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半導(dǎo)體市場(chǎng)今年迎向高規(guī)格之爭(zhēng)

  •   2015年由行動(dòng)裝置帶動(dòng)的高規(guī)格半導(dǎo)體之爭(zhēng)蓄勢(shì)待發(fā);行動(dòng)應(yīng)用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲(chǔ)存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導(dǎo)體需求增加,被視為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)新動(dòng)能。   據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟(jì)的報(bào)導(dǎo),智慧型手機(jī)的功能高度發(fā)展,讓核心零組件如應(yīng)用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導(dǎo)體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進(jìn)化到64位元,可望讓多工與資料處理
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NAND閃存下一步指向3D架構(gòu)14納米

  •   存儲(chǔ)是電子產(chǎn)品中最重要的部分之一,它與數(shù)據(jù)相伴而生,哪里有數(shù)據(jù),哪里就會(huì)需要存儲(chǔ)芯片。近年來,存儲(chǔ)芯片行業(yè)熱點(diǎn)話題不斷:3D NAND的生產(chǎn)制造進(jìn)展情況如何?LPDDR4在市場(chǎng)上的應(yīng)用進(jìn)程是怎樣的?移動(dòng)產(chǎn)品中eMCP將成為主流封裝形式嗎?存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展的路徑或許會(huì)爭(zhēng)論不休,但是整體方面卻不會(huì)改變,那就是更大的容量、更高的密度、更快的存儲(chǔ)速度、更加節(jié)能以及更低的成本。   2015年手機(jī)存儲(chǔ)市場(chǎng)   著眼用戶體驗(yàn)提升   目前業(yè)界對(duì)于2015年中國(guó)智能手機(jī)市場(chǎng)走勢(shì)的預(yù)測(cè)很多,總的觀點(diǎn)是增長(zhǎng)率放緩。當(dāng)
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2014年Q4品牌NAND供應(yīng)商營(yíng)收僅成長(zhǎng)2%

  •   根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報(bào)告, 2014年第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準(zhǔn),但在三星電子(Samsung)、東芝(Toshiba)與晟碟(SanDisk)各自面臨價(jià)格與產(chǎn)銷端的壓力影響營(yíng)收、及第三 季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下,品牌供應(yīng)商營(yíng)收僅較第三季成長(zhǎng)2%至87.5億美元。   DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,因需求端面臨淡季效應(yīng),2015年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過于求,在價(jià)格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下
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淡季影響銷售,NAND Flash 供應(yīng)商 Q1 將供過于求

  •   根據(jù) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報(bào)告顯示,第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準(zhǔn),但在三星電子、東芝與晟碟各自面臨價(jià)格與產(chǎn)銷端的壓力影響營(yíng)收、及第三季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下,品牌供應(yīng)商營(yíng)收僅較第三季成長(zhǎng) 2% 至 87.5 億美元。DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,因需求端面臨淡季效應(yīng),2015 年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過于求,在價(jià)格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下,業(yè)者將藉由加速先進(jìn)制程的轉(zhuǎn)進(jìn),改善成本架構(gòu),以減低價(jià)格跌幅的沖擊。  
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國(guó)際大廠找Mobile RAM貨源 敲開與臺(tái)廠合作大門

  •   存儲(chǔ)器廠持續(xù)在eMCP(eMMC結(jié)合MCP封裝)領(lǐng)域擴(kuò)大進(jìn)擊,繼東芝(Toshiba)與南亞科洽談策略聯(lián)盟,新帝(SanDisk)亦傳出首度來臺(tái)尋找移動(dòng)式存儲(chǔ)器Mobile RAM合作伙伴,考慮與南亞科簽定長(zhǎng)約或包下產(chǎn)能,顯示國(guó)際存儲(chǔ)器大廠亟欲尋找Mobile RAM貨源,并敲開與臺(tái)廠合作大門。   半導(dǎo)體業(yè)者透露,在三星電子和SK海力士主導(dǎo)下,智能型手機(jī)內(nèi)建存儲(chǔ)器規(guī)格從eMMC轉(zhuǎn)為eMCP,原本NAND Flash芯片外加關(guān)鍵零組件Mobile RAM芯片,2015年東芝??新帝陣營(yíng)將展開大反撲。
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NAND Flash價(jià)格續(xù)滑 難擺脫供給過剩困境

