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Mobile RAM防線恐失守

  •   行動(dòng)裝置風(fēng)潮崛起使得PC DRAM需求式微,自2011年起包括Mobile RAM、服務(wù)器DRAM等,儼然已成為DRAM廠最佳避風(fēng)港,然在各家存儲(chǔ)器大廠一窩蜂搶進(jìn)下,Mobile RAM已率先發(fā)難,出現(xiàn)供過于求警訊,日廠爾必達(dá)(Elpida)傳出原本爆滿的Mobile RAM產(chǎn)能將轉(zhuǎn)回作PC DRAM,加上近日PC DRAM價(jià)格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛(wèi)戰(zhàn),DRAM廠12寸廠產(chǎn)能陷入苦尋不到避風(fēng)港困境。   存儲(chǔ)器業(yè)者表示,PC市場成長趨緩是 DRAM產(chǎn)業(yè)致命傷,而平板計(jì)算機(jī)崛起讓每臺(tái)系統(tǒng)DRAM
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Hynix成功開發(fā)出20nm制程64Gbit密度MLC NAND閃存芯片

  •   Hynix半導(dǎo)體公司在近日舉辦的2011VLSI研討上宣布成功研發(fā)出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND閃存芯片,Hynix稱這款產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)首款基于20nm制程的大容量MLC NAND閃存芯片。   
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海力士半導(dǎo)體放緩NAND Flash工藝轉(zhuǎn)換速度

  •   南韓半導(dǎo)體大廠海力士半導(dǎo)體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群,近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級(jí)制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量,以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。   海力士相關(guān)人員表示,26納米制程N(yùn)AND Flash比重至2011年3月底約為40%,6月已超越50%,月底可望提升到50%中段。26納米制程產(chǎn)品將逐漸取代32納米制程產(chǎn)品,成為海力士主力產(chǎn)品。   NAND Flash為非揮發(fā)性內(nèi)存芯片,即使中斷供電也能儲(chǔ)存信息,是智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動(dòng)裝
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臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)集成是唯一之道

  •   存儲(chǔ)器模塊廠金士頓(Kingston)不畏存儲(chǔ)器景氣波動(dòng),2010年全球獨(dú)立DRAM模塊廠市占率首度突破50%大關(guān),NAND Flash市場布局也成功跨足固態(tài)硬盤(SSD)市場,面對臺(tái)灣上游DRAM廠仍處于生存困境的當(dāng)下,金士頓創(chuàng)辦人之一的杜紀(jì)川表示,認(rèn)同孫大衛(wèi)認(rèn)為臺(tái)灣 DRAM產(chǎn)業(yè)要集成才有活路的策略,唯有計(jì)畫性地將各方力量做結(jié)合,才能讓臺(tái)灣DRAM廠免受全球經(jīng)濟(jì)、市場波動(dòng)沖擊。 
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需求趨緩致NAND閃存芯片價(jià)格下降

  •   由于蘋果等大型企業(yè)的需求不夠強(qiáng)勁,導(dǎo)致5月的NAND閃存芯片合約價(jià)格“快速”降低。   今年5月的NAND芯片價(jià)格的降幅已經(jīng)超過15%,現(xiàn)貨市場的降幅則在20%左右。蘋果仍是NAND閃存芯片的最大買家,但需求提升不像往年的第二季度那么強(qiáng)勁?! ?/li>
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終端需求疲軟 NAND Flash合約價(jià)大跌

  •   第2季NAND Flash終端需求太差,新出爐合約報(bào)價(jià)大跌超過10%,內(nèi)存模塊廠表示,合計(jì)整個(gè)5月現(xiàn)貨報(bào)價(jià)跌幅達(dá)20%,合約價(jià)合計(jì)跌幅也超過15%,反映終端需求確實(shí)需要新刺激,目前市場是底部已臨,靜待反彈階段;展望第3季,市場認(rèn)同威剛董事長陳立白的基調(diào),預(yù)期第3季仍會(huì)比第2季好一些,但市場不至于會(huì)有缺貨或價(jià)格飆漲的情況發(fā)生。
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NAND Flash需求急凍 模組廠瀕臨警戒線

