應用材料公司和新加坡科技研究局研究機構--微電子研究院 (IME) 7號共同在新加坡第二科學園區(qū)共同為雙方連手合作的先進封裝卓越中心舉行揭幕典禮。
該中心由應用材料和 IME 合資超過 1 億美元設立，擁有14,000 平方英尺的10級無塵室，配有一條完整的十二吋制造系統(tǒng)生產(chǎn)線，能支持3D芯片封裝研發(fā)，促使半導體產(chǎn)業(yè)快速成長。這座中心的誕生是為了支持應用材料公司和 IME 之間共同的研究合作，同時也能讓雙方各自進行獨立的研究計劃，包括制程工程、整合及硬件開發(fā)等。目前已有一組 50 人以上的團隊在
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應用材料 3D芯片
美國半導體科技研發(fā)聯(lián)盟 Sematech 旗下的3D Enablement Center (3DEC)與美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)、Semiconductor Research Corp. (SRC)，日前共同定義出了wide I/O DRAM 之后的未來3D芯片(3D IC)技術殺手級應用，以及將遭遇的挑戰(zhàn)。
Sematech 表示，上述單位的眾學者專家經(jīng)過討論之后，定義出異質運算(heterogeneous computing)、內(nèi)存、影像(imaging)、智能型感測系統(tǒng)(smart s
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Sematech 3D芯片
據(jù)臺灣對外貿(mào)易發(fā)展協(xié)會(TAITRA)透露，芯片業(yè)代工巨頭臺積電公司可望于今年年底前推出業(yè)內(nèi)首款采用3D芯片...
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臺積電 3D芯片 能耗
據(jù)臺灣對外貿(mào)易發(fā)展協(xié)會(TAITRA)透露，芯片業(yè)代工巨頭臺積電公司可望于今年年底前推出業(yè)內(nèi)首款采用3D芯片堆疊技術的半導體芯片產(chǎn)品。Intel 則曾于今年五月份表示，他們將于今年年底前開始量產(chǎn)結合了三門晶體管技術(臺積電計劃14nm節(jié)點啟用類似的Finfet技術)的芯片產(chǎn)品。而臺積電這次 推出采用3D芯片堆疊技術半導體芯片產(chǎn)品的時間點則與其非?？拷?。
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臺積電 3D芯片
設計自動化大會(Design Automation Conference：DAC)已經(jīng)舉辦到了第三天，前兩天的議題主要圍繞EDA自動化設計軟件，F(xiàn)infet發(fā)明人胡志明教授談Intel的Finfet技術，以及IBM談14nm制程技術等等，不過前兩天的會議內(nèi)容并沒有什么特別新鮮的內(nèi)容。第三天的主要討論熱點則轉移到了3DIC技術方面。
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高通 3D芯片
Atrenta日前宣布，其與IMEC合作的3D整合研究計劃，己針對異質3D堆疊芯片組裝開發(fā)出了規(guī)劃和分割設計流程。Atrenta和IMEC也宣布將在今年6月6~8日的DAC展中，展示雙方共同開發(fā)的設計流程。
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Atrenta 封裝技術 3D芯片
看好3D市場，DRAM大廠爾必達日前宣布，將與臺灣力成科技、聯(lián)華電子正式簽約，攜手展開TSV產(chǎn)品的共同開發(fā);爾必達表示，三方還將針對3D IC整合技術、28納米先進制程TSV(Through-Silicon Via, 直通硅晶穿孔)進行開發(fā)與商務合作。
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爾必達 3D芯片
據(jù)南韓電子新聞報導，三星電子(Samsung Electronics)已完成3D芯片生產(chǎn)系統(tǒng)的建構，正準備投入量產(chǎn)。近來英特爾(Intel)宣告領先全球開發(fā)出3D芯片，三星也表示持有相當數(shù)量的相關技術，且已確保量產(chǎn)技術。
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三星 3D芯片
Gartner分析師指出，英特爾新3D Tri-Gate晶體設計將不足以達成該公司在手機與平板計算機市場的野心。
Gartner副總裁杜拉內(nèi)(Ken Dulaney)表示，英特爾(Intel)將采用突破技術支持Ivy Bridge 22納米處理器，但它的設計將不足以進入移動市場。
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英特爾 3D芯片
盡管晶體管的延遲時間會隨著晶體管溝道長度尺寸的縮小而縮短，但與此同時互聯(lián)電路部分的延遲則會提升。舉例而...
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單片型 3D芯片
盡管最近幾年以TSV穿硅互聯(lián)為代表的3D芯片技術在各媒體上的出鏡率極高，但許多人都懷疑這種技術到底有沒有可能付諸實用，而且這項技術的實際發(fā)展速度 也相對緩慢，目前很大程度上仍停留在“紙上談兵”的階段。不過，許多芯片制造商仍在竭力推進基于TSV的3D芯片技術的發(fā)展并為其投入研發(fā)資金，這些廠商 包括IBM,Intel，三星，東芝等等，3D芯片技術的優(yōu)勢在于可以在不需要改變現(xiàn)有產(chǎn)品制程的基礎上增加產(chǎn)品的集成度，從而提高單位芯片面積內(nèi)的晶體 管數(shù)量。
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3D芯片 堆疊
2011年1月5日，全球無線通信及數(shù)字媒體IC設計領導廠商聯(lián)發(fā)科技股份有限公司(MediaTek Inc.)今日宣布將于2011消費電子展(CES: The International Consumer Electronics Show)推出全球首款支持120Hz偏光/快門式3D技術的單芯片解決方案，提供消費者更為優(yōu)質驚艷的3D視覺體驗，同時更推出新一代智能型電視芯片解決方案，掀起“客廳革命”的風暴。此方案不僅大幅提升無線鏈接速度，其傳輸質量也更穩(wěn)定。
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聯(lián)發(fā)科技 3D芯片
Applied Materials正在引領通孔硅技術(TSV)實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。TSV技術通過芯片的多層連接，實現(xiàn)性能提升、功能改善、小型封裝、降低功耗，被視為未來移動芯片領域的重要技術。Applied Materials發(fā)布Applied Producer Avila系統(tǒng)，成為首家提供全方位TSV方案的供應商，加速了3D-IC的上市時間。
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應用材料 3D芯片 移動芯片
IC尺寸微縮仍面臨挑戰(zhàn)。
為了使芯片微縮，總是利用光刻技術來推動。然而近期Sematech在一次演講中列舉了可維持摩爾定律的其他一些技術。
1. 零低k界面：在目前Intel的45nm設計中，采用硅襯底和高k金屬柵。在硅與高k材料之間有低k材料。對于零低k界面，免去了低k材料，提高驅動電流并減少漏電。這是16nm節(jié)點的一種選擇。
2. 單金屬柵堆疊：與傳統(tǒng)晶體管相比，高k金屬柵利用了單金屬柵堆疊結構，這改善了晶體管性能，且降低了器件功耗。
3. III-V族材料上柵堆疊：Int
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摩爾定律 45納米 3D芯片
3d芯片介紹
世界上第一款3D芯片工藝已經(jīng)準備獲取牌照，該工藝來自于無晶圓半導體設計公司BeSang公司。BeSang公司制作的用于演示的芯片在其控制邏輯上使用了1.28億個垂直晶體管用作內(nèi)存位單元。該芯片的設計在國家Nanofab中心(韓國大田)和斯坦福Nanofab(美國加州)進行。BeSang公司稱，該工藝由25個專利所保護，將允許Flash、DRAM以及SRAM放置在邏輯電路、微處理器以及片上系統(tǒng)上 [
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