2nm 文章 進(jìn)入2nm技術(shù)社區(qū)
日本佳能：我們能造2nm芯片！不需要ASML光刻機(jī)
- 日本光刻機(jī)大廠佳能（Canon）在今年10月13日宣布推出可以制造尖端芯片的納米壓?。∟anoprinted lithography，NIL）設(shè)備FPA-1200NZ2C之后，佳能首席執(zhí)行官御手洗富士夫近日在接受采訪時(shí)再度表示，該公司新的納米壓印技術(shù)將為小型半導(dǎo)體制造商生產(chǎn)先進(jìn)芯片開辟一條道路，使得生產(chǎn)先進(jìn)芯片的技術(shù)不再只有少數(shù)大型半導(dǎo)體制造商所獨(dú)享。納米壓印技術(shù)并不利用光學(xué)圖像投影的原理將集成電路的微觀結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到硅晶圓上，而是更類似于印刷技術(shù)，直接通過壓印形成圖案。在晶圓上只壓印1次，就可以在特定的位置
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臺積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù)，2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn)
- IT之家 12 月 14 日消息，臺積電在近日舉辦的 IEEE 國際電子器件會議（IEDM）的小組研討會上透露，其 1.4nm 級工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開。同時(shí)，臺積電重申，2nm 級制程將按計(jì)劃于 2025 年開始量產(chǎn)。圖源 Pexels根據(jù) SemiAnalysis 的 Dylan Patel 給出的幻燈片，臺積電的 1.4nm 制程節(jié)點(diǎn)正式名稱為 A14。IT之家注意到，目前臺積電尚未透露 A14 的量產(chǎn)時(shí)間和具體參數(shù)，但考慮到 N2 節(jié)點(diǎn)計(jì)劃于 2025 年底量產(chǎn)，N2P 節(jié)點(diǎn)則定于 2
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半導(dǎo)體巨頭競相制造下一代"2nm"尖端芯片
- 臺積電、三星和英特爾爭奪“2nm”芯片，此舉將塑造5000億美元產(chǎn)業(yè)的未來。世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司正在競相生產(chǎn)所謂的“2nm”處理器芯片，為下一代智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心和人工智能提供動力。臺積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company）仍然是分析師最希望保持其在該行業(yè)全球霸主地位的公司，但三星電子（Samsung Electronics）和英特爾（Intel）已將該行業(yè)的下一個飛躍視為縮小差距的機(jī)會。幾十年來，芯片制造商一直在尋求制造更緊湊的產(chǎn)品。芯片上的晶體管越小
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日本Rapidus計(jì)劃2024年底引入EUV光刻機(jī)
- 據(jù)日媒報(bào)道，日本芯片公司Rapidus表示，正在北海道建設(shè)芯片工廠，目標(biāo)是2027年量產(chǎn)2nm制程芯片。該公司宣布，決定在2024年年底引入EUV光刻機(jī)，并將派遣員工赴荷蘭阿斯麥學(xué)習(xí)EUV極紫外光刻技術(shù)。目標(biāo)是今年派遣100名員工至IBM、阿斯麥學(xué)習(xí)先進(jìn)芯片技術(shù)。
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為掌握 2nm 工藝，日本半導(dǎo)體公司 Rapidus 宣布全球范圍內(nèi)“招兵買馬”
- IT之家 11 月 29 日消息，根據(jù)路透社報(bào)道，日本財(cái)團(tuán) Rapidus 為了掌控 2nm 工藝制程，要和臺積電等行業(yè)領(lǐng)先公司競爭，計(jì)劃開啟全球“招兵買馬”計(jì)劃，吸納全球半導(dǎo)體人才，以重振日本的芯片產(chǎn)業(yè)。圖源 ImecRapidus 計(jì)劃 2027 年在日本本土開始大規(guī)模生產(chǎn) 2nm 芯片，公司積極和 IBM 和 Imec 合作的同時(shí)，緊抓人才發(fā)展戰(zhàn)略，一方面在國內(nèi)招募行業(yè)資深人士，一方面在國外尋求專業(yè)人才?，F(xiàn)年 74 歲的 Rapidus 負(fù)責(zé)人東哲郎（Tetsuro Higas
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臺積電高雄廠已完成2nm營運(yùn)團(tuán)隊(duì)建設(shè)，未來或切入1.4nm
- 據(jù)中國臺灣經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道，臺積電高雄廠正式編定為臺積22廠（Fab 22），并且完成該廠2nm營運(yùn)團(tuán)隊(duì)建設(shè)。臺積電供應(yīng)鏈認(rèn)為，臺積電或許可能將高達(dá)逾7000億新臺幣的1.4nm投資計(jì)劃轉(zhuǎn)向高雄，但仍視其他縣市爭取臺積電進(jìn)駐態(tài)度及臺積電全盤規(guī)劃而定。報(bào)道指出，臺積電打破在不同產(chǎn)區(qū)同時(shí)生產(chǎn)最先進(jìn)制程的慣例，將高雄廠原計(jì)劃切入28納米及7納米的規(guī)劃，改為直接切入2納米。同時(shí)在新竹寶山興建2納米第一期工廠之際，也立刻于高雄第一期工廠作為生產(chǎn)2納米制程。此前據(jù)TechNews消息，臺積電在北部（新竹寶山）、中部（臺中
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臺積電2nm制程預(yù)計(jì)2025年Q4量產(chǎn)
- 臺積電新竹寶山工廠預(yù)計(jì)于2024年第2季度開始安裝設(shè)備，預(yù)計(jì)2025年第4季度量產(chǎn)，初期月產(chǎn)量約3萬片晶圓。據(jù)臺媒，臺積電正持續(xù)推進(jìn)2nm制程進(jìn)展，位于新竹寶山的臺積電工廠預(yù)計(jì)于2024年第2季度開始安裝設(shè)備，預(yù)計(jì)2025年第4季度量產(chǎn)，初期月產(chǎn)量約3萬片晶圓。此外，臺積電的高雄工廠預(yù)估將會在N2工藝登場1年后，采用背面供電技術(shù)，量產(chǎn) N2P（2nm 加強(qiáng)版）工藝。
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臺積電、三星、英特爾決戰(zhàn)2nm!
