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2nm芯片到底有多燒錢你想象不到 光開發(fā)就要50億

  • 都說芯片燒錢，但芯片到底有多燒錢大家還沒有一個清晰的認知，尤其是芯片工藝越來越先進，其燒錢的規(guī)?？芍^呈幾何級增長。從研發(fā)成本端來看，其中28nm工藝只要4280萬美元，22nm工藝需要6300萬美元，16nm工藝需要8960萬美元。然而3nm則飆升到5.8億美元，而2nm工藝開發(fā)資金則要達7.2億美元，約合人民幣50億。當(dāng)然，這還只是研發(fā)層面的費用，而3nm、2nm工藝工廠建設(shè)則需要200億美元以上的資金，而這還不包括生產(chǎn)費用，可見這簡直是十分燒錢的行為。顯然，照這樣發(fā)展下去，未來2nm的CPU及顯卡就算
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日本富士通擬自行設(shè)計 2nm 芯片，委托臺積電代工

  • IT之家 11 月 9 日消息，日本科技大廠富士通（Fujitsu）的高層表示，該公司計劃自行設(shè)計 2 納米制程的先進半導(dǎo)體，并打算委托臺積電代工生產(chǎn)。據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》報道，富士通首席技術(shù)官 Vivek Mahajan 周二在一場記者會上表示，該公司計劃自行設(shè)計 2 納米制程的先進半導(dǎo)體，打算委托晶圓代工龍頭臺積電代為生產(chǎn)。報道指出，富士通目標(biāo)最快在 2026 年完成搭載該芯片的節(jié)能中央處理器 (CPU)。IT之家了解到，臺積電目前計劃在 2025 年量產(chǎn) 2 納米的芯片，該公司的先進制程技術(shù)
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消息稱AMD CEO蘇姿豐將親自造訪臺積電：商談2nm和3nm芯片產(chǎn)能

  • 據(jù)國外媒體報道，AMD首席執(zhí)行官（CEO）蘇姿豐和公司其他C級高管希望在9月底或11月初前往臺灣地區(qū)，探索與當(dāng)?shù)睾献骰锇榈暮献?。蘇姿豐前往臺灣地區(qū)的主要原因似乎是與臺積電會面，與臺積電CEO魏哲家討論N3 Plus（N3P）和2nm級（N2）制造技術(shù)的使用以及未來的短期和長期訂單，使AMD獲得足夠的基于3nm和2nm級等未來節(jié)點的晶圓分配。AMD近年來取得的顯著成功很大程度上歸功于臺積電利用其極具競爭力的工藝技術(shù)大批量生產(chǎn)芯片的能力。AMD的CPU和GPU產(chǎn)品線才剛開始向5nm制程節(jié)點切換，并且臺積電的2
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臺積電2nm預(yù)計2025年量產(chǎn)

  • 據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道，晶圓代工廠臺積電2nm制程將于2025年量產(chǎn)，市場看好進度可望領(lǐng)先對手三星及英特爾。臺積電先進制程進展順利，搭配FINFLEX架構(gòu)的3nm將在今年下半年量產(chǎn)，升級版3nm（N3E）制程將于3nm量產(chǎn)一年后量產(chǎn)，即2023年量產(chǎn)。先進封裝部分，首座全自動化3DFabric晶圓廠預(yù)計于2022年下半年開始生產(chǎn)。雖然在3nm世代略有保守，但無論如何，F(xiàn)inFET寬度都已經(jīng)接近實際極限，再向下就會遇到瓶頸。所以外資法人預(yù)估臺積電2nm先進制程將采用環(huán)繞式閘極場效電晶體GAAFET高端架構(gòu)生
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3nm彎道超車臺積電之后 三星2nm工藝蓄勢待發(fā)：3年后量產(chǎn)

  • 在6月最后一天，三星宣布3nm工藝正式量產(chǎn)，這一次三星終于領(lǐng)先臺積電率先量產(chǎn)新一代工藝，而且是彎道超車，后者的3nm今年下半年才會量產(chǎn)。根據(jù)三星官方介紹，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構(gòu)，采用了新的GAA晶體管架構(gòu)，大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。與5nm相比，新開發(fā)的3nm GAE工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時提升23%的性能。第二代的3nm GAP工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時面積減少35%，效果更好。再往后呢？三星也有了計劃，3nm GAP工藝之后就會迎
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臺積電2nm工藝提升不大：密度僅提升10%

