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臺(tái)積電加速研發(fā)2nm工藝:成本可輕松超10億美元

  • 這幾年,天字一號(hào)代工廠臺(tái)積電一路高歌猛進(jìn):7nm工藝上獨(dú)步天下,5nm工藝也正在量產(chǎn),3nm工藝就在不遠(yuǎn)處,2nm工藝也正在藍(lán)圖上鋪開(kāi)……在最新的2019年年報(bào)中,臺(tái)積電確認(rèn)5nm已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段,3nm正在持續(xù)研發(fā),同時(shí)今年還會(huì)加快2nm(N2)的研發(fā)速度。臺(tái)積電透露,2019年已經(jīng)在業(yè)內(nèi)率先啟動(dòng)2nm工藝研發(fā),并在關(guān)鍵的光刻技術(shù)上進(jìn)行2nm以下技術(shù)開(kāi)發(fā)的前期準(zhǔn)備工作。臺(tái)積電從7nm工藝開(kāi)始導(dǎo)入EUV極紫外光刻技術(shù),5nm上也順利轉(zhuǎn)移,而且在3nm上展現(xiàn)了優(yōu)異的光學(xué)能力和符合預(yù)期的良品率,所以在2nm和
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中國(guó)CPU芯片將實(shí)現(xiàn)彎道超車(chē) 中科院表示國(guó)產(chǎn)2nm芯片有望破冰

  • 近日,中科院對(duì)外宣布,中國(guó)科學(xué)家研發(fā)出了新型垂直納米環(huán)柵晶體管,這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著此項(xiàng)技術(shù)成熟后,國(guó)產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”,意義重大。目前最為先進(jìn)的芯片制造技術(shù)為7nm+Euv工藝制程,比較出名的就是華為的麒麟990 5G芯片,內(nèi)置了超過(guò)100億個(gè)晶體管。麒麟990首次將將5G Modem集成到SoC上,也是全球首款集成5G Soc,技術(shù)上的確實(shí)現(xiàn)了巨大突破,也是國(guó)產(chǎn)芯片里程碑式的意義。而繼華為之后,中科院研發(fā)出了2nm及以下工藝所需要的新型晶體管——疊層垂
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臺(tái)積電、三星爭(zhēng)霸2nm工藝:能做出來(lái),就怕沒(méi)人用得起

  • 根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃,他們今年上半年就會(huì)量產(chǎn)5nm EUV工藝,下半年產(chǎn)能會(huì)提升到7-8萬(wàn)片晶圓/月,今年的產(chǎn)能主要是供給蘋(píng)果和華為。臺(tái)積電的3nm工藝工藝今年也會(huì)啟動(dòng)建設(shè),三星更是搶先宣布了3nm GAA工藝。根據(jù)三星的說(shuō)法,與5nm制造工藝相比,3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了約30%。為了確保在5nm之后保持優(yōu)勢(shì),三星、臺(tái)積電都會(huì)投入巨額資金,去年,三星宣布了一項(xiàng)高達(dá)133萬(wàn)億韓元(約合1118.5億美元)的投資計(jì)劃,目標(biāo)是到2030年成為全球最大的“系統(tǒng)級(jí)
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臺(tái)積電3nm工藝進(jìn)展順利 2nm工藝2024年量產(chǎn)

  • 最新消息稱臺(tái)積電的5nm工藝良率已經(jīng)達(dá)到了50%,比當(dāng)初7nm工藝試產(chǎn)之前還要好,最快明年第一季度就能投入大規(guī)模量產(chǎn),初期月產(chǎn)能5萬(wàn)片,隨后將逐步增加到7-8萬(wàn)片。
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臺(tái)積電宣布將建全球首家2nm工廠 最快2024年投產(chǎn)

  • 據(jù)外媒消息,臺(tái)積電正式宣布啟動(dòng)2nm工藝的研發(fā),這使其成為第一家宣布開(kāi)始研發(fā)2nm工藝的公司。
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臺(tái)積電官宣:正式啟動(dòng)2nm工藝研發(fā) 全球首家

  • 近日,全球知名半導(dǎo)體公司臺(tái)積電官宣:正式啟動(dòng)2nm工藝的研發(fā),工廠設(shè)置在位于臺(tái)灣新竹的南方科技園,預(yù)計(jì)2024年投入生產(chǎn)。臺(tái)積電廠務(wù)處處長(zhǎng)莊子壽表示,臺(tái)積電在臺(tái)灣的第一家3nm工廠將于2021年投產(chǎn),并將于2022年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。
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全球第一家!臺(tái)積電官宣2nm工藝:2024年投產(chǎn)

  • 這幾年,雖然摩爾定律基本失效或者說(shuō)越來(lái)越遲緩,但是在半導(dǎo)體工藝上,幾大巨頭卻是殺得興起。Intel終于進(jìn)入10nm工藝時(shí)代并將在后年轉(zhuǎn)入7nm,臺(tái)積電、三星則紛紛完成了7nm工藝的布局并奔向5nm、3nm。
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張忠謀:3nm制程會(huì)出來(lái) 2nm后很難

  •   臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀表示,摩爾定律可能還可再延續(xù)10年,3nm制程應(yīng)該會(huì)出來(lái),2nm則有不確定性,2nm之后就很難了。   張忠謀表示,1998年英特爾總裁貝瑞特來(lái)臺(tái)時(shí),兩人曾針對(duì)摩爾定律還可延續(xù)多久進(jìn)行討論,他當(dāng)時(shí)回答還有15年,貝瑞特較謹(jǐn)慎回答,大概還有10年。   現(xiàn)在已經(jīng)2017年,張忠謀表示,兩人當(dāng)時(shí)的答案都錯(cuò)了;他指出,目前大膽預(yù)測(cè)摩爾定律可能再有10年。   張忠謀表示,臺(tái)積電明年將生產(chǎn)7nm制程,5nm已研發(fā)差不多,一定會(huì)出來(lái),3nm也已經(jīng)做2至3年,看來(lái)也是會(huì)出來(lái)。   張忠謀
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臺(tái)積電已在進(jìn)行2nm/3nm的研發(fā)

  •   為在國(guó)際市場(chǎng)持續(xù)在制程上保持領(lǐng)先,同時(shí)因應(yīng)客戶需求,近期臺(tái)積電的臺(tái)灣南科廠通過(guò)環(huán)境影響差異審查后,將加速臺(tái)積電未來(lái)擴(kuò)廠計(jì)劃,包括中科廠第6期預(yù)計(jì)明年完工并投入7納米制程,南科廠明年也將開(kāi)始著手準(zhǔn)備投入更先進(jìn)的5納米制程。   市場(chǎng)預(yù)期臺(tái)積電積極投入最先進(jìn)的制程將再進(jìn)一步領(lǐng)先英特爾和三星等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。   南科通過(guò)環(huán)差審查   針對(duì)臺(tái)積電建廠最新進(jìn)度方面,臺(tái)積電企業(yè)訊息處處長(zhǎng)孫又文指出,中科廠第5期目前進(jìn)度已逾96%,該廠品10納米制程也已進(jìn)入量產(chǎn),明年第1季將會(huì)小量產(chǎn)出,而第6期日前已完成上梁,預(yù)
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2nm介紹

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