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臺積電2nm工藝進(jìn)入研發(fā)階段:升級GAA晶體管、改進(jìn)EUV效率

  • 做為全球最大最先進(jìn)的晶圓代工廠,臺積電在7nm、5nm節(jié)點(diǎn)上領(lǐng)先三星等對手,明年面還會量產(chǎn)3nm工藝,接下來則是2nm工藝。臺積電計(jì)劃未來三年投資1000億美元,其中先進(jìn)工藝花費(fèi)的資金最多,2nm工藝也是前所未有的新工藝,臺積電去年稱2nm工藝取得了重大進(jìn)展,進(jìn)度比預(yù)期的要好。實(shí)際上臺積電的2nm工藝沒有宣傳的那么夸張,此前只是技術(shù)探索階段,尋找到了可行的技術(shù)路徑?,F(xiàn)在2nm工藝才算是進(jìn)入了研發(fā)階段,重點(diǎn)轉(zhuǎn)向了測試載具設(shè)計(jì)、光罩制作及硅試產(chǎn)等方向。根據(jù)臺積電的說法,2nm工藝節(jié)點(diǎn)上,他們也會放棄FinFE
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臺積電和蘋果合作致力2nm工藝開發(fā),傳聞3nm芯片訂單勢頭強(qiáng)勁

  • 近期臺積電(TSMC)和蘋果更緊密和高效的合作,使得研發(fā)上取得了多項(xiàng)突破?! ∧壳笆謾C(jī)開始大量使用基于5nm工藝制造的芯片,即將推出的A15 Bionic預(yù)計(jì)將使用更先進(jìn)的N5P節(jié)點(diǎn)工藝制造,預(yù)計(jì)蘋果將在2021年占據(jù)臺積電80%的5nm產(chǎn)能。不過臺積電很快將向3nm工藝推進(jìn),并且進(jìn)一步到2nm工藝,這都只是時(shí)間問題。    據(jù)Wccftech報(bào)道,為了更好地達(dá)成這些目標(biāo),臺積電和蘋果已聯(lián)手推動芯片的開發(fā)工作,將硅片發(fā)展推向極限。臺積電和蘋果都為了同一個(gè)目標(biāo)而努力,不過受益者可能不只是蘋果,還有英特爾。臺
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加快早期設(shè)計(jì)探索和驗(yàn)證,縮短上市時(shí)間

  • 芯片級驗(yàn)證的挑戰(zhàn)鑒于先進(jìn)工藝設(shè)計(jì)的規(guī)模和復(fù)雜性,而且各方為 搶先將產(chǎn)品推向市場而不斷競爭,片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)沒有時(shí)間等到所有芯片模塊都全 部完成后才開始組裝芯片。因此,SoC 設(shè)計(jì)人員 通常會在模塊開發(fā)的同時(shí)開始芯片集成工作,以 便在設(shè)計(jì)周期的早期捕獲并糾正任何布線違規(guī), 從而幫助縮短至關(guān)重要的上市時(shí)間。錯(cuò)誤在早期 階段更容易修復(fù),而且對版圖沒有重大影響,設(shè) 計(jì)人員在此階段消除錯(cuò)誤,可以減少實(shí)現(xiàn)流片所 需的設(shè)計(jì)規(guī)則檢查 (DRC) 迭代次數(shù)(圖 1)。但是,早期階段芯片級物理驗(yàn)證面臨許多挑 戰(zhàn)
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利用更高效的 LVS 調(diào)試提高生產(chǎn)率

  • 簡介版圖與電路圖比較 (LVS) 驗(yàn)證是片上系統(tǒng) (SOC) 設(shè)計(jì)周期中集成電路 (IC) 驗(yàn)證必不可少的組 成部分,但鑒于當(dāng)今高密度且層次化的版圖、不斷提高的電路復(fù)雜性以及錯(cuò)綜復(fù)雜的晶圓 代工廠規(guī)則,運(yùn)行 LVS 可能是一項(xiàng)耗時(shí)且資源密集的工作。全芯片 LVS 運(yùn)行不僅會將設(shè)計(jì)版 圖與電路圖網(wǎng)表進(jìn)行比較,而且通常還包含會增加 LVS 運(yùn)行時(shí)間的其他驗(yàn)證,例如電氣規(guī)則 檢查 (ERC) 和短路隔離。根據(jù)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性,調(diào)試這些設(shè)計(jì)的 LVS 結(jié)果可能同樣具挑戰(zhàn)性且耗時(shí),進(jìn)而影響總周轉(zhuǎn)時(shí) 間 (TAT) 和計(jì)
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出貨量破億!聯(lián)發(fā)科第一次登頂智能手機(jī)SoC