  • 日前，臺積電全面公開了旗下的3nm及2nm工藝技術(shù)指標(biāo)，相比3nm工藝，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。性能及功耗看著還不錯，但臺積電的2nm工藝在晶體管密度上擠牙膏，只提升了10%，按照摩爾定律來看的話，新一代工藝的密度提升是100%才行，實際中也能達到70-80%以上才能算新一代工藝。臺積電沒有解釋為何2nm的密度提升如此低，很有可能跟使用的納米片電晶體管（Nanosheet）技術(shù)有關(guān)，畢竟這是新一代晶體管結(jié)構(gòu)，考驗很多。     
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臺積電2nm制程工藝取得新進展 2nm競爭賽道進入預(yù)熱模式

  • 據(jù)國外媒體報道，推進3nm制程工藝今年下半年量產(chǎn)的臺積電，在更先進的2nm制程工藝的研發(fā)方面已取得重大進展，預(yù)計在明年年中就將開始風(fēng)險試產(chǎn) ——?也就意味著臺積電2nm制程工藝距量產(chǎn)又更近了一步。業(yè)界估計，臺積電2nm試產(chǎn)時間點最快在2024年，并于2025年量產(chǎn)，之后再進入1nm以及后續(xù)更新世代的“埃米”制程。臺積電去年底正式提出中科擴建廠計劃，設(shè)廠面積近95公頃，總投資金額達8000億至10000億元新臺幣，初期可創(chuàng)造4500個工作機會。以投資規(guī)模及近百公頃設(shè)廠土地面積研判，除了規(guī)劃2nm廠
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臺積電將砸 1 萬億擴大 2nm 產(chǎn)能，目標(biāo) 2025 年量產(chǎn)

  • 　　6月6日消息，據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，臺積電將砸1萬億新臺幣（約2290億元人民幣）在臺中擴大2nm產(chǎn)能布局，有望在中清乙工建設(shè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈園區(qū)。　　臺積電總裁魏哲家在4月14日召開的法說會上表示，臺積電2nm預(yù)期會是最成熟與最適合技術(shù)來支持客戶成長，臺積電目標(biāo)是在2025年量產(chǎn)。　　臺積電將在2nm的節(jié)點推出Nanosheet/Nanowire的晶體管架構(gòu)，另外還將采用新的材料，包括High mobility channel，2D，CNT等，其中2D材料方面，臺積電已挖掘石墨烯之外的其他材料，可以逐漸用
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臺積電：投資6000多億建3nm、2nm晶圓廠

  • 由于半導(dǎo)體芯片產(chǎn)能緊缺，臺積電此前宣布三年內(nèi)投資1000億美元，約合6300多億人民幣，主要用于建設(shè)新一代的3nm、2nm芯片廠，蓋長的需求太高，現(xiàn)在連建筑用的磚塊都要搶購了。據(jù)《財訊》報道，這兩年芯片產(chǎn)能緊缺，但是比芯片產(chǎn)能更缺的還有一種建材——白磚，連臺積電都得排隊搶購。這種磚塊是一種特殊的建材，具備隔音、輕量、隔熱、防火、環(huán)保、便利等優(yōu)點，重量只有傳統(tǒng)紅磚的一半左右，是很多工廠及房產(chǎn)建設(shè)中都需要的材料。對臺積電來說，一方面它們自己建設(shè)晶圓廠需要大量白磚，另一方面它們在當(dāng)?shù)啬硞€城市建設(shè)晶圓廠，往往還會
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英特爾與臺積電合作開發(fā)2nm工藝 2025年量產(chǎn)

  • 此前有消息稱英特爾已經(jīng)拿了臺積電3nm一半產(chǎn)能，近日，則有消息稱英特爾現(xiàn)在又要跟臺積電合作開發(fā)2nm工藝。英特爾不僅可能會將3nm制程工藝交給臺積電代工，同時也開始跟臺積電討論合作開發(fā)2nm工藝。不過這一說法還沒有得到英特爾或者臺積電的證實，考慮到這是高度機密的信息，一時間也不會有官方確認的可能。據(jù)悉，臺積電3nm的量產(chǎn)時間預(yù)計2022年四季度啟動，且首批產(chǎn)能被蘋果和英特爾均分。至于未來的2nm工藝，臺積電將在2nm節(jié)點推出Nanosheet/Nanowire的晶體管架構(gòu)并采用新的材料，預(yù)計會在2025年
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三星高調(diào)宣布2025年投入2nm量產(chǎn)

