10-led 文章進(jìn)入10-led技術(shù)社區(qū)

概述LED芯片生產(chǎn)過程與MOCVD知識(shí)

LED外延片（外延片）LED芯片產(chǎn)生前的LED外延片生長(zhǎng)的基本原理是：在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片（主要有藍(lán)寶石和、SiC、Si）上，氣態(tài)物質(zhì)InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長(zhǎng)出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長(zhǎng)技
關(guān)鍵字： MOCVD 知識(shí) 生產(chǎn)過程芯片 LED 概述

熒光粉技術(shù)制作白光LED及彩色LED知識(shí)

近年來，在照明領(lǐng)域最引人關(guān)注的事件就是LED照明行業(yè)的興起。20世紀(jì)90年代中期，日本日亞化學(xué)公司的Nakamura等人經(jīng)過不懈努力，突破了制造藍(lán)光LED的關(guān)鍵技術(shù)，并由此開發(fā)出以熒光材料覆蓋藍(lán)光LED產(chǎn)生白光光源的技術(shù)。
關(guān)鍵字： LED 彩色知識(shí) 白光技術(shù) 制作熒光粉

三路輸出LED驅(qū)動(dòng)器可驅(qū)動(dòng)共陽(yáng)極LED串

有些多串發(fā)光二極管（LED）模塊采用一種共陽(yáng)極配置；然而，這種共陽(yáng)極連接方式把LED模塊與其驅(qū)動(dòng)器之間的導(dǎo)線數(shù)目從2N減少至N+1，這里，N是模塊中LED串的數(shù)目。本文將闡明如何驅(qū)動(dòng)這樣的共陽(yáng)極LED模塊，并在某個(gè)LED串
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LED芯片/器件封裝缺陷的非接觸檢測(cè)技術(shù)

摘要：為了在大批量封裝生產(chǎn)線上對(duì)LED的封裝質(zhì)量進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)，利用LED具有與PD類似的光伏效應(yīng)的特點(diǎn)，導(dǎo)出了LED芯片/器件封裝質(zhì)量與光生電流之間的關(guān)系，并根據(jù)LED封裝工藝過程的特點(diǎn)，研制了LED封裝質(zhì)量非接觸檢測(cè)
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白光LED的驅(qū)動(dòng)與應(yīng)用

為了保證照明級(jí)白光LED不僅能得到良好的應(yīng)用，而且能獲得較高的使用效率，首先是需要使其滿足一定的應(yīng)用條件，其次是需要采用相適應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電路來滿足LDE工作的參數(shù)配合要求。一、應(yīng)用要求1、驅(qū)動(dòng)電路是一種專為L(zhǎng)ED供
關(guān)鍵字：應(yīng)用驅(qū)動(dòng) LED 白光

具有超高導(dǎo)熱性能的高功率LED模塊

LED照明產(chǎn)業(yè)醞釀發(fā)展至今，白光照明一直無法有效解決因散熱不佳而造成封裝材料劣化、發(fā)光效率低的問題。其中的原因包括LED封裝的散熱途徑，LED封裝體、PCB、散熱鰭片環(huán)境層層阻隔并不順暢，上下游產(chǎn)業(yè)各自努力但互不
關(guān)鍵字： LED 模塊功率性能超高導(dǎo)熱具有

深入分析LED光衰的重要原因

現(xiàn)在大家開始意識(shí)到，光衰是大功率LED路燈不能長(zhǎng)期工作的主要原因，也開始認(rèn)識(shí)到降低光衰的一個(gè)重要方法就是改進(jìn)其散熱。盡管如此，從這次深圳市燈光環(huán)境管理中心對(duì)各種路燈的測(cè)試結(jié)果來看，仍然有大多數(shù)路燈的光衰是
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地鐵列車LED顯示屏的設(shè)計(jì)

摘要：根據(jù)地鐵車輛CAN智能總線通訊的要求設(shè)計(jì)了一種先進(jìn)的多功能LED屏，其特點(diǎn)是采用多模塊化設(shè)計(jì)，可根據(jù)需要對(duì)系統(tǒng)的總線通訊模塊和測(cè)溫模塊進(jìn)行更換，實(shí)現(xiàn)了對(duì)多種動(dòng)態(tài)文字和靜態(tài)圖形的顯示和車內(nèi)外的溫度和濕度
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創(chuàng)意無限:DIY可編程LED小玩具