  •   由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供應(yīng)量持續(xù)增加,造成價(jià)格連續(xù)兩個(gè)月下滑,業(yè)界預(yù)期若三星電子(Samsung Electronics)等業(yè)者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生產(chǎn)比重,后續(xù)MLC產(chǎn)品價(jià)格下滑情況恐將更明顯。   根據(jù)韓媒DigitalTimes報(bào)導(dǎo),由于USB、硬碟與記憶卡市場(chǎng)進(jìn)入淡季,加上庫存堆積,導(dǎo)致NAND Flash價(jià)格走滑,市場(chǎng)供給過剩情況恐持續(xù)到農(nóng)歷春節(jié)。業(yè)界認(rèn)為目前NAND Flash下滑走勢(shì)雖大部分是受
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無線應(yīng)用成2015半導(dǎo)體市場(chǎng)最大增長(zhǎng)動(dòng)力

  •   2015年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入預(yù)計(jì)將達(dá)3580億美元,較2014年增長(zhǎng)5.4%,但仍然低于之前5.8%的增長(zhǎng)預(yù)期。   半導(dǎo)體市場(chǎng)的增長(zhǎng)動(dòng)力包括智能手機(jī)專用標(biāo)準(zhǔn)電路ASSP,以及超移動(dòng)PC和固態(tài)硬盤中使用的DRAM和NAND閃存芯片。   “由于DRAM恢復(fù)傳統(tǒng)的降價(jià)方式,而整個(gè)行業(yè)需要消耗假期的過多庫存,因此2015年的半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)可能較2014年的7.9%有所放緩。”業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,“由于供應(yīng)短缺,DRAM價(jià)格在2014年基本保持堅(jiān)挺,使之成為2014年增速最
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群聯(lián)砸3.8億 入股宇瞻

  •   儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片大廠群聯(lián)(8299)昨(19)日宣布,參與記憶體模組廠宇瞻私募,將以每股25.38元、總金額3億8,070萬元,取得宇瞻9.9%股權(quán),成為宇瞻最大法人股東,雙方將攜手沖刺工控應(yīng)用固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)。   群聯(lián)昨股價(jià)上漲2.5元,收在214.5元;宇瞻下跌0.25元,以31.4元作收。   群聯(lián)斥資約3.8億元,取得宇瞻9.9%股權(quán),成為最大法人股東。圖為群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成。 本報(bào)系資料庫   分享   上述私募價(jià)格是采依過去30個(gè)交易日均價(jià)31
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半導(dǎo)體事業(yè)關(guān)鍵時(shí)刻 救了三星的面子與里子

  •   三星電子(Samsung Electronics)日前發(fā)布2014年第4季暫定財(cái)報(bào),營(yíng)收止跌回升為52兆韓元(約478.8億美元),其中半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部貢獻(xiàn)達(dá)一半以上,可說是最大功臣。   據(jù)韓媒ChosunBiz報(bào)導(dǎo),三星電子在1月8日發(fā)布2014年第4季暫定財(cái)報(bào),業(yè)績(jī)終于跌回升,營(yíng)收為52兆韓元,營(yíng)業(yè)利益達(dá)5.2兆韓元。   韓國(guó)KDB大宇證券推估,三星電子DS部門第4季貢獻(xiàn)營(yíng)業(yè)利益約2.9兆韓元,比IT暨移動(dòng)通訊(IM)事業(yè)部高出1兆韓元左右。第3季DS部門營(yíng)業(yè)利益(2
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Gartner:蓬勃的DRAM市場(chǎng)為內(nèi)存制造商帶來增長(zhǎng)

  •   Gartner發(fā)布初步統(tǒng)計(jì)結(jié)果,2014年全球半導(dǎo)體總營(yíng)收為3398億美元,與2013年的3150億美元相比增長(zhǎng)7.9%。前25大半導(dǎo)體廠商合并營(yíng)收增長(zhǎng)率為11.7%,優(yōu)于該產(chǎn)業(yè)整體表現(xiàn)。前25大廠商占整體市場(chǎng)營(yíng)收的72.1%,比2013年的69.7%更高。   Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示:“就群體來看,DRAM廠商的表現(xiàn)勝過半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)其他廠商。這股趨勢(shì)始于2013年DRAM市場(chǎng)因供給減少及價(jià)格回穩(wěn)雙重因素而蓬勃發(fā)展并持續(xù)至今,2014年?duì)I收也因而增長(zhǎng)31.
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三星2015年內(nèi)量產(chǎn)48層V NAND 已著手研發(fā)64層產(chǎn)品

