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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 1β dram

平板電腦為DRAM帶來(lái)增長(zhǎng)支撐點(diǎn)

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2011年平板電腦將極大地促進(jìn)DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，預(yù)計(jì)今年該領(lǐng)域的DRAM出貨量將增長(zhǎng)八倍。 　　今年平板設(shè)備領(lǐng)域的DRAM出貨量預(yù)計(jì)達(dá)到3.533億Gb，比2010年的3780萬(wàn)Gb劇增834.7%。未來(lái)幾年其增長(zhǎng)勢(shì)頭沒(méi)有減弱跡象，2012年將增長(zhǎng)到10億Gb，2013年增長(zhǎng)到22億Gb，2014年達(dá)到35億Gb，如圖3所示。
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DRAM價(jià)跌破0.9美元防線

  • 　　韓國(guó)主要出口產(chǎn)品DRAM和液晶顯示器(LCD)面板價(jià)格，近期皆再度出現(xiàn)跌幅。其中，自2009年3月以來(lái)，歷經(jīng)22個(gè)月之后，DRAM價(jià)格又再度跌破0.9美元防線。 　　韓國(guó)媒體引述市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計(jì)表示，1Gb DDR3 DRAM交易價(jià)格已較1月初的0.91美元下跌3.3%，目前為0.88美元。1Gb DDR3 DRAM既是三星電子(Samsung Electronics)的代表性商品，也是目前全球DRAM半導(dǎo)體市場(chǎng)上交易量最大的產(chǎn)品?！　?/li>
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三星權(quán)五鉉：DRAM可能第一季觸底回升

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)部社長(zhǎng)權(quán)五鉉，出席2011年IT產(chǎn)業(yè)新年見(jiàn)面會(huì)時(shí)曾表示，DRAM價(jià)格可能提早于第1季觸底并回升，第1季內(nèi)價(jià)格將有小幅下跌，價(jià)格隨即出現(xiàn)反彈，但不確定會(huì)發(fā)生在2月或3月。 　
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DRAM內(nèi)存價(jià)格接近谷底

  • 　　來(lái)自存儲(chǔ)芯片調(diào)研公司集邦科技的消息稱，1月上半個(gè)月DRAM期貨價(jià)已經(jīng)接近谷底，下半個(gè)月價(jià)格可能持平或繼續(xù)小幅下滑，然后在二季度開(kāi)始回漲。 　　本月初，2GB DDR3內(nèi)存價(jià)格下降5-6%，平均價(jià)格在17美元，最低16美元。雖然價(jià)格仍舊呈下降趨勢(shì)，但速率已經(jīng)非常緩慢，不像之前那樣出現(xiàn)10%甚至以上的滑坡?！　?/li>
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瑞薩開(kāi)發(fā)出在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)

  • 　　瑞薩電子開(kāi)發(fā)出了利用與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝相近的方法在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)。該項(xiàng)技術(shù)面向28nm工藝以后的產(chǎn)品，瑞薩電子將把該工藝的SoC(System on a Chip)生產(chǎn)全面委托給代工企業(yè)。　
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瑞薩電子推出5款面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的存儲(chǔ)器產(chǎn)品

  • 　　瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱瑞薩電子)于2011年1月18日正式宣布推出5款面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的高速存儲(chǔ)器產(chǎn)品576Mb(Mbit)低時(shí)延 DRAM，品名分別為μPD48576109、μPD48576118、μPD48576209、μPD48576218、μPD48576236。新產(chǎn)品將于即日起提供樣品。 　　與公司原有288Mb 低時(shí)延DRAM“μPD48288236”產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品最大的特點(diǎn)是其存儲(chǔ)容量提升至原有產(chǎn)品的2倍，實(shí)現(xiàn)了大容量化。此
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爾必達(dá)擬漲DRAM價(jià)格

  • 　　日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)指出，日廠爾必達(dá)(Elpida)有意于2011年1月中旬調(diào)漲DRAM價(jià)，據(jù)國(guó)內(nèi)外PC業(yè)者的說(shuō)法，其要求的漲幅約10%。 　　
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DRAM風(fēng)雨飄搖之后的希望

  • 　　據(jù)市調(diào)公司iSuppli研究，預(yù)計(jì)2011年DRAM平均銷售價(jià)格(ASP)大幅下滑，全球DRAM銷售額也將隨之急劇萎縮，盡管智能手機(jī)和平板電腦領(lǐng)域存在強(qiáng)勁的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。 　
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2011年DRAM市場(chǎng)將失去勢(shì)頭