  • 韓國三星在舉行晶圓代工論壇期間高調(diào)宣布，2025年投入2奈米量產(chǎn)，再度確認將導(dǎo)入新一代環(huán)繞閘極技術(shù)(GAA)電晶體架構(gòu)，搶在臺積電前宣布2025年投入2奈米制程的芯片量產(chǎn)，劍指臺積電的意圖明顯，晶圓代工全球版圖恐將迎來新變局。此次論壇以Adding One More Dimension為主題，會中提到三星過去曾在2020上半年宣布該公司要在GAA的基礎(chǔ)上導(dǎo)入3奈米制程，而此次更提到要基于GAA基礎(chǔ)，在2023年時要導(dǎo)入第二代的3奈米制程，并于2025年導(dǎo)入2奈米制程。而這回也是三星首度表明2奈米的制程規(guī)劃
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三星2nm工藝曝光：2025年可量產(chǎn)

  • 在目前的芯片領(lǐng)域，三星和臺積電憑借著先進的工藝，相互不分上下，而近期在三星的公開場合中，曝光了三星最新的工藝技術(shù)。官方宣稱，三星的3nm工藝上分為兩個版本，分別在2022和2023年量產(chǎn)，而對比于5nm，三星的3nm工藝能夠讓芯片面積縮小35%，相同單位功耗的情況下性能可提升30%，而功耗也將降低50%左右。而2nm的工藝還沒有出現(xiàn)在會中，但有消息稱2nm將會在2025年量產(chǎn)。
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2nm工藝要上線？臺積電工廠環(huán)評被卡

  • 芯研所消息，臺積電的2nm芯片工藝計劃上線，但是由于環(huán)評專案小組的初審，建廠計劃未能放行，還需要等8月31日之前補正后再審核。在全球先進工藝量產(chǎn)上，臺積電一枝獨秀，5nm、3nm工藝已經(jīng)領(lǐng)先，再下一代工藝就是2nm了，會啟用全新GAA晶體管，技術(shù)升級很大，光是工廠建設(shè)就要200億美元。臺積電不過臺積電的2nm工廠建設(shè)計劃現(xiàn)在遇到了阻力。消息稱，新竹科學(xué)園區(qū)擬展開寶山用地第二期擴建計劃，環(huán)保部門于25日下午召開環(huán)評專案小組第三次初審會議，水、電以及廢棄物清理等議題受到關(guān)注，專案小組歷經(jīng)逾三小時審議后，最終仍
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歐盟半導(dǎo)體“不再幼稚”：10年內(nèi)產(chǎn)能翻倍、搞定2nm工藝

  • 半導(dǎo)體技術(shù)的重要性已經(jīng)無需多提，現(xiàn)在美國、中國、日本、韓國等國家和地區(qū)都在大力投資先進半導(dǎo)體工藝，不希望自己被卡脖子，歐盟現(xiàn)在也清醒了，希望搞定2nm工藝。據(jù)報道，歐盟市場專員蒂埃里·布雷頓（Thierry Breton）日前在采訪中表示，歐盟需要恢復(fù)以前的市場份額，以滿足行業(yè)的需求。他還提到，多年來歐盟在半導(dǎo)體制造業(yè)中的份額下降了，因為該地區(qū)過于幼稚、過于相信全球化。歐盟委員會制定的計劃中，希望2030年將芯片產(chǎn)量翻倍，市場份額提升到20%，為此歐盟正在爭取歐洲地區(qū)先進芯片制造商的支持，目前至少有22個
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里程碑！IBM宣布造出全球首顆2nm EUV芯片

  • 藍色巨人出手就是王炸?！　?月6日消息，IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片?！　『诵闹笜?biāo)方面，IBM稱該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百萬顆晶體管）為333.33，幾乎是臺積電5nm的兩倍，也比外界預(yù)估臺積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要高?！　?nm晶圓近照　　換言之，在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內(nèi)，就能容納500億顆晶體管?！　⊥瑫r，IBM表示，在同樣的電力消耗下，其性能比當(dāng)前7nm高出45%，輸出同樣性能則減少75%的功耗?！　　　嶋H上，I
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