- 全球半導體領域在的宏觀經濟條件不佳下渡過了艱辛的2012年，近期在美國經濟成長逐漸獲得改善之際，領域在末季看似有了復蘇跡象。 雖然12月份全球半導體銷售量成功創(chuàng)下久違的連續(xù)兩個月增長，但依然不足以抵銷市場分析員對國內半導體領域的消極看法。
考慮到在全球經濟不明朗，對電子產品需求量帶來打擊下，市場分析員依然謹慎看待我國今年的半導體領域，特別是受大選情緒影響的上半年，而最低薪金制度也相信將進一步箝制國內業(yè)者的業(yè)績表現。無論如何，在預計下半年經濟大環(huán)境獲得改善的情況下，國內半導體業(yè)者或將隨著趨勢上演反
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半導體設備 NAND
- 閃存密度越來越高帶來的是更大容量的設備，但是如果要做到更小尺寸怒，那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片，采用20納米制程，TLC閃存技術，裸片面積只有146平方毫米，比目前的MLC芯片尺寸小25%。
TLC閃存每單元存儲3bit數據，它更高的密度的代價是相對較低的寫入速度和較差的耐久力，目前只有三星840系列固態(tài)硬盤使用這種技術。
不過鎂光也并沒有將其用在SSD上的打算，128Gb的NAND目前只會用于可移動存儲市場，例如SD和USB閃存驅動
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鎂光 NAND
- 根據信息與數據分析公司IHS iSuppli發(fā)布的最新數據報告，雖然蘋果公司對閃存(NAND)需求旺盛，但由于超級本銷售仍然低迷，使得全球閃速存儲器市場收益下降了7個百分。去年，閃存(NAND)產業(yè)收益由2011年的212億美元下跌至2012年的197億美元。不過，經過去年的低迷期，今年收益將有所增長，達到224億美元，并在接下來的幾年內持續(xù)增長。
具體可參見下表。
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“閃 存具備高密度內存，大容量傳輸的性能。在2012年，蘋果iPhone是NAND的
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閃存 NAND
- 據IHS iSuppli Data的閃存市場追蹤報告，2012年蘋果iPhone是推動NAND閃存消費的最大因素。由于超級本未能實現騰飛，2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮。
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蘋果 閃存 NAND
- NAND Flash內存設備的讀寫控制設計,引言
NOR Flash和NAND Flash是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Flash因為具有非易失性及可擦除性，在數碼相機、手機、個人數字助理( PDA)、掌上電腦、MP3播放器等手持設備中得到廣泛的應用。NAND Flash
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- 基于ARM11的Linux NAND FLASH模擬U盤掛載分析,０ 引 言
現階段嵌入式產品作為Ｕ 盤掛載到ＰＣ機上在各類電子產品中被越來越多的應用，Ｌｉｎｕｘ操作系統(tǒng)在電子產品中的應用也越來越廣泛，但是Ｌｉｎｕｘ中模擬Ｕ盤掛載到ＰＣ機中，與ＰＣ機上通用Ｗｉｎｄｏ
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模擬 分析 FLASH NAND ARM11 Linux 基于
- 日本媒體報導，全球第2大NAND型快閃記憶體(FlashMemory)廠商東芝(Toshiba)于21日宣布，因半導體需求回溫，故旗下日本半導體工廠將于今年年末的元旦假期期間加班趕工。東芝表示，于去年元旦假期停工8天的姬路半導體工廠今年將不停工持續(xù)進行生產;大分工廠今年元旦假期期間的停工天數則將自去年的6天減半至3天。
東芝姬路半導體工廠主要生產馬達/PC用電源控制晶片、大分工廠主要生產影像感測器及系統(tǒng)整合晶片(SystemLSI)。
東芝于10月31日將今年度(2012年4月-2013年
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Toshiba FlashMemory NAND
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市調機構集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調查，雖然系統(tǒng)產品年底銷售旺季備貨高峰期已過，然在NAND Flash原廠持續(xù)對于零售市場減量供貨的情況下，12月上旬NAND Flash合約價較11月下旬僅小跌1-2%，預估緩跌走勢將持續(xù)至明年1月份。
集邦表示，SK海力士在12月11日遇到產線短暫跳電，但相關NAND Flash的營運沒有受到影響，現貨價格雖因此有微幅上漲，但整體需求偏弱格局不變。市場面觀察，智慧型手機與平板電腦廠商圣誕假期鋪貨高峰大多落在11月底與12月初
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SK NAND Flash 手機
- 三星840系列固態(tài)硬盤開啟了一個新時代，TLC NAND閃存首次用于消費級產品。關于這種閃存的原理、架構技術，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經做了比較深入的介紹，今天再來看看TLC閃存本身的壽命問題。
遺憾的是，沒有任何廠商公開談論過TLC閃存的可靠程度，只能猜測編程/擦寫循環(huán)(P/E)次數大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次)，而且三星不像Intel那樣會告訴你具體的閃存寫入量，再加上寫入放大的緣故，根本無從得知寫入了多少數據。
不過還是有個變通方法
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三星 閃存 TLC NAND
- 賽普拉斯半導體公司(納斯達克股票代碼：CY)日前推出了 16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機訪問存儲器 (nvSRAM) 系列，其中包括具備同步 NAND 閃存接口的器件。該系列是業(yè)界首款可直接與開放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線控制器相連接的非易失性 SRAM 存儲器。
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賽普拉斯 NAND SRAM
- 在nand flash上實現JFFS2根文件文件系統(tǒng),JFFS2是Flash上應用最廣的一個日志結構文件系統(tǒng)。它提供的垃圾回收機制，不需要馬上對擦寫越界的塊進行擦寫，而只需要將其設置一個標志，標明為臟塊，當可用的塊數不足時，垃圾回收機制才開始回收這些節(jié)點。同時，由
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文件文件 系統(tǒng) JFFS2 實現 flash nand
- 下代移動設備超輕超薄的特性，Samsung eMMC Pro Class 1500采用了20nm工藝規(guī)范，一塊64GB的芯片厚度僅為1.2毫米，而重量僅有0.6克。
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三星 NAND
- 標簽：NAND POS在嵌入式應用中，海量存儲密度正在以前所未有的速度增長。像便攜式媒體播放器、蜂窩電話、數碼相機、便攜式導航設備、無線網卡、閃盤這樣的消費產品由于需要處理越來越多的多媒體內容而要求更高的海量
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