- 全球第二大閃存制造商?hào)|芝公司(Toshiba Corp)周三警告說,由于PC市場不景氣,美國和歐洲等經(jīng)濟(jì)體持續(xù)動(dòng)蕩以及日元強(qiáng)勢等原因,該公司芯片業(yè)務(wù)的利潤可能達(dá)不到預(yù)期。
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東芝 芯片 NAND
- 據(jù)韓國電子新聞報(bào)導(dǎo),計(jì)算機(jī)用DRAM芯片價(jià)格快速下跌,NAND Flash合約價(jià)也從6月起出現(xiàn)陡峭跌幅,2個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)2011年來最低價(jià)2美元紀(jì)錄。下半年則因智能型手機(jī)(Smartphone)與平板計(jì)算機(jī) (Tablet PC)新品陸續(xù)問世,可望帶動(dòng)NAND Flash價(jià)格回升。
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NAND DRAM芯片
- 隨著存儲(chǔ)器容量越來越大,NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后,也開始遇到瓶頸,業(yè)界在未來制作更大容量存儲(chǔ)器上,面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對(duì)手公司韓國三星電子(SamsungElectronics),但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸,因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司,均已決定投入3D存儲(chǔ)器的開發(fā)。
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三星 存儲(chǔ)器 NAND
- 隨著存儲(chǔ)器容量越來越大,NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后,也開始遇到瓶頸,業(yè)界在未來制作更大容量存儲(chǔ)器上,面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對(duì)手公司韓國三星電子(Samsung Electronics),但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸,因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司,均已決定投入3D存儲(chǔ)器的開發(fā)。
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爾必達(dá) NAND
- 內(nèi)存的成本高昂,今年 NAND 在家庭主機(jī)和手持設(shè)備上的密集度仍將提高 40% 以上,而這是游戲最主要的游戲環(huán)境。
今年家用游戲主機(jī)的 NAND 平均密度預(yù)計(jì)達(dá) 923MB,較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設(shè)備的 NAND 平均密度則預(yù)計(jì)自去年的 87MB 增長 41.4%,達(dá) 123MB。
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Sony NAND
- LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術(shù),用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護(hù)功能。MegaRAID CacheVault 采用固態(tài) NAND 閃存,能夠在電源發(fā)生故障的時(shí)候自動(dòng)將高速緩存中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到閃存中,從而為存儲(chǔ)在 RAID 控制器緩存中的數(shù)據(jù)提供強(qiáng)大的保護(hù)。CacheVault 技術(shù)避免了采用鋰離子電池的麻煩,并可節(jié)約相關(guān)的硬件維護(hù)成本,從而實(shí)現(xiàn)更環(huán)保、總體成本更低的高速緩存保護(hù)解決方案。
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LSI NAND
- 據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報(bào)告,盡管NAND閃存成本較高妨礙其進(jìn)入游戲硬件,但2011年家庭游戲機(jī)與手持游戲機(jī)中的NAND密度將增長40%以上。
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索尼 NAND
- 三星電子一家新的存儲(chǔ)半導(dǎo)體制造廠將于9月投入運(yùn)營。消息人士說,新廠編號(hào)為“Line-16”,主要生產(chǎn)NAND芯片。
2010年5月時(shí),三星在韓國京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動(dòng)工,建立新的工廠。此前三星曾透露說,Line-16工廠月產(chǎn)20萬片12寸圓晶。
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三星 NAND
- 日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導(dǎo)體工廠,以應(yīng)對(duì)智能手機(jī)和平板電腦的快速發(fā)展而帶來的對(duì)閃存芯片的大量需求。該工廠主要生產(chǎn)300毫米晶片NAND半導(dǎo)體,工廠名稱為“Fab 5”。
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東芝 NAND
- 東芝株式會(huì)社 與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。
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東芝 NAND
- 摘要 基于Flash存儲(chǔ)器的Hamming編碼原理,在Altera QuartusⅡ7.0開發(fā)環(huán)境下,實(shí)現(xiàn)ECC校驗(yàn)功能。測試結(jié)果表明,該程序可實(shí)現(xiàn)每256 Byte數(shù)據(jù)生成3 Byte的ECC校驗(yàn)數(shù)據(jù),能夠檢測出1 bit錯(cuò)誤和2 bit錯(cuò)誤,對(duì)于1 bit錯(cuò)誤
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Flash FPGA NAND ECC
- 最近舉辦的Semicon West2011半導(dǎo)體業(yè)界大會(huì)上,三星與蘋果之間的知識(shí)產(chǎn)權(quán)爭端事件顯然會(huì)是一個(gè)有趣的話題。目前,三星正準(zhǔn)備于8月份開始量產(chǎn)蘋果手機(jī)/平板電腦用 A5 SoC芯片。而且他們最近花費(fèi)36億美元對(duì)奧斯汀芯片廠進(jìn)行了升級(jí),使其產(chǎn)能能夠在NAND或邏輯芯片產(chǎn)品之間自由切換,不過三星顯然希望能夠在保住蘋果 芯片訂單的前提下繼續(xù)拓展自己的代工業(yè)務(wù)。
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三星 NAND
- 據(jù)IHS iSuppli公司的研究,東芝在2011年第一季度NAND閃存市場大有要超過三星之兆,這兩家廠商的市場份額差距從2010年第四季度的1.1個(gè)百分點(diǎn)縮小到只有0.3個(gè)百分點(diǎn)。長期以來,三星一直是最大的NAND閃存廠商。
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東芝 NAND
- 據(jù)IHS iSuppli公司的研究,2011年第一季度NAND閃存領(lǐng)域爭奪頭號(hào)排名的競爭加劇,排名第二的東芝接近與三星電子平起平坐。長期以來,三星一直是最大的NAND閃存廠商?!?/li>
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NAND 閃存
- 根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示,截自六月十六日6:00pm為止,由于大部分買方與賣方就六月上旬NAND Flash合約價(jià)格的談判尚未告一段落,因此六月份NAND Flash合約價(jià)將等到各家廠商價(jià)格談定后DRAMeXchange才會(huì)公布。
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平板電腦 NAND
3d nand介紹
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