  • 市調(diào)機(jī)構(gòu)CounterPoint今天公布了2020年第三季度全球智能手機(jī)SoC芯片市場統(tǒng)計(jì)報(bào)告,聯(lián)發(fā)科意外超越高通而登頂,這也是“發(fā)哥”第一次拿到第一。2019年第三季度的時(shí)候,聯(lián)發(fā)科的份額為26%,落后高通5個(gè)百分點(diǎn),但是現(xiàn)在,聯(lián)發(fā)科來到了對手水平,拿下31%的市場,高通則滑落至29%。CounterPoint分析認(rèn)為,在中國、印度千元機(jī)市場上的強(qiáng)勁表現(xiàn),是聯(lián)發(fā)科最大的資本,當(dāng)季搭載聯(lián)發(fā)科芯片的智能手機(jī)出貨量也突破了1億部。不過,高通在5G領(lǐng)域仍然無敵,39% 5G手機(jī)都基于高通平臺。第三季度,17%的
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谷歌自研5nm SoC被曝已流片:效仿蘋果 打造全生態(tài)體驗(yàn)

  • 此前蘋果發(fā)布了基于ARM機(jī)構(gòu)的自研芯片M1,其性能表現(xiàn)十分出色,并且對于蘋果打造全生態(tài)用戶體驗(yàn)的計(jì)劃又進(jìn)了一步。谷歌作為安卓生態(tài)的領(lǐng)導(dǎo)者,也有意效仿蘋果打通PC、平板、手機(jī)的終端壁壘,打造全生態(tài)體驗(yàn)?! 碜訟xios的最新報(bào)道稱,谷歌代號Whitechapel的SoC芯片已于近期流片成功。據(jù)了解,這顆芯片基于三星5nmLPE工藝,8核ARM架構(gòu),除了CPU、GPU等,還集成了谷歌的TPU神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速單元?!   ≈档靡惶岬氖牵活w芯片從流片到商用大概需要1年左右時(shí)間,因此還需要消費(fèi)者耐心等待?! 〈送?,
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臺積電2nm工藝重大突破!2023年投入試產(chǎn)

  • 這幾年,天字一號代工廠臺積電在新工藝進(jìn)展上簡直是開掛一般的存在,7nm工藝全面普及,5nm工藝一路領(lǐng)先,3nm工藝近在眼前,2nm工藝也進(jìn)展神速。根據(jù)最新報(bào)道,臺積電已經(jīng)在2nm工藝上取得一項(xiàng)重大的內(nèi)部突破,雖未披露細(xì)節(jié),但是據(jù)此樂觀預(yù)計(jì),2nm工藝有望在2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn),2024年就能步入量產(chǎn)階段。臺積電還表示,2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距,同時(shí)延續(xù)摩爾定律,繼續(xù)挺進(jìn)1nm工藝的研發(fā)。臺積電預(yù)計(jì),蘋果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先采納其2nm工藝。2nm工藝上,臺積
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臺積電:2nm芯片研發(fā)重大突破,1nm也沒問題

  • 一、臺積電:第一家官宣2nm工藝,研發(fā)進(jìn)度超前據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道,臺積電2nm工藝取得重大突破,研發(fā)進(jìn)度超前,業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%。據(jù)臺媒透露,有別于3nm與5nm采用鰭式場效晶體管(FinFET)架構(gòu),臺積電2nm改采全新的多橋通道場效晶體管(MBCFET)架構(gòu),研發(fā)進(jìn)度超前。據(jù)悉,臺積電去年成立了2nm專案研發(fā)團(tuán)隊(duì),尋找可行路徑進(jìn)行開發(fā)。考量成本、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項(xiàng)條件,2nm采以環(huán)繞閘極(GAA)制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu),解決FinFET因制程微
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臺積電2024年將量產(chǎn)突破性的2nm工藝晶體管

  • 9 月 25 日消息 據(jù) wccftech 報(bào)道,臺灣半導(dǎo)體制造公司(TSMC)在 2nm 半導(dǎo)體制造節(jié)點(diǎn)的研發(fā)方面取得了重要突破:臺積電有望在 2023 年中期進(jìn)入 2nm 工藝的試生產(chǎn)階段,并于一年后開始批量生產(chǎn)。目前,臺積電的最新制造工藝是其第一代 5 納米工藝,該工藝將用于為 iPhone 12 等設(shè)備構(gòu)建處理器。臺積電的 2nm 工藝將采用差分晶體管設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)被稱為多橋溝道場效應(yīng)(MBCFET)晶體管,它是對先前 FinFET 設(shè)計(jì)的補(bǔ)充。臺積電第一次作出將 MBCFET 設(shè)計(jì)用于其晶體管而不
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臺積電2nm工藝2023年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率或達(dá)90%

  • 據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道,臺積電2nm工藝取得重大突破,研發(fā)進(jìn)度超前,業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%。供應(yīng)鏈透露,有別于3nm和5nm采用鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET),臺積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場效電晶體(MBCFET)架構(gòu)。據(jù)悉,臺積電去年成立了2nm專案研發(fā)團(tuán)隊(duì),尋找可行路徑進(jìn)行開發(fā)??剂砍杀?、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項(xiàng)條件,2nm采以環(huán)繞閘極(GAA)制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu),解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題。極紫外光(EUV)微顯
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首款5nm 5G Soc!麒麟9000來襲:Mate 40 Pro首發(fā)

