NAND閃存將被RRAM顛覆？存儲器市場暗潮涌動

　　NAND閃存已經(jīng)成為固態(tài)存儲的霸主，不過它也存在諸多問題，尤其是壽命隨著工藝的先進化而不斷縮短，TLC格式也引發(fā)了諸多質(zhì)疑，因此研發(fā)一種可取而代之的新式非易失性存儲技術勢在必行。

　　從FRAM到相變式存儲器，新選手不斷涌現(xiàn)，但目前還未能挑戰(zhàn)NAND的地位。直到最近，名為電阻式RAM的新貴出現(xiàn)了，它最被看好，三星、閃迪等巨頭都在投入，不過，走在最前列的是一家美國創(chuàng)業(yè)公司Crossbar。

　　RRAM相較于NAND最大的優(yōu)勢就是更好的性能、壽命。NAND的讀取延遲一般在幾百微妙級別，Crossbar宣稱他們可以做到最低50ns，也就是加快了上萬倍。RRAM的編程/擦寫循環(huán)更是可以達到數(shù)百萬次，初期也能做到10萬次左右，NAND閃存現(xiàn)在只有區(qū)區(qū)幾千次。

　　令人歡欣鼓舞的最新消息是，Crossbar宣布他們的RRAM已經(jīng)開始進入商業(yè)化階段，也就是有了可用的成品芯片，并證明自己能夠進入工廠量產(chǎn)。

　　Crossbar初期準備面向嵌入式市場，授權給ASIC、FPGA、SoC開發(fā)商，預計首個樣品2015年初出爐，2015年底或2016年初量產(chǎn)。除了授權，Crossbar還在開發(fā)自己的芯片，容量和密度更高，大概會在2017年面世。

　　除了Crossbar，閃存大廠美光也與索尼公司聯(lián)合研發(fā)了可變電阻式ReRAM，只不過道路坎坷一些，從2007年出現(xiàn)后，幾乎每年都會透露一些進展，但就是距離量產(chǎn)也沒有給出具體時間表。美光可變電阻式ReRAM和Crossbar RRAM有些類似，同樣是非易失性存儲，但是更強調(diào)電阻可變，同時為了區(qū)分，縮寫也有所不同。

　　美光在IEEE IEDM 2014國際電子設備大會上上公布的原型采用了27nm CMOS工藝制造，三層銅線互連，單顆容量16Gb(2GB)，內(nèi)核面積168平方毫米。作為原型，它采用了DDR內(nèi)存接口，但后期很容易替換。

　　在諸多半導體器件中，存儲器是最有希望頭一個邁入下個時代的，無論哪種技術勝出，都可能成撬動行業(yè)的支點。