  •   全球NANDFlash市場需求在5月進(jìn)入冰河期,不僅快閃記憶卡和隨身碟應(yīng)用需求大幅降溫,甚至傳出平板電腦及智慧型手機(jī)大廠亦出現(xiàn)砍單情況,記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫,市場五窮六絕跡象顯現(xiàn),使得記憶體模組廠營收恐再次探底,部分廠商傳出力守2月營收低點(diǎn)的警戒線。不過,以毛利率角度來看,由于NANDFlash價(jià)格并沒有出現(xiàn)急跌,因此,模組廠5月毛利率仍可暫時(shí)守穩(wěn)在水準(zhǔn)之上。
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基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì)

  • 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì),摘要:介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù),它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制,提供更好的讀寫速度,以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲(chǔ)要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計(jì)方法。
    關(guān)鍵詞:DDR NAN
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基于NAND FLASH的高速大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 摘要:為了解決目前記錄系統(tǒng)容量小、存儲(chǔ)速度低的問題,采用性能優(yōu)良的固態(tài)NAND型FLASH為存儲(chǔ)介質(zhì),大規(guī)模集成電路FPGA為控制核心,通過使用并行處理技術(shù)和流水線技術(shù)實(shí)現(xiàn)了多片低速FLASH時(shí)高速數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),提高了整
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存儲(chǔ)器思謀發(fā)展

  •   存儲(chǔ)器是隨著計(jì)算機(jī)而發(fā)展起來的一種專用電子部件,用于保存數(shù)據(jù)和程序,傳統(tǒng)上計(jì)算機(jī)的主存儲(chǔ)器稱Memory,外部設(shè)備用存儲(chǔ)器稱Storage(常用磁盤、磁帶)。上世紀(jì)50年代中期,主存曾用磁芯存儲(chǔ)器,60年代中期以來,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器開始取代磁芯存儲(chǔ)器。隨著時(shí)間的前進(jìn),存儲(chǔ)器獲得了長足的發(fā)展。   
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Gartner認(rèn)為SSD將在明年成為市場主流

  •   數(shù)年來固態(tài)硬盤正在變得越來越便宜和可靠,但相比大容量的硬盤而言,這種產(chǎn)品在容量和價(jià)格比上依然顯得有些奢侈,例如40GB的Intel SSD相當(dāng)于1TB的西部數(shù)據(jù)硬盤的價(jià)格。盡管如此,Gartner依然對SSD市場的前景十分看好,并認(rèn)為到2012年下半年,固態(tài)硬盤將成為市場的主流,并預(yù)期到時(shí)候的價(jià)格將會(huì)下降到每1美元1GB,這意味著主流的SSD價(jià)格將下調(diào)到100美元以下,例如64GB64美元,從而開始被大眾接受。
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NAND FLASH在儲(chǔ)存測試系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 0 引言  計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展,存儲(chǔ)系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲(chǔ)空間,到現(xiàn)在的T8;乃至不久的將來要達(dá)到的PB存儲(chǔ)空間,其數(shù)據(jù)存取的能力在飛速擴(kuò)展。隨之而來產(chǎn)生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數(shù)據(jù)生命周期管
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三星量產(chǎn)新型NAND閃存芯片

  •   5月13日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱,它已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)新的NAND閃存芯片。這種閃存芯片傳送速度的速度比目前市場上的任何其它NAND閃存芯片都要快。   
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NAND Flash大廠積極制程轉(zhuǎn)換

  •   2011年全球NAND Flash中,全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場龍頭,市占率高達(dá)36.2%,緊追在后的是東芝(Toshiba),市占率達(dá)35.1%,兩者合計(jì)掌握70%以上NAND Flash市場;根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce最新統(tǒng)計(jì),2011年第1季NAND Flash品牌供應(yīng)商的位元出貨量為13%,營收成長9.9%,達(dá)53.63億美元。   2011年第1季全球NAND Flash市場變化相當(dāng)多,最大影響當(dāng)屬日本311東北強(qiáng)震,對
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三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量

  •   據(jù)了解,由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)需求暴增,三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。   
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3d nand介紹

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