  •   蘋果iPad Air 4首發(fā)A14仿生芯片,成為業(yè)界一款搭載5nm處理器的平板設(shè)備。不出意外,iPhone 12系列也將使用蘋果A14仿生芯片,預(yù)計(jì)在10月份亮相。  與iPhone 12同期亮相的預(yù)計(jì)還有華為Mate 40系列,它將首發(fā)麒麟9000芯片?! ?月17日消息,據(jù)外媒報(bào)道,華為Mate 40 Pro首發(fā)商用的麒麟9000芯片將是業(yè)界第一款5nm 5G Soc,與蘋果A14仿生芯片不同,麒麟9000直
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國產(chǎn)視覺應(yīng)用新平臺 瓴盛科技AIoT SoC芯片破繭而出

  • 作為視頻監(jiān)控的應(yīng)用和生產(chǎn)大國,中國的視頻監(jiān)控應(yīng)用誕生了多家重要的國際領(lǐng)先企業(yè),比如???、大華等,不過受制于美國的科技管控,兩家企業(yè)均曾被列入美國實(shí)體名單,這就讓國內(nèi)諸多AI和視覺應(yīng)用的系統(tǒng)方案級企業(yè)不得不考慮更多的硬件選擇,從而更好的將中國的視覺智能應(yīng)用產(chǎn)業(yè)做大做強(qiáng)。在這樣的前提下,瓴盛科技的JA310的發(fā)布就有了更多不尋常的戰(zhàn)略意義。 8月28日,“2020 AIoT高峰論壇暨瓴盛‘芯視覺’產(chǎn)品發(fā)布會”在成都市雙流區(qū)隆重召開,省市區(qū)相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)、瓴盛科技股東方、行業(yè)客戶、生態(tài)合作伙伴和媒體記者等超過300位
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臺積電正與一家主要客戶緊密合作 加快研發(fā)2nm工藝

  • 據(jù)國外媒體報(bào)道,為蘋果、AMD等眾多公司代工芯片的臺積電,近幾年在芯片制程工藝方面走在行業(yè)前列,他們的5nm工藝已在今年一季度大規(guī)模量產(chǎn),為蘋果等客戶代工最新的處理器。在5nm工藝投產(chǎn)之后,臺積電下一步工藝研發(fā)的重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的3nm、2nm工藝,其中3nm工藝在最近兩個(gè)季度的財(cái)報(bào)分析師電話會議上均有提及,臺積電CEO魏哲家透露正在按計(jì)劃推進(jìn),計(jì)劃2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2022下半年大規(guī)模投產(chǎn)。此前鮮有提及的2nm工藝,也有了消息。外媒的報(bào)道顯示,在昨日的臺積電2020年度全球技術(shù)論壇上,他們透露正在同一
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臺積電2nm工廠計(jì)劃建在新竹 已獲得建廠所需土地

  • 8月25日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,5nm工藝在一季度大規(guī)模投產(chǎn)之后,臺積電下一步的工藝研發(fā)重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的3nm工藝和2nm工藝,為盡快量產(chǎn),相關(guān)的工廠也需要提前謀劃,同步跟進(jìn)。雖然3nm工藝還未投產(chǎn),2nm工藝也還在研發(fā)階段,但臺積電已經(jīng)在謀劃2nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠。臺積電已開始謀劃2nm工藝工廠的消息,源自臺積電負(fù)責(zé)營運(yùn)組織的資深副總經(jīng)理秦永沛。外媒在報(bào)道中表示,秦永沛透露臺積電計(jì)劃在新竹建設(shè)2nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠,建設(shè)工廠所需的土地目前已經(jīng)獲得。新竹是臺積電總部所在地,先進(jìn)工藝的工廠建在新竹也在
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Mentor 推出 Calibre nmLVS-Recon 技術(shù),顯著簡化 IC 電路驗(yàn)證過程

  • 為了幫助集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)人員更快地實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)收斂,Mentor, a Siemens business 近日將Calibre? Recon 技術(shù)擴(kuò)展至 Calibre nmLVS 電路驗(yàn)證平臺。Calibre Recon 技術(shù)于2019年推出,作為 Mentor Calibre nmDRC 套件的擴(kuò)展,旨在幫助客戶在早期驗(yàn)證設(shè)計(jì)迭代期間快速、自動和準(zhǔn)確地分析 IC 設(shè)計(jì)中的錯(cuò)誤,從而極大地縮短設(shè)計(jì)周期和產(chǎn)品上市時(shí)間。●? ?Calibre nmLVS-Recon?技術(shù)可
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2nm soc介紹

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