  •   三星電子(Samsung Electronics) 為與其他尚無法生產(chǎn)V NAND的競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者將技術(shù)差距拉大到2年以上,并在次世代存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)上維持獨(dú)大地位,計(jì)劃在2015年內(nèi)量產(chǎn)堆疊48層Cell的3D垂直結(jié)構(gòu)NAND Flash。   據(jù)首爾經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo),三星近來已完成48層結(jié)構(gòu)的V NAND研發(fā),并著手研發(fā)后續(xù)產(chǎn)品64層結(jié)構(gòu)V NAND。48層V NAND將于2015年內(nèi)開始量產(chǎn)。原本韓國(guó)業(yè)界推測(cè)三星會(huì)在2015年下半完成48層V NAND,并在2016年才投入量產(chǎn),然三星大幅提前了生產(chǎn)日程。
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高交會(huì)上東芝引領(lǐng)閃存技術(shù)走向

  •   全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明,東芝2014年會(huì)計(jì)年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)最亮眼,位出貨量季成長(zhǎng)25%以上,營(yíng)收較上季度成長(zhǎng)23.7%。   東芝電子(中國(guó))有限公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會(huì)電子展上也透露,2014年東芝在中國(guó)的閃存生意非常好,在高交會(huì)電子展上展示的存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的,從MLC、MMC到SLC,都可以看到最新的產(chǎn)品,并且東芝的技術(shù)動(dòng)向,也在引領(lǐng)未來閃存的發(fā)展趨勢(shì)。
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Spansion面向嵌入式市場(chǎng)推出新型工業(yè)級(jí)e.MMC NAND閃存產(chǎn)品

  •   不久前,Spansion宣布面向嵌入式系統(tǒng)的全新工業(yè)級(jí)e.MMC產(chǎn)品系列。眾所周知,Spansion于2012年推出了立足嵌入式應(yīng)用的SLC NAND產(chǎn)品。至此,我們?yōu)镾LC NAND解決方案發(fā)展了一個(gè)強(qiáng)大的客戶群,而且我們還發(fā)現(xiàn),這些客戶對(duì)嵌入式集中規(guī)模存儲(chǔ)解決方案的需求也越來越大。對(duì)于那些不僅僅是要購買一款“現(xiàn)成”產(chǎn)品的嵌入式客戶而言,Spansion全新的e.MMC系列產(chǎn)品是一個(gè)完美的選擇。        作為Spansion第一款管理型NAND產(chǎn)品系
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海力士前高層加入慧榮 SSD大戰(zhàn)鳴槍

  •   固態(tài)硬碟(SSD)戰(zhàn)火正熱,持續(xù)成為2015年產(chǎn)業(yè)焦點(diǎn),NAND Flash控制芯片業(yè)者為了布局上游半導(dǎo)體大廠,使出渾身解數(shù)綁樁,傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔(dān)任公司高層。   慧榮一向和SK海力士合作緊密,雙方合作內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器eMMC業(yè)務(wù)外,有機(jī)會(huì)延伸至SSD產(chǎn)品線上,2015年更是關(guān)鍵年,慧榮內(nèi)部極度重視SSD產(chǎn)品線,立下通吃NAND Flash大廠和存儲(chǔ)器模組兩大族群的目標(biāo),看好公司營(yíng)運(yùn)
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NAND閃存將被RRAM顛覆?存儲(chǔ)器市場(chǎng)暗潮涌動(dòng)

  •   NAND閃存已經(jīng)成為固態(tài)存儲(chǔ)的霸主,不過它也存在諸多問題,尤其是壽命隨著工藝的先進(jìn)化而不斷縮短,TLC格式也引發(fā)了諸多質(zhì)疑,因此研發(fā)一種可取而代之的新式非易失性存儲(chǔ)技術(shù)勢(shì)在必行。   從FRAM到相變式存儲(chǔ)器,新選手不斷涌現(xiàn),但目前還未能挑戰(zhàn)NAND的地位。直到最近,名為電阻式RAM的新貴出現(xiàn)了,它最被看好,三星、閃迪等巨頭都在投入,不過,走在最前列的是一家美國(guó)創(chuàng)業(yè)公司Crossbar。   RRAM相較于NAND最大的優(yōu)勢(shì)就是更好的性能、壽命。NAND的讀取延遲一般在幾百微妙級(jí)別,Crossba
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3d nand介紹

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