  • 　　據(jù)iSuppli公司，預(yù)計(jì)2011年DRAM平均銷售價(jià)格(ASP)大幅下滑，全球DRAM銷售額也將隨之急劇萎縮，盡管智能手機(jī)和平板電腦領(lǐng)域存在強(qiáng)勁的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。 　　2011年全球DRAM銷售額預(yù)計(jì)下降至355億美元，比2010年的403億美元減少11.8%。這種兩位數(shù)的下滑幅度，與2010年形成鮮明對(duì)比。2010年全球DRAM銷售額比2009年劇增77.5%。如圖2所示，2011年以后的幾年，DRAM銷售額的波動(dòng)也較大，在ASP持續(xù)下滑的情況下，銷售額趨于下降。 　　DRAM是游戲機(jī)和臺(tái)式電腦及筆
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臺(tái)DRAM廠拼制程搶救獲利無(wú)效

  • 　　DDR3報(bào)價(jià)從2010年初1顆3美元跌到年底只剩下0.8美元，跌幅高達(dá)70%，力晶更在2010年底因欠款導(dǎo)致子公司瑞晶停止出貨，透露臺(tái)DRAM廠財(cái)務(wù)已處于極度吃緊狀態(tài)，存儲(chǔ)器業(yè)者表示，由于1月DRAM合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià)還有下跌空間，即便臺(tái)廠現(xiàn)在就采用40納米制程生產(chǎn)，亦只能勉強(qiáng)微幅賺錢，更何況臺(tái)廠目前制程幾乎都在50及60納米世代，因此，臺(tái)DRAM廠不僅2010年第4季虧損將持續(xù)擴(kuò)大，2011年第1季亦將再鳴虧損悲歌。 　　
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2010年DRAM產(chǎn)業(yè)憂多于喜

  • 　　2010年DRAM產(chǎn)業(yè)虎頭蛇尾，年初報(bào)價(jià)大漲至1顆DDR3報(bào)價(jià)達(dá)3美元，但年底卻跌到1美元;但以獲利來(lái)看，2010年只有力晶和瑞晶有賺錢，南亞科、華亞科和茂德都是持續(xù)賠錢，南亞科和華亞科是因?yàn)橹瞥剔D(zhuǎn)換之故，沒(méi)有掌握到年初報(bào)價(jià)上漲的機(jī)會(huì)，年底雖然成功轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米，但報(bào)價(jià)已呈現(xiàn)溜滑梯狀態(tài)。 　　
  • 關(guān)鍵字： 瑞晶  DRAM  

瑞晶宣布暫停出貨給力晶

  • 　　瑞晶31日公告，由于主要大客戶兼母公司力晶的帳款逾期未付，因此即日起暫停出貨給力晶;力晶表示，由于DRAM價(jià)格不佳，在財(cái)務(wù)上規(guī)畫保守，目前正與爾必達(dá)(Elpida)和瑞晶3方協(xié)商當(dāng)中;瑞晶則表示，將與力晶協(xié)議針對(duì)保障瑞晶債權(quán)的方案。 　　
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臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)最大問(wèn)題不在匯率而在售價(jià)

  • 　　臺(tái)灣央行總裁彭淮南面對(duì)這一波新臺(tái)幣強(qiáng)勢(shì)升值，采取匯市收盤價(jià)力守30元的作法，外界開(kāi)始出現(xiàn)匯價(jià)失真的爭(zhēng)議，但彭淮南這次直接挑明表示，臺(tái)灣和韓國(guó)在科技產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品雷同度高，匯率過(guò)度升值會(huì)影響出口商的競(jìng)爭(zhēng)力;與韓國(guó)處于高度競(jìng)爭(zhēng)的DRAM廠表示，若新臺(tái)幣升值幅度高于韓元，與三星電子(Samsung Electronics)競(jìng)爭(zhēng)上的確區(qū)居下風(fēng)，不過(guò)臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)有很大一塊問(wèn)題是自己的技術(shù)和財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)，匯率是影響競(jìng)爭(zhēng)力因素之一，但絕不是影響臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的最關(guān)鍵因素，主要因素還是在售價(jià)。 　　
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海力士DRAM制程升級(jí)到30納米級(jí)

  • 　　海力士(Hynix)緊跟三星電子(Samsung Electronics)之后，將把DRAM的生產(chǎn)制程轉(zhuǎn)換為30納米級(jí)制程。海力士29日宣布，已開(kāi)發(fā)出2款計(jì)算機(jī)用DRAM產(chǎn)品，將首度采用30納米級(jí)制程量產(chǎn)。據(jù)海力士表示，計(jì)劃采用38納米制程生產(chǎn)4Gb和2Gb 2種產(chǎn)品，2011年第1季將先量產(chǎn)2Gb產(chǎn)品。 　
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海力士2011年計(jì)劃投資26億美元

  • 　　據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士(Hynix)計(jì)劃資本支出3兆韓元(約26億美元)，該公司發(fā)言人證實(shí)首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)(Seoul Economic Daily)的報(bào)導(dǎo)。 　　彭博電話訪問(wèn)發(fā)言人Park Seong Ae指出，實(shí)際投資金額可能會(huì)依市場(chǎng)情況而調(diào)整。Park進(jìn)一步指出，2010年的投資金額為3.38兆韓元，相較之下，2011年的投資金額可能會(huì)比較小。
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  
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