最近在學(xué)習(xí)AVR單片機(jī)，到處找實(shí)例玩。水平不夠，只能先從簡(jiǎn)單的點(diǎn)LED燈玩起。讓LED按照程序的設(shè)計(jì)，以不同節(jié)奏閃 ...
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LED設(shè)計(jì)連載（一）：LED落地?zé)魟?chuàng)意設(shè)計(jì)

人們總喜歡探求新穎有創(chuàng)意的產(chǎn)品，因?yàn)閯?chuàng)意的產(chǎn)品不但能帶來視覺震撼的體驗(yàn)，而且在體驗(yàn)上也往往有出其不意的意 ...
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LED驅(qū)動(dòng)電路工程中的計(jì)算方法

由已知電源功率計(jì)算LED的數(shù)量　　例:額定輸出功率為10W電源,使用額定的正向電流20mA,耗散功率為70mW條件下 ...
關(guān)鍵字： LED 驅(qū)動(dòng)電路

我國(guó)三分之一光伏企業(yè)停產(chǎn)半停產(chǎn)

　　全國(guó)31個(gè)省區(qū)市中，有28個(gè)將物聯(lián)網(wǎng)作為新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)發(fā)展;規(guī)模以上的LED投資項(xiàng)目，去年一年猛增近80%;光伏產(chǎn)業(yè)更是遍地開花，1/3的中小光伏企業(yè)基本處于停產(chǎn)或半停產(chǎn)狀態(tài)，有的還未見盈利就被淘汰出局。部分戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)盲目投資，“虛火”已現(xiàn)。業(yè)內(nèi)專家表示，要解決各地政府主導(dǎo)的盲目發(fā)展、重復(fù)投資等共性問題，把戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)引向健康軌道。　　光伏企業(yè)多成立于2年內(nèi) 　　戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)作為知識(shí)技術(shù)密集、物質(zhì)資源消耗少、成長(zhǎng)潛力大、綜合效益好的產(chǎn)業(yè)，近兩年在國(guó)家和地方經(jīng)濟(jì)部署中
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極特先進(jìn)科技公司主辦LED造業(yè)

　　新罕布什爾州納舒厄-2012年5月10日--極特先進(jìn)科技公司(GTAdvancedTechnologiesInc.)(NASDAQ:GTAT)將于5月9日至10日在中國(guó)上海主辦LED制造業(yè)研討會(huì)。該研討會(huì)將匯集來自亞洲LED價(jià)值鏈的廣大制造商，包括藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)公司、磊晶層藍(lán)寶石晶圓和LED設(shè)備制造商，共同探討對(duì)于制造高產(chǎn)量、高品質(zhì)LED最重要的度量標(biāo)準(zhǔn)。該研討會(huì)將特別關(guān)注高品質(zhì)藍(lán)寶石材料在推動(dòng)下游行業(yè)增加產(chǎn)量并降低成本方面的作用，演講者包括來自PhilipsLumileds、ArimaOptoele
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未來5年氮化鎵襯底引領(lǐng)LED襯底發(fā)展潮流

　　在當(dāng)今日美壟斷LED芯片核心技術(shù)的格局下，中國(guó)LED企業(yè)如何打破格局，完成技術(shù)攻堅(jiān)，促進(jìn)LED發(fā)展顯得尤為重要。目前，LED襯底類別包括藍(lán)寶石、碳化硅、硅以及被稱為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵。　　與傳統(tǒng)襯底材料相比，氮化鎵具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越特性，是迄今理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。時(shí)至今日，氮化鎵襯底相對(duì)于藍(lán)寶石、碳化硅等襯底的性能優(yōu)勢(shì)顯而易見，最大難題在于價(jià)格過高。　　厚膜的襯底產(chǎn)品方面：產(chǎn)品有10～50微米
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2012 LED路燈仍將高速增長(zhǎng)

　　隨著半導(dǎo)體照明技術(shù)的日益成熟和從中央到地方不同的政府扶持政策的陸續(xù)出臺(tái)，商業(yè)照明與道路照明當(dāng)仁不讓地成為2012年眾多廠家逐鹿的戰(zhàn)場(chǎng)，而道路照明自2009年“十城萬盞”示范工程啟動(dòng)后，也從不斷的爭(zhēng)議中逐漸走向理性，今年或成為助力LED產(chǎn)業(yè)回暖的一劑催化劑　　“2012，最看好商業(yè)照明與道路照明……”在記者日前進(jìn)行的“2012LED照明最具發(fā)展前景市場(chǎng)”的調(diào)查采訪中，很多業(yè)界人士都給出了非常一致的答案
關(guān)鍵字：飛利浦 LED