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美光推出面向移動(dòng)應(yīng)用、堪稱業(yè)內(nèi)容量最高的單片式內(nèi)存

  • 新聞?wù)? 16Gb LPDDR4X改進(jìn)了能耗、速度和業(yè)內(nèi)最高容量的單片式裸晶，它的推出進(jìn)一步鞏固了美光在低功耗 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。? 基于 UFS 的多芯片封裝可在同等尺寸條件下降低功耗并增加容量，從而使手機(jī)設(shè)計(jì)更加輕巧美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）今天宣布推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個(gè)智能手機(jī)中提供高達(dá) 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，顯示了美光為當(dāng)前和下一代
  • 關(guān)鍵字： LPDDR4X 批量生產(chǎn)進(jìn)入1z 納米 DRAM 工藝節(jié)點(diǎn)  

美光宣布量產(chǎn)第3代10納米級(jí)制程DRAM

  • 根據(jù)國(guó)外科技媒體《Anandtech》的報(bào)導(dǎo)指出，日前美系存儲(chǔ)器大廠美光科技(Micron)正式宣布，將采用第3代10納米級(jí)制程(1Znm)來(lái)生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來(lái)生產(chǎn)的DRAM將會(huì)是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲(chǔ)器。對(duì)此，市場(chǎng)預(yù)估，美光的該項(xiàng)新產(chǎn)品還會(huì)在2019年底前，在美光位于中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)中的廠區(qū)內(nèi)建立量產(chǎn)產(chǎn)線。
  • 關(guān)鍵字： 美光  10納米  DRAM  

日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢(shì)，長(zhǎng)期須關(guān)注原廠庫(kù)存水位

  • Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機(jī)與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報(bào)價(jià)狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫(kù)存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請(qǐng)流程延長(zhǎng)，短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)，集邦咨詢分析指出，因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)三個(gè)季度快速下滑，下游
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國(guó)際半導(dǎo)體遭遇寒冬 中國(guó)存儲(chǔ)方隊(duì)逆勢(shì)擴(kuò)張

  • 　　在中美貿(mào)易摩擦有所緩和之際，日前紫光集團(tuán)宣布組建DRAM集團(tuán)，讓市場(chǎng)注意力集中到國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器布局上。當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)寡頭壟斷的格局下，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)方隊(duì)既要面對(duì)技術(shù)、團(tuán)隊(duì)等方面的疊代差距，又要面對(duì)當(dāng)前國(guó)際半導(dǎo)體市場(chǎng)勢(shì)弱，存儲(chǔ)大幅降價(jià)的風(fēng)險(xiǎn)，迎難而上，逆勢(shì)擴(kuò)張?！　?guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)降溫　　6月30日晚間，紫光集團(tuán)宣布了組建DRAM事業(yè)群的計(jì)劃，并配套部署人事安排，深化和完善紫光集團(tuán)“從芯到云”產(chǎn)業(yè)鏈的建設(shè)。而如果放眼國(guó)際，此時(shí)紫光集團(tuán)布局DRAM可謂迎難而上，逆勢(shì)擴(kuò)張?！　?jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)官網(wǎng)最新統(tǒng)計(jì)，5月全球半
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  存儲(chǔ)  DRAM  

美光正在為DDR5擴(kuò)大產(chǎn)能 并迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)工藝技術(shù)

  • 在近日與投資者和金融分析師召開的收益電話會(huì)議上，美光對(duì)其長(zhǎng)期未來(lái)及對(duì)其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求表示了信心，該公司還概述了擴(kuò)大產(chǎn)能的計(jì)劃，并迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的工藝技術(shù)。
  • 關(guān)鍵字： 美光  DDR5  DRAM  

紫光集團(tuán)組建DRAM事業(yè)群

  • 6月30日，紫光集團(tuán)發(fā)布公告稱，決定組建紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群，全力加速發(fā)展國(guó)產(chǎn)內(nèi)存。
  • 關(guān)鍵字： 紫光  DRAM  閃存  

DRAM顆粒6月現(xiàn)貨價(jià)逼近生產(chǎn)成本　跌勢(shì)趨緩訊號(hào)浮現(xiàn)

  • DRAM價(jià)格第2季大幅走跌，根據(jù)供應(yīng)鏈透露，6月起DRAM顆?，F(xiàn)貨價(jià)格再度走跌，主流交易規(guī)格的8Gb顆粒正式跌破3美元關(guān)卡。
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  SK海力士  美光  南亞科  DRAM  

紅「芯」勢(shì)力崛起 三星DRAM事業(yè)的危機(jī)與中轉(zhuǎn)

  • 半導(dǎo)體無(wú)所不在，舉凡汽車、家電、手機(jī)到戰(zhàn)斗機(jī)，皆少不了半導(dǎo)體這玩意。半導(dǎo)體為韓國(guó)最具代表性產(chǎn)業(yè)，占外銷總金額的20%。然而2018年底存儲(chǔ)器榮景告終、價(jià)格走跌，除了讓三星電子(Samsung Electronics)存儲(chǔ)器事業(yè)陷入危機(jī)外，韓國(guó)經(jīng)濟(jì)前景也跟著蒙上陰影。面對(duì)中國(guó)大陸DRAM力拚崛起，及工業(yè)4.0革命可能帶來(lái)的爆炸性需求，三星半導(dǎo)體事業(yè)將采取何種策略令人好奇。
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  SDI  

三星18nm工藝內(nèi)存芯片曝缺陷 明年全面挺進(jìn)16nm

  • 作為占據(jù)全球DRAM內(nèi)存芯片過(guò)半市場(chǎng)的超級(jí)巨頭，三星電子的一舉一動(dòng)都影響著整個(gè)行業(yè)。前幾年內(nèi)存價(jià)格持續(xù)暴漲，三星賺得盆滿缽滿，最近日子就不太好過(guò)了，一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)暴跌了超過(guò)60％。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  16nm  三星電子  