- 8日，臺積電對外表示高雄廠確定加入竹科與中科2納米行列。2納米制程進(jìn)一步受到重視，晶圓代工三杰臺積電、三星、英特爾未來決戰(zhàn)戰(zhàn)場都將是2納米。臺積電2025年量產(chǎn)2納米，三星緊追在后2025年推出2納米制程。兩年前重回晶圓代工的英特爾更積極，四年內(nèi)推出五個先進(jìn)制程，2024上半年搶先推出等于2納米的Intel 20A，下半年再推等于1.8納米的Intel 18A。從量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)看，決戰(zhàn)2納米就在2024~2025年。究竟誰較有優(yōu)勢，市場人士認(rèn)為，2納米制程門檻很高，臺積電、英特爾都在2納米導(dǎo)入GAA架構(gòu)及背面
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2nm制程之爭將全面打響，三家公司進(jìn)展如何？
- 消費(fèi)電子市場持續(xù)疲軟、人工智能火熱的大環(huán)境下，晶圓制造廠商積極瞄準(zhǔn)高性能芯片，2nm先進(jìn)制程之爭愈演愈烈。2nm芯片能帶來什么？對傳統(tǒng)晶圓代工龍頭而言，2nm能帶來更高性能，滿足AI時(shí)代下業(yè)界對高性能半導(dǎo)體的需求。而對新興企業(yè)而言，2nm則可以提升半導(dǎo)體產(chǎn)品價(jià)值，并助力其積極追趕龍頭企業(yè)。目前傳統(tǒng)龍頭企業(yè)臺積電、三星電子以及新興企業(yè)Rapidus正積極布局2nm芯片，2nm制程之爭將全面打響，這三家企業(yè)進(jìn)展如何？臺積電：3nm、2nm路線規(guī)劃曝光臺積電認(rèn)為，在相同功率下，2nm（N2）速度相比N3E提高1
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晶圓代工報(bào)價(jià)持續(xù)看漲，臺積電2nm價(jià)格逼近2.5萬美元？
- 據(jù)中國臺灣媒體引述業(yè)內(nèi)人士消息稱，晶圓代工龍頭廠商臺積電2納米制程報(bào)價(jià)或逼近2.5萬美元。當(dāng)前，臺積電、三星、英特爾在先進(jìn)制程的競賽愈演愈烈，已延伸至3納米/2納米。盡管當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍處于下行周期，但臺積電3納米世代訂單早與客戶確立，而2025年量產(chǎn)的2納米也已開始洽談，這意味著臺積電在議價(jià)、供貨等方面擁有更多的話語權(quán)。據(jù)臺灣地區(qū)媒體報(bào)道指出，臺積電3納米報(bào)價(jià)維持2萬美元左右，而預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)的2納米價(jià)格或?qū)⒈平?.5萬美元。業(yè)者人士表示，臺積電代工報(bào)價(jià)飆上新高，加上通膨壓力等，壓力勢必轉(zhuǎn)嫁給下游客
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客戶對2nm期望更高！消息稱臺積電多家客戶修正制程計(jì)劃
- 據(jù)媒體引述半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者表示，2023全年，臺積電3nm產(chǎn)能仍以N3（N3B）為主，整體良率接近75%。根據(jù)報(bào)道，由于臺積電3nm在PPA表現(xiàn)下與4nm差異不大，且3nm報(bào)價(jià)漲至2萬美元，只有蘋果有8折優(yōu)惠，目前有多家客戶已修正制程規(guī)劃，調(diào)整投片與訂單，包括拉長4/5nm世代周期，放緩N3E、N3P采用進(jìn)度，等待2nmGAA制程世代再重押。報(bào)道稱，雖然臺積電產(chǎn)能布局可能被打亂，但客戶黏著度更高，對于2nm GAA世代相當(dāng)有信心，已采用4/3nm的客戶，幾乎皆有2nm投片規(guī)劃。從3nm工藝上看，臺積電曾表示
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淘汰FinFET 升級革命性GAA晶體管：臺積電重申2025量產(chǎn)2nm
- 在今天的說法會上，臺積電透露了新一代工藝的進(jìn)展，3nm工藝已經(jīng)開始量產(chǎn)，2023年放量，有多家客戶下單，再下一代的是2nm工藝，臺積電CEO重申會在2025年量產(chǎn)。與3nm工藝相比，臺積電2nm工藝會有重大技術(shù)改進(jìn)， 放棄FinFET晶體管，改用GAA晶體管， 后者是面向2nm甚至1nm節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵，可以進(jìn)一步縮小尺寸。相比3nm工藝，在相同功耗下， 2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。不過2nm工藝的晶體管密度可能會擠牙膏了，相比3nm只提升了10%，
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