季將先量產(chǎn)2Gb產(chǎn)品。 　
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  

海力士2011年計劃投資26億美元

  • 　　據(jù)彭博(Bloomberg)報導(dǎo)，海力士(Hynix)計劃資本支出3兆韓元(約26億美元)，該公司發(fā)言人證實首爾經(jīng)濟(jì)日報(Seoul Economic Daily)的報導(dǎo)。 　　彭博電話訪問發(fā)言人Park Seong Ae指出，實際投資金額可能會依市場情況而調(diào)整。Park進(jìn)一步指出，2010年的投資金額為3.38兆韓元，相較之下，2011年的投資金額可能會比較小。
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  

臺日DRAM是否會產(chǎn)業(yè)整合？

  • 　　DRAM報價面臨二次崩盤危機，過去曾被提及但最后鎩羽的臺日DRAM產(chǎn)業(yè)4合1大整并議題，再度被端上臺面!日本外電指出，爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄將于2011年初訪臺，洽談在臺灣成立控股公司，將力晶、瑞晶和茂德3家臺廠連同爾必達(dá)進(jìn)行4合1大整并的細(xì)節(jié)，若能整并成功，“新爾必達(dá)”的市占率將一舉超越海力士(Hynix)成為全球DRAM二哥;惟臺廠表示，未聽聞此事。
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  

12月份DRAM價格繼續(xù)大幅下滑

  • 　　據(jù)iSuppli公司，12月DRAM價格繼續(xù)下降，跌勢不止，經(jīng)過幾個月的大幅下滑，價格已降到年內(nèi)最低水平。 　　12月10日，2GB DDR3 DRAM模組合同價格為21.00美元，比6月份的44.40美元下跌50%以上。不只DDR3價格下跌，DDR2同樣跌得很慘。目前DDR2價格為21.50美元，遠(yuǎn)低于6月時的38.80美元。 　　圖2所示為4-12月DDR2和DDR3 DRAM的平均銷售價格，包括1GB和2GB兩種密度。 　　與上一代的DDR2相比，DDR3傳輸速度更快，而且功耗更低。但
  • 關(guān)鍵字： DRAM  30納  

下季DRAM和NAND Flash報價看跌

  • 　　美系內(nèi)存大廠美光(Micron)預(yù)測2011會計年度第2季(2010年12月~2011年2月)DRAM和NANDFlash報價將持續(xù)走跌，其中DRAM價格會下跌約25%，而NANDFlash價格會下跌約10%，美光表示，將致力于制程技術(shù)微縮，以期能持續(xù)降低生產(chǎn)成本，因應(yīng)需求不如預(yù)期的市況。 　　
  • 關(guān)鍵字： 美光  DRAM  

手機記憶芯片熱銷

  • 　　美國計算機記憶芯片大廠美光日前公布會計年度第1季(迄12月2日)財報，由于供智能型手機使用的記憶芯片需求殷切，不但抵銷了個人計算機記憶芯片需求下滑的沖擊，更讓公司連續(xù)第5個季度出現(xiàn)獲利。 　　
  • 關(guān)鍵字： 美光  DRAM  

DRAM合約價再跌10%

  • 　　2010年12月下旬DRAM的合約價格持續(xù)重挫，其中2GB容量DDR3模塊的價格下跌10%，平均售價跌破20美元，低價來到17美元價格，相較于2010年上半DRAM缺貨高峰期，2GB容量DDR3模塊價格較當(dāng)時的價格已下跌超過50%，市場預(yù)期供過于求的情況至少還會再持續(xù)1季，因為2011年第1季的供給增加幅度相當(dāng)大，預(yù)計要到2011年4月之后，等個人計算機(PC)大廠準(zhǔn)備下半年旺季的備料，DRAM價格才有機會落底止跌。 　　
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  

2010全球半導(dǎo)體市場增長遠(yuǎn)超預(yù)期

  • 　　據(jù)市場研究公司iSuppli表示，今年全球半導(dǎo)體市場將較上年同期低迷的水平實現(xiàn)有史以來最大規(guī)模的增長，這主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增長。iSuppli預(yù)計，2010年全球半導(dǎo)體行業(yè)總收入或為3,040億美元，較2009年總收入2,295億美元高出大約三分之一。 　　
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  DRAM  

2011年DRAM位元成長率上看50%

  • 　　2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中，雖然三星電子(SamsungElectronics)已揭露大擴產(chǎn)計劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現(xiàn)有Line-15升級至35納米制程，但綜觀整個DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出，集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長率(BitGrowth)將增加50%。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  DRAM  

2011年DRAM位元成長率上看50%

  • 　　2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中，雖然三星電子(Samsung Electronics)已揭露大擴產(chǎn)計劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現(xiàn)有Line-15升級至35納米制程，但綜觀整個DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出，集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長率(Bit Growth)將增加50%。 　　三星電子201
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  DRAM  

金士頓擴大在DRAM模組領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢

  • 　　據(jù)iSuppli公司，2010年上半年金士頓增強了在第三方DRAM模組市場中的統(tǒng)治地位，在模組成本上漲之際利用其強大的購買力擴大了市場份額。 　　2010年上半年金士頓的DRAM模組銷售額為26億美元，比2009年下半年勁增45.6%。其在全球第三方DRAM模組市場中的份額從2009年下半年的39.6%升至45.8%。金士頓的表現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于總體DRAM模組市場，后者同期增長26%。 　　
  • 關(guān)鍵字： 金士頓  DRAM  

三星TSV應(yīng)用DRAM模塊首次實現(xiàn)商用化

  • 　　據(jù)南韓電子新聞報導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics)應(yīng)用可大幅提升內(nèi)存容量的3D-TSV(Through Silicon Via)技術(shù)開發(fā)出8GB DDR3 DRAM模塊。三星以3D-TSV技術(shù)在40奈米2Gb DDR3 DRAM上搭載2顆集積芯片，制作成8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory)產(chǎn)品，10月時已裝設(shè)在客戶商服務(wù)器上，完成產(chǎn)品測試。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  
共1829條 75/122 |‹ « 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 » ›|

1α dram介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條1α dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對1α dram的理解，并與今后在此搜索1α dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473