MRAM技術(shù)新突破！臺(tái)灣清大團(tuán)隊(duì)發(fā)表新磁性翻轉(zhuǎn)技術(shù)

  • 　　全球各半導(dǎo)體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競(jìng)相投入磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)，準(zhǔn)備在后摩爾定律世代一較高下。臺(tái)灣清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉(zhuǎn)，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領(lǐng)域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)?！　RAM為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)，斷電時(shí)利用納米磁鐵所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)流失，是“不失憶”的存儲(chǔ)器。其結(jié)構(gòu)如三明治，上層是自由翻轉(zhuǎn)的鐵磁層，可快速處理數(shù)據(jù)，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，兩層中則有氧化層隔開。　　其
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集邦咨詢：DRAM均價(jià)受庫(kù)存尚未去化完成影響，跌勢(shì)恐將持續(xù)至下半年

  • 　　Mar. 25, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，受庫(kù)存過(guò)高影響，DRAM第一季合約價(jià)跌幅持續(xù)擴(kuò)大，整體均價(jià)已下跌逾20%。然而價(jià)格加速下跌并未刺激需求回溫，預(yù)計(jì)在庫(kù)存尚未去化完成的影響下，DRAM均價(jià)跌勢(shì)恐將持續(xù)至第三季。　　根據(jù)DRAMeXchange調(diào)查，DRAM供應(yīng)商累積的庫(kù)存水位在第一季底已經(jīng)普遍超過(guò)六周 (含wafer bank)，而買方的庫(kù)存水位雖受到不同產(chǎn)品別的影響略有增減，但平均至少達(dá)五周，在服務(wù)器以及PC客戶端甚至超過(guò)七周?！　∵M(jìn)
  • 關(guān)鍵字： 集邦咨詢  DRAM  

中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸，因素在于美國(guó)管制與韓國(guó)壟斷

  • 　　根據(jù)韓國(guó)媒體《BusinessKorea》的報(bào)導(dǎo)指出，中國(guó)一直企望發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，但在近期受到韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠三星與SK海力士在市場(chǎng)壟斷與持續(xù)技術(shù)精進(jìn)下，加上美國(guó)對(duì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的嚴(yán)密保護(hù)，其目的將難以達(dá)成?！　?bào)導(dǎo)指出，2018年10月份，在中國(guó)NANDFlash快閃存儲(chǔ)器技術(shù)上領(lǐng)先的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后，當(dāng)時(shí)就宣布將在2020年時(shí)跳過(guò)64層及96層堆疊的產(chǎn)品，直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國(guó)的存儲(chǔ)器龍頭廠三星，早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快
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手機(jī)存儲(chǔ)芯片價(jià)格狂跌 海外巨頭“圍剿”中國(guó)廠商陰謀論成真？

  • 近日，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)調(diào)研品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)公布的最新的存儲(chǔ)芯片行業(yè)調(diào)研報(bào)告顯示，DRAM跌價(jià)幅度超過(guò)預(yù)期，創(chuàng)8年以來(lái)最大跌幅。一度被調(diào)侃為“價(jià)格跑贏了房?jī)r(jià)”的內(nèi)存條，如今突然迎來(lái)8年來(lái)最大跌幅，國(guó)際巨頭對(duì)中國(guó)廠商“圍剿”的爭(zhēng)議也再次出現(xiàn)。
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)  DRAM  

DRAM價(jià)格暴跌 韓國(guó)前景“一片烏云”

  • 　　根據(jù)據(jù)韓媒《韓鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)，DRAM的價(jià)格接連下跌，零售的計(jì)算機(jī)用DRAM價(jià)格最終也下跌到5萬(wàn)韓元以下，這樣的走勢(shì)比預(yù)期要快許多，預(yù)計(jì)今年出口的前景也不樂(lè)觀?！　≡陧n國(guó)電子產(chǎn)品價(jià)格比較網(wǎng)“Danawa”上，本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價(jià)格是4萬(wàn)8900韓元，已經(jīng)下跌到5萬(wàn)韓元以下，與去年4月9萬(wàn)9270韓元的高點(diǎn)相比下跌了50.7%?！　2B(企業(yè)間交易)市場(chǎng)價(jià)格指標(biāo)也呈暴跌的趨勢(shì)，據(jù)市調(diào)公司DRAMeXchange指出，2月底的DDR48Gb的固定交易價(jià)格是比起今年1月
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DRAM大幅跌價(jià) 三星的半導(dǎo)體老大位置懸了

  • 　　據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange公布的調(diào)查報(bào)告指，今年以來(lái)DRAM內(nèi)存價(jià)格大幅下跌，其估算一季度的跌幅從預(yù)期的25%擴(kuò)大至30%，這對(duì)于依靠存儲(chǔ)芯片取得了全球半導(dǎo)體老大位置的三星來(lái)說(shuō)顯然不是好消息，其或因存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)下跌導(dǎo)致位置不保?！　〈鎯?chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲助三星取代Intel　　自2016年以來(lái)，受PC、智能手機(jī)等產(chǎn)品對(duì)存儲(chǔ)芯片需求不斷擴(kuò)大，PC正將機(jī)械硬盤轉(zhuǎn)換為速度更快的SSD硬盤、DRAM內(nèi)存的容量在不斷增大，智能手機(jī)的閃存和內(nèi)存容量也在不斷擴(kuò)大，存儲(chǔ)芯片價(jià)格進(jìn)入了快速上漲的階段